Заносим параметры транзистора гт308а в таблицу 2.

Таблица 2

Параметры транзистора	ГТ308А
Структура транзистора	p-n-p
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с ОЭ ƒгр, МГц	90
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора P к max, мВт	150
Коэффициент передачи тока биполярного транзистора в режиме малого сигнала в схеме с ОЭ: h21э min	20
h21э max	75
Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор – эмиттер Uкэ mах, В	12
Максимально допустимый постоянный ток коллектора I k max, Мa	50
Объемное сопротивление базы на высоких частотах rб', Oм	50

Определяем рабочую область характеристики транзистора. Для этого на выходных характеристиках (рис.5) транзистора строим характеристику максимально допустимой мощности рассеяния. Полученные данные тока коллектора вносим в таблицу 3.

Таблица 3

Uкэ, В	2	4	6	8	10
Iк, мА	42	21	14	10,5	8,4

Для построения этой характеристики задаем значения U_кэ для транзистора ГТ308А от 2 В до 10 В.

На оси напряжений (рис.5) отмечаем эти значения и восстанавливаем перпендикуляры до пересечения с соответствующим каждому значению U_кэ току I_к. Затем полученные точки соединяем плавной линией, далее проводятся линии, соответствующие U_{кэ мах} и U_ост. Значение U_ост определяется графически, для этого опускается на ось напряжений перпендикуляр из точки перегиба верхней вольт – амперной характеристики (Рис.5).

Определяем напряжение покоя транзистора по максимально допустимому напряжению U_{кэ мах}:

U_ко ≤ (6)

U_ко =(12+1)/2=6,5 B;

Определяем мощность, отдаваемую транзистором с учетом заданного КПД трансформатора η_тр = 0,95:

Р'_~ = (7)

Р'_~ =33/0,95=34,74 мВт;

Определяем мощность рассеяния на коллекторе транзистора:

Р_ко = Р'_~ /η_А*η_ос (8)

Р_ко =34,74/ 0,4*0,9=96,5 мВт;

где η_А – максимальный КПД каскада в режиме А, принимается равным 0,4;

η_ос – коэффициент, учитывающий потери мощности сигнала в цепи обратной связи, принимается равным 0,9;

Ток покоя рассчитываем, исходя из мощности рассеяния на коллекторе транзистора:

I_ко = (9)

I_ко =96,5/6,5= 15 мА;

На семействе выходных характерист8ик транзистора (Рис. 5.) отмечаем выбранные U_ко, I_ко и определяем соответствующей точке покоя ток базы I_бо (входной ток). Полученное значение I_бо отмечаем на входной характеристике (Рис.6) и определяем соответствующее ему напряжение смещения U_бо.

U_ко = 6,5 В;

I_ко = 15 мА

I_бо = 0,3 мА;

U_бо = 0,23 В;

Определяем амплитуду напряжения выходного сигнала:

U_кm ≤ U_ко - U_ост (10)

U_кm = 6,5-1=5,5 В;

Определяем амплитуду тока выходного сигнала:

I_кm = (11)

I_кm =2*34,74/5,5=12,6 мА;

Строим нагрузочную прямую переменного тока. Для этого на семействе выходных характеристик (рис.5) транзистора от координаты точки покоя на оси токов вниз откладываем амплитуду тока I_км, а от координаты точки покоя вправо – амплитуда напряжения U_км. Пересечением уравнений I_ко – I_км и U_ко + U_км определяется точка М. Через точку М и точку покоя проводим нагрузочную прямую переменного тока.

I_{к min}=I_ко – I_кm (12)

I_{к min} = 15-12,6=2,4 мА;

U_кmax= U_ко + U_кm (13)

U_кmax =6,5+5,5=12 В;

На семействе выходных характеристик транзистора (рис.5) отмечаем точку N на нагрузочной прямой переменного тока, соответствующая пересечению уровня U_ост и нагрузочной прямой.

Определяем соответствующий точкам M и N входной ток. Точке М будет соответствовать минимальный входной ток I_бmin, а точке N – I_{б max} максимальный.

I_бmin = 0,61 мА;

I_{б max} = 0,05 мА;

Определяем амплитуду тока входного сигнала:

I_бm = (14)

I_бm =(0,61-0,05)/2=0,28 мА;

Определяем мощность, отдаваемую транзистором в выбранном режиме:

Р_~ = (15)

Р_~ =12,6*5,5/2=34,65 мВт;

Сравниваем полученные величины Р_~ с Р'_~. Условие соблюдается:

Р_~ ≥ Р'_~ (16)

34,74 мВт ≥ 34,65 мВт

На входной характеристике транзистора (рис.6) отмечаем токи I_{б max}, I_бо, I_бmin, и определяем соответствующие этим токам значения входного напряжения.

U_{бэ мах} = 0,3 В;

U_{бэ min} =0,11 В;

Определяем амплитуду напряжения входного сигнала:

U_бm = (17)

U_бm =(0,3-0,11)/2=0,09 В;

Определяем коэффициент усиления по напряжению:

К = (18)

К =5,5/0,09=61 раз;

Определяем входное сопротивление транзистора:

R_вх = (19)

R_вх =0,09/0,28*10^-3= 314 Ом;

Определяем сопротивление нагрузки выходной цепи:

R_{~ =} (20)

R_~=5,5/12,6*10^-3= 436 Ом;

Определяем мощность, потребляемую выходной цепью транзистора от источника питания:

Р = I_ко * U_ко (21)

Р = 15*6,5=97,5 мВт;

Определяем фактический коэффициент полезного действия выходной цепи:

η_ф = (22)

η_ф =34,74/97,5=0,36;

Полученные при расчетах параметры оконечного каскада вносим в таблицу 4

Таблица 4

Nкаск	Uко, В	Iко, mА	Uбо, В	Iбо, mА	К3	Rвх , Ом	R~ , Ом	ηф
3	6,5	15	0,23	0,3	61	321	516	0,36