Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
ust.doc
Скачиваний:
0
Добавлен:
01.05.2025
Размер:
2.78 Mб
Скачать

3.3. Расчёт

Использовав при проектировании метод последовательного приближения и проведя несколько циклов расчётов получаем, что условия требования ТЗ по двухсигнальной избирательности и шумам АП1 будут выполнены при использовании транзистора КТ339, в эмиттерную цепь которого включён резистор ООС rэ = 6 Ом. Параметры транзистора КТ339 без учёта влияния rэ были приведены в пункте 1.8. Следовательно необходимо пересчитать параметры АП1 с учётом rэ.

4блок. Пересчёт параметров транзистора:

R = rэ + r’б *(1 – α) = 6 + 30*(1 – 0.97) = 6.9 Ом,

g210 = 30*I0 = 30*2*10-3 = 0.06 См,

g210*R = 6.9*0.06 = 0.414,

F = 1 + g210*R = 1 + 0.414 = 1.414,

= g210/F = 0.06 /1.414 = 0.042 См,

gвх = g110/F = 0.7*10-3/1.414 = 0.495 мСм,

gгопт = (3…10)*g11 = 10*0.7*10-3 = 4.95 мСм,

gвых = g220/F = 12*10-6/1.414 = 8.487 мкСм.

Пересчитанные параметры транзистора были использованы при расчёте входного устройства. Режим работы транзистора по постоянному току был изменён(I0 = 2 мА) для уменьшения глубины ООС и уменьшения напряжения шума транзистора.

2блок. Рассчитанные параметры входного устройства:

Результаты расчёта:

fмакс = 29.12 МГц,

K0вх = 0.735,

Qвх = 150,

= 194.1 кГц.

3блок. Рассчитываем Kим2,1 на fмакс.

fп1 = f0макс + 200*103 = 29.12*106 + 0.2*106 = 29.32 МГц,

fп2 = f0макс + 400*103 = 29.12*106 + 0.4*106 = 29.52 МГц,

UАп1 = 20 мВ,

UАп2 = 30 мВ.

Стандартный испытательный сигнал Uст = 1 мВ.

1/В2.

На fмакс определяем напряжение сигнала и помех на входе АП1:

Uсвх = Uст*K0вх = 0.001*0.735 = 0.808 мВ,

Uп1вх = UАп1*K0вх* = 20*10-3*0.735*0.438 = 6.432 мВ,

Uп2вх = UАп2*K0вх* = 30*10-3*0.735*0.237 = 5.23 мВ,

0.2417%.

5блок. Расчёт Uшвх1:

Uшвх1 = В,

Uшвх1 = < = В.

4. Расчет урч и общих характеристик преселектора

4.1. Порядок расчета

Каскады УРЧ выполняют, как правило, на дискретных транзисторах. В УРЧ находят применение как биполярные (БТ), так и полевые (ПТ) транзисторы. Будем использовать схему на биполярном транзисторе, транзистор включен по схеме с общим эмиттером:

Рис. 4. Схема УРЧ на биполярном транзисторе.

Сигнал поступает на базу транзистора от контура входного устройства с коэффициентом включения . Проводимость, которую транзистор «видит» со стороны источника сигнала, – . Эти параметры известны из расчёта входного устройства. Колебательный контур в нагрузке транзистора выполнен по схеме колебательного контура входного устройства, перестраивается в том же диапазоне частот и имеет те же параметры , , , , . Эквивалентные параметры и связи колебательного контура с внешними цепями и будут определены при расчёте.

Исходными данными для расчёта являются также параметры транзистора в режиме, выбранном ранее при расчёте структурной схемы с учётом требований многосигнальной избирательности (с учётом сопротивления резистора , если он будет использоваться):

- модуль проводимости прямой передачи;

- проходная емкость транзистора;

- вещественная составляющая входной проводимости;

- составляющая выходной проводимости;

- входная емкость;

- выходная емкость;

- возможное отклонение от заданного значения;

возможное отклонение от заданного значения;

- значение постоянной составляющей тока транзистора.

Следующим каскадом является преобразователь частоты. Для расчёта УРЧ необходимы его параметры (параметры ИМС преобразователя частоты К174ПС1):

- вещественная составляющая входной проводимости;

- входная емкость;

- возможное отклонение от заданного значения;

- коэффициент шума.

В качестве , , принимаем соответствующие параметры ИМС преобразователя частоты.

Расчёт УРЧ состоит из расчёта характеристик каскада для усиливаемого сигнала (по переменному току) и расчёта элементов цепей питания (по постоянному току).

Соседние файлы в предмете [НЕСОРТИРОВАННОЕ]