
- •Содержание
- •Введение
- •1.Теоретическая часть
- •1.1 Общие сведения о биполярных транзисторах
- •1.2 Общие сведения об электронных усилителях
- •1.3 Усилительный каскад на биполярном транзисторе с общим коллектором (эмиттерный повторитель).
- •2. Практическая часть
- •3. Расчетная часть
- •Заключение
- •Список литературы
2. Практическая часть
Для расчета выбрали схему, которая изображена на рис. 6 .
Рис 6. Электрическая принципиальная
схема усилительного каскада с ОК.
VT1, Rэ – эмиттерный повторитель.
RБ1, RБ2 – резистивный делитель напряжения для смещения рабочей точки транзистора.
С1, С2 – разделительные (фильтрующие) конденсаторы, которые свободно пропускают переменное напряжение в заданном диапазоне частот и отделяют каскад по входу и выходу по постоянному току.
Rн – сопротивление нагрузки, с которого снимают выходной сигнал.
Характерные особенности схемы:
1) Высокое входное сопротивление, значение которого достаточно стабильно.
2) Большой коэффициент усиления по току.
3) Стабильный коэффициент усиления по напряжению, близкий к единице.
4) Малое выходное сопротивление.
5) Отсутствие в рабочем диапазоне частот фазового сдвига между входным и выходным напряжениями.
Недостатки: Ограничение по сопротивлению нагрузки, так как при низкоомной нагрузке емкость конденсатора С2 должна быть очень большой.
где Iэ пок – ток эмиттера при нулевом входном сигнале Uвх; Uп – напряжение питания.
где Uэ пок – выходное напряжение эмиттерного повторителя при нулевом напряжении Uвх.
где Uб пок – входное напряжение транзистора.
где kд – коэффициент делителя напряжения.
где R вх тр – входное сопротивления транзистора; β – коэффициент передачи по току.
Входное сопротивление каскада равно эквивалентному сопротивлению параллельно соединенных RБ1, RБ2, R вх тр : Rвх=RБ1//RБ2//Rвх тр.
Выходное сопротивление каскада численно равно эквивалентному сопротивлению параллельно соединенным RЭ и Rн.
Емкость конденсаторов вычисляют по следующим формулам:
где ωн- нижняя граница частот.
3. Расчетная часть
Исходные данные к работе: Uп=5В, Rвх= 6кОм, Rвых= 2кОм, f=100Гц-10кГц.
3.1 Расчет сопротивления в цепи эмиттера:
По известному эмпирическому соотношению Rэ=(0.4..0.8)Rн. Пусть для нашей схемы Rэ=0.5Rн. Тогда из формулы для расчета Rвых имеем:
При Rвых= 2кОм из формулы (3.1) определим Rэ и Rн:
Выбираем
по ближайшему номинальному значению
из ряда Е24.
Нашему
выбору удовлетворяет резистор типа
МЛТ-0,125 с параметрами для
3.2 Расчет входного сопротивления транзистора RБVT.
RБVT= (1+β)*Rэ (3.2)
Для современных транзисторов коэффициент β=20÷1000. Пусть β=50, то входное сопротивление составит :
RБVT= (1+50)*3= 153 кОм
3.3 Расчет сопротивлений делителя:
По формуле (2.2) определим напряжение на эмиттере в режиме покоя:
По формуле (2.3) определим напряжение на базе транзистора в режиме покоя:
Запишем
уравнение
для
сопротивлений делителей:
Входное сопротивление каскада равно эквивалентному сопротивлению параллельно соединенных RБ1, RБ2, RБVT : Rвх=RБ1//RБ2// RБVT. Откуда получаем еще одно соотношение для RБ1и RБ2:
Решаем систему уравнений (3.3) и (3.4), получаем:
Из ряда Е24 номинальных значений сопротивлений выбираем для RБ1и RБ2:
Нашему выбору удовлетворяют резисторы типа МЛТ-0,125 (постоянные металлопленочные лакированные теплостойкие, 0.125 – номинальная рассеиваемая мощность) с допуском на номинальное сопротивление 10%:
3.4 Расчет емкостей для ФВЧ для входа и выхода.
Емкость конденсаторов определяется по формулам (2.6) и (2.7), которая составила:
Выбираем емкости из ряда Е12 с запасом емкости:
Для данной схемы выбираем керамические конденсаторы емкостью 0,47мкФ: К15-5 Н70 ( К - конденсатор постоянной емкости, 15 - керамические высоковольтный на номинальное напряжение до 1,6 кВ , Н70 – Группа ТКЕ) ±5%.
3.5 Выбор транзистора.
Выбранный
транзистор должен удовлетворять
следующим условиям:
Данным условиям удовлетворяет транзистор МП11А( Транзистор германиевый сплавной n-p-n усилительный низкочастотный с ненормированным коэффициентом шума на частоте 1 кГц. Предназначены для усиления сигналов низкой частоты. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Обозначение типа приводится на боковой поверхности корпуса. Масса транзистора не более 2 г. ).