Решение:

Примем, что α≈γβ≈1. Это означает, что I_Э≈ I_К. Поскольку толщина базовой области слабо влияет на величину I_КБ0, то он примерно одинаков для обоих транзисторов. В свою очередь, I_КБ0 весьма слабо влияет на I_К. Поэтому можно утверждать, что при одинаковых I_Э обоих транзисторов одинаковыми будут и их режимы. Если считать, что I_Э зависит только от инжекции носителей в базу, то применительно к диодам эмиттер-база, смещенным в прямом направлении, имеем

I_Э1≈(qSD_p p_n0/w₁)[exp(U_ЭБ1/φ_т)-1],

I_Э2≈(qSD_p p_n0/w₂)[exp(U_ЭБ2/φ_т)-1],

Поскольку напряжение приложено к диоду в прямом направления можно считать, что exp(U_ЭБ/φ_т)-1≈ exp(U_ЭБ/φ_т). По условию I_Э1= I_Э2. Тогда (1/w₁)exp(U_ЭБ1/φ_т)= (1/w₂)exp(U_ЭБ2/φ_т) и w₂/w₁= exp[(U_ЭБ2- U_ЭБ1)/φ_т].откуда имеем U_ЭБ2- U_ЭБ1= φ_т ln(1/09)=0,0227 В.

33. Кремниевый транзистор п⁺ -р-n типа имеет эффективность эмиттера 0,999, коэффициент переноса через базу 0,99 при толщине базы 0,5 мкм, N_ДЭ =10¹⁹ см^-3, N_АБ =3*10¹⁶ см^-3 и N_ДК =5*10¹⁵ см^-3. Определите, предельное напряжение на эмиттере, при котором прибор становится неуправляемым и возникает пробой. Учитывая, что частота осечки зависит от времени пролета неосновных носителей через базу, рассчитайте частоту осечки в схемах с общей базой и общим эмиттером (n_i≈1,45*10¹⁰ см^-3).