
- •Понятие о терминах «технология», «технологическая операция», «технологический процесс». Виды технологических операций.
- •Виды техпроцессов
- •Общая схема технологии производства микросхем. Подготовительные операции.
- •Подготовка подложек
- •Сущность метода осаждения пленок термическим вакуумным испарением. Упрощенная схема подколпачного устройства. Термическое вакуумное испарение (тви)
- •Критическая температура конденсации. Зависимость структуры пленки от температуры подложки.
- •6. Испарители. Виды и конструкции испарителей. Требования к материалам. Способы нагрева.
- •7. Испарение сложных материалов и сплавов. Реактивное испарение.
- •8. Сущность метода распыления материалов ионной бомбардировкой. Понятие о пороговой энергии.
- •9.Схема катодного распыления. Скорость распыления. Коэффициент распыления.
- •10.Схема вакуумной системы установки для напыления тонких пленок. Средства контроля вакуума. Ионизационный и термопарный вакуумметры.
- •Резистивный и кварцевый методы контроля параметров пленок. Назначение. Принцип действия. Применение.
- •12.Общая схема литографического процесса. Виды литографии
- •13.Позитивные и негативные фоторезисторы. Разрешающая способность. Фоточувствительность. Стойкость к воздействию агрессивных факторов.
- •1) Фоточувствительность
- •2) Разрешающая способность – r
- •14.Методы нанесения фоторезистивных покрытий. Операции совмещения и экспонирования. Контактная, бесконтактная и проекционная печать.
- •Центрифугирование Пульверизация
- •15.Формирование фоторезистивной маски. Операции проявления и термообработки. Удаление фотомаски. Особенности для негативного и позитивного фоторезиста.
- •17. Многопозиционные вакуумные установки для получения тонких пленок термическим вакуумным испарением
- •18 Технология изготовления толстопленочных микросхем. Схема технологического процесса.
- •19 Пасты для получения толстопленочных элементов микросхем. Трафаретная печать, вжигание элементов толстопленочных микросхем
- •20 Технология изготовления полупроводниковых интегральных микросхем
- •21. Транзисторы (биполярные и униполярные ). Назначение. Технология изготовления.
- •В зависимости от корпуса мс и других различных факторов число этих операций доходит до 200.
- •22. Эпитаксия. Методы получения эпитаксиальных слоев.
- •23. Термическая диффузия примесей. Методы диффузии.
- •24. Ионное легирования. Преимщества и недостатки.
- •Тема 13
- •25. Особенности металлизации поверхности кремниевых структур.
Резистивный и кварцевый методы контроля параметров пленок. Назначение. Принцип действия. Применение.
Особенности контроля параметров тонких пленок определяются их малыми толщинами (от 10 до 1000нм) и скоростью их напыления (от 1 до100нм/с). Контроль параметров пленок в процессе их напыления способствует устранению или сокращению подгонки параметров элементов после напыления. Методы контроля можно разделить на 2 группы.
1-методы контроля электрических характеристик напыляемых элементов (резистивный и емкостной датчики);
2-методы контроля основных физических характеристик, которые связаны аналитически с электрическими характеристиками пленок (кварцевый, ионизационный, интерференционный датчики).
Резистивный метод (метод «свидетеля») используется в основном для контроля сопротивления резистивных пленок. Специальную контрольную подложку с предварительно напыленными контактными площадками устанавливают в подложкодержатель рядом с рабочей подложкой или на одну из позиций на карусели подложек. С помощью прижимных контактов и проводов «свидетель» подключается в плечо моста, одно из сопротивлений которого подстроено на требуемую величину. В процессе напыления пленки сопротивление «свидетеля» достигает величины, необходимой для уравновешивания моста. Цепь обратной связи обеспечивает прекращение процесса напыления путем поворота заслонки и перекрытия потока пара.
Метод кварцевого датчика основан на измерении отклонения резонансной частоты кварцевого элемента при изменении его массы за счет напыляемой пленки. Предварительно строится градуировочный график зависимости толщины пленки от смещения частоты (рис.9).
1-кварцевый элемент; 2-держатель; 3-кожух;4- контакты; 5- охлаждающие трубки; 6 –градуировочный график.
12.Общая схема литографического процесса. Виды литографии
Литография – общий процесс переноса геометрического рисунка шаблона на другую поверхность (подложки, пластины). То есть каждому слою микросхемы соответствует свой шаблон.
С
Подготовка пластин
Нанесение резиста и сушка
Совмещение и эспонирование
Проявление изображения в резисте
Отмывка и сушка - задубливание
Отмывка от травителя
Снятие маски
Отмывка (если нужно)


Травление незащищенных резистом участков
Резисты – полимерные материалы, изменяющие свои свойства, например, растворимость, под воздействием какого-либо облучения, не поддающиеся травлению, использующиеся в качестве маски.
Существует 3 вида литографии
1)фотолитография( самый простой и способ с высокой производительностью)
2)рентгеновская литография( облучение резиста ведется с помощью рентгеновского излучения; разрешение выше чем у фотолитографии, но низкая производительность)
3) электронно-лучевая литография (облучение резиста ведется с помощью электронного пучка; разрешение больше чем у фотолитографии и ренгенолитографии, но низкая производительность и необходимость в сложном оборудовании)