Контрольные вопросы

1. Объясните на примере транзистора с кусочно-линейной аппроксимацией вольт-амперной характеристики ход колебательных характеристик при различных напряжениях смещения (U_бо больше, меньше или равно напряжению начала U_н).

2. Как изменится вид колебательной характеристики при: увеличении Е_к; увеличении R_p; шунтировании контура R_ш ?

3. Как по известной колебательной характеристике усилителя больших колебаний выбрать параметры входного АМК (смещения U_бо и амплитуды несущей U_o при заданном коэффициенте модуляции М), чтобы получить неискаженный усиленный сигнал?

4. Объясните принцип действия усилителя "больших" гармонических колебаний.

5. Объясните принцип действия умножителя частоты гармонических колебаний.

6. Объясните, почему при кусочно-линейной вольт-амперной характеристике транзистора умножителя (утроителя) частоты при определенных сочетаниях амплитуды входного гармонического сигнала и смещения на базе выходной сигнал отсутствует.

7. Может ли рассматриваемый усилитель "больших" колебаний использоваться для усиления импульсных сигналов (вида рис. 2,б)?

Лабораторная работа №6 Получение амплитудно-модулированных колебаний

Цель работы: исследование процессов при воздействии на нелинейный элемент двух "больших" гармонических сигналов с высокой и низкой частотами, а также особенностей получения АМК при модуляции смешением.

Краткое описание лабораторной установки

Лабораторная работа выполняется на стенде, описание которого приведено в работе №4. При этом напряжение смещения регулируется ручкой U_бо, сигналы несущей (высокой) и модулирующей (низкой) частоты от генераторов Г4-42 и ГЗ-33 подаются на гнезда Г1 и Г2 стенда.

Домашнее задание

1. С использованием полученных в лабораторной работе №5 экспериментальных колебательных характеристик построить модуляционные характеристики (то есть зависимости амплитуды напряжения на коллекторе от постоянного смещения на базе U_бо при фиксированной амплитуде входного высокочастотного сигнала) для амплитуды несущего сигнала U_бм=0,8E_к/SR_p и U_бм' = 0.5U_бм, считая напряжение коллекторного питания равным Е_к = 5,3В.

2. Используя полученные модуляционные характеристики, определить значения параметров входного сигнала (амплитуды несущей U_бм и модулирующей U_бн частот, постоянное смещение U_бо), при которых можно получить неискаженное АМК с максимальным коэффициентом модуляции М_мах; оценить величину М_мах.

3. Ответить на контрольные вопросы.

Лабораторное задание

1. Установить смещение на базе, равное U_бо=1В. Подать на вход высокочастотный сигнал от Г4-42 с амплитудой 0.1В и частотой f=f*. Верньером провести точную настройку на резонансную частоту контура.

2. Установив амплитуду несущего гармонического сигнала, равную рассчитанной дома величине U_бм, снять модуляционную характеристику и сопоставить ее с расчетной.

3. Установить амплитуду ВЧ-сигнала, равную U_бм^' , и снять новую модуляционную характеристику, сравнивая ее с предыдущей и расчетной зависимостями.

4. По экспериментально снятым модуляционным характеристикам определить значения входных напряжений U_бо, U_бм и U_бн, при которых на выходе получается неискаженное АМК с коэффициентом модуляции М=0.7. Оценить возможность получения в данной схеме неискаженного АМК с большим коэффициентом модуляции.

5. Включить генератор ГЗ-33, установив его частоту равной F=2кГц. Установить на входе схемы найденные в п. 4 значения напряжений U_бо, U_бм и U_бн. Зарисовать осциллограммы выходного тока i_к(t) и напряжения на коллекторе u_к(t).

6. По осциллограммам u_к(t) оценить коэффициент модуляции полученного амплитудно-модулированного сигнала. Сравнить его с расчетной величиной (М=0.7).

7. Установив на входе амплитуду несущего колебания, равную U_бм', экспериментально подобрать такие значения напряжения смещения и амплитуды модулирующего сигнала, чтобы на выходе получить АМК с максимально возможным коэффициентом модуляции. Зарисовать осциллограмму выходного сигнала, определить величину М. Измерить значения U_бн и U_бо и сопоставить их с графиком модуляционной характеристики.