6.3.1. Расчёт элементов цепей питания транзистора

Исходными данными для расчета являются:

- напряжение источника питания ;

- среднее значения параметра для транзисторов данного типа ;

- минимальный ток обратно смещенного коллекторного перехода ;

- максимальная температура среды .

Выбираем ток покоя транзистора (при отсутствии генерации) .

Рассчитываем сопротивление резистора фильтра в цепи питания:

и выбираем стандартное значение .

Выбираем допустимое относительное изменение тока покоя при повышении температуры среды от до

.

Выбираем значение RЭ, удовлетворяющее условию:

.

где - теоретическое дифференциальное сопротивление эмиттерного перехода.

Рассчитанное значение оказалось менее 1 кОм, поэтому принимаем .

Выбираем

.

Определяем значение тока базового делителя

.

Рассчитываем

.

.

Выбираем стандартные значения, ближайшие к найденным с допуском + 5%:

,

.

Разделение на составляющие части производится при расчете связей контура с входной и выходной цепями транзистора.

Блокировочные и разделительные конденсаторы следует выбирать не менее 100 нФ при частотах ниже 30 МГц.

6.3.2. Расчет связей контура с входной и выходной цепями транзистора

Исходными данными для расчета связей контура с входной и выходной цепями транзистора, помимо данных предыдущего расчета, являются:

- частоты, соответствующие границам рассчитываемого диапазона с запасом по перекрытию

- ;

- ;

- коэффициент перекрытия контура гетеродина ;

- индуктивность катушки контура гетеродина = 0.1088 мкГн;

- конструктивная добротность контура ;

- амплитуда напряжения, которое надо подать на смеситель ;

- среднее значение коэффициента усиления тока транзистора в схеме ОЭ .

Рассчитываем минимальное значение добротности эквивалентного контура гетеродина на максимальной частоте генерации:

,

где .

Выбираем минимальное значение амплитуды напряжения обратной связи и рассчитываем:

.

Рассчитываем коэффициент включения контура во входную (эмиттерную) цепь транзистора:

Для получено столь малое значение, что реализовать его сложно, поэтому следует ввести . Для расчета его величины и рассчитываем:

.

,

где - минимальное значение амплитуды первой гармоники коллекторного тока, которое может быть принято равным .

Определяем напряжение, приложенное к последовательно включенным и участку эмиттер-база:

.

Рассчитываем коэффициент включения контура в выходную (коллекторную) цепь транзистора:

Проверяем, не оказался ли режим транзистора перенапряженным. Для этого находим наибольшее возможное значение амплитуды напряжения на коллекторе и сравниваем его с постоянным напряжением.

Для этого рассчитываем наибольшее возможное значение постоянной составляющей эмиттерного тока:

где - допустимое относительное изменение за счет отклонения параметра транзистора от среднего значения.

Рассчитываем максимальное значение амплитуды первой гармоники коллекторного тока и максимальное значение амплитуды коллекторного напряжения:

,

Амплитуда должна удовлетворять условию:

.

После этого выбираем сопротивления , исходя из рассчитанных значений , , и соотношений:

.

.

.

Выбираем стандартные значения с допуском + 5%:

;

;

;

.

В заключение по известным значениям , и , задаваясь значением коэффициента магнитной связи , рассчитываем и :

,

.