6.2.2. Расчёт термокомпенсации простого контура

Термокомпенсация простого контура осуществляется подбором ТКЕ добавочного конденсатора С_д1, что позволяет обеспечить α_f = 0 только в одной точке диапазона, при значении ёмкости настройки С’_н. При этом на крайних частотах диапазона(при значениях С_нмин и С_нмакс) ТКЧ контура α_fM+ и α_fM- соответственно.

Для получения α_fM+ = α_fM- значение С’_н рассчитывают так:

Далее при рассчитанном значении определяем С’_пер = - С_нмин = 21.7- 8 = 13.7 пФ. Рассчитываем нужное значение ТКЕ ёмкости из условия α_f = 0 при значении :

Рассчитываем требуемый ТКЕ добавочного конденсатора:

Конденсатор С_д1 относится к группе М150 с ТКЕ(-150*10^-6).

α’_д1 = -150*10^-6,

Рассчитываем ТКЧ контура на краях диапазона:

Определяем абсолютное значение ухода частоты при изменении температуры от 0⁰С до 50⁰С, которые даны в ТЗ:

t_мин = 0⁰С,

t_макс =50⁰С,

Проверяем выполнение условий:

Условия выполняются, следовательно, термокомпенсация контура произведена удовлетворительно.

6.3. Расчёт гетеродина на отдельном транзисторе

Построение гетеродина на отдельном транзисторе рекомендуется в том случае, когда необходимо обеспечить лучшие качественные показатели приёмного тракта: более высокую стабильность частоты, малую зависимость амплитуды генерируемых колебаний, а следовательно и крутизны преобразования от частоты настройки. При этом необходимо использовать стабилизированный источник питания.

Проектирование состоит из выбора схемы гетеродина, определения параметров элементов связи контура гетеродина с транзистором, обеспечивающих устойчивую генерацию, а также связи автогенератора с преобразователем частоты для подачи необходимого напряжения.

На рис.1 представлена схема транзисторного автогенератора, перестраиваемого в диапазоне частот, который определяется параметрами колебательного контура. напряжение, подаваемое на преобразователь частоты, снимается с резистора R_э4 в эмиттерной цепи транзистора, что обеспечивает хорошую развязку цепей автогенератора и преобразователя.

Амплитуда напряжения обратной связи, подаваемого на эмиттер (амплитуда напряжения в точке А при R_э2 = 0), необходимая для получения устойчивой генерации приблизительно равна 70…100 мВ. Если на преобразователь частоты нужно подать такое же напряжение, то резистор Rэ3 может отсутствовать.

Наличие сопротивления R_э2 не является необходимым условием для работы гетеродина. Однако при его отсутствии требуемый коэффициент включения контура во входную цепь транзистора р₁ может оказаться столь малым, что его будет трудно реализовать. Включение R_э2 позволяет увеличить р₁, так как оно принимает на себя избыточное напряжение обратной связи. Кроме того R_э2 создаёт некоторую отрицательную обратную связь по переменному току и этим несколько уменьшает амплитуды высших гармоник автогенератора.

Так как сумма сопротивлений R_э2, R_э3 и R_э4 может оказаться недостаточной для стабилизации режима транзистора оп постоянному току, то необходимо ввести R_э2, зашунтированный конденсатором С_э. Эту цепочку можно было бы включить между R_э2 и корпусом, однако практика показывает, что включение дополнительных элементов во входную цепь транзистора смесителя нежелательно.

Рис. 6. Транзисторный автогенератор