1. Профилирование симметричной установкой aa'mnb'b.

Отличается от рассмотренной выше наличием второй парыпитающих электродов — А' и В', разнос которых меньше разноса электродов А и В.При каждом положении установки на профиле р_кизмеряют дважды — установкой AMNB и установкой A'MNB'. По результатам профилирования строят соответственно два графика рк — для больших и малых разносов, профилирование этой установкой позволяет изучать геологический разрез одновременно на двух глубинах. Профилирование установкой AA'MNB'B рекомендуется применять в районах с неоднородной по мощности и сопротивлению покровной толщей.

2) Комбинированное электрическое профилирование установкой amnbc∞ (кэп).

Применяют главным образом для поисков и картирования крутопадающих хорошо проводящих геологических образований — жильных тел, сложенных проводящими рудами, зон тектонических нарушений, пластов антрацита и т. п. Установка состоит из двух встречных несимметричных установок AMNи BMNс общим питающим электродом С, отнесенным в «бесконечность». Электроды А и В расположены симметрично центру приемной линии MN, являющейся общей для обеих установок. При каждом положении установки на профиле проводят два определения р_к: одно установкой AMNC_∞, другое — установкой BMNC_∞. Для каждой установки точку записи относят к центру приемной линии. В результате получают два графика каж. сопротивления.

Графики комбинированного профилирования над тонким крутопадающим хорошо проводящим

пластом. График р_к для установки AMNС_∞, слева от пласта расположится выше, а справа — ниже графика для установки BMNC_∞. Непосредственно над пластом оба графика пересекаются, образуя так называемое проводящее перекрестие.

ПолуразносAO = ¼(8h₂+(p₂/p₁)h₁).

3) Профилирование установкой с фиксированными питающими электродами (сг).

Применяют для уменьшения влияния неоднородностей поверхностей части разреза на результаты профилирования. Электроды А и В оставляют непод­вижными, а приемные электроды перемещают вдоль профилей, параллельных линии АВ. Совокупность этих профилей образует «планшет». В однородной среде напряженность поля двух точечных источников сравнительно мало изменяется в пределах средней трети расстояния АВ. В связи с этим длина профиля при съемке срединных градиентов не должна превышать одной трети расстояния между питающими заземлениями. Расстояние между крайними профилями планшета также не следует брать больше АВ/3. Величину кажущегося сопротивления при профилировании с неподвижными установками относят к центру приемной ли­нии. Иногда кажущееся сопротивление не вычисляют и при об­работке результатов наблюдений ограничиваются приведением измеренной разности потенциалов к единичному току в питаю­щей линии. Полевые работы выполняют с комплектом аппаратуры АНЧ-3 или ИКС.

4) Дипольное электрическое профилирование (дэп).

При дипольном профилиро­вании источниками поля являются электрические диполи. Уста­новка для дипольного профилирования состоит из питающих и из­мерительных диполей. Среди многочисленных дипольных установок для дипольного профилирования применяют главным образом осе­вые (односторонние или двухсторонние) и реже — параллельные установки. Наиболее простая — дипольно-осевая установка со­стоит из питающего АВ и измерительногоMNдиполей. Под раз­носом такой установки принято понимать расстояние между цен­трами диполей. За точку записи при работе с такой установкой обычно принимают центр измерительного диполя. Более полную информацию о характере геоэлектрического раз­реза можно получить путем профилирования с дипольно-осевой установкой с двумя разносами, отличающейся тем, что в ней имеются два измерительных диполя, находящихся на различных расстояниях от питающего. Это дает возможность в процессе про­филирования судить об изменении характера геоэлектрического разреза с глубиной.

Двухсторонняя дипольно-осевая установка характеризуется тем, что в ней имеются два питающих диполя — АВ и А'В', расположенных по обе стороны от измери­тельного диполяMN.При каждом положении такой установки на профиле величину р_к измеряют дважды — установками ABMNи A'B'MN. В качестве точки записи в такой установке обычно при­нимают центр измерительного диполя. Профилирование параллельной дипольной установкой обычно применяют для площадных исследований с целью геологического картирования.

Преимущество дипольного профилирования по сравнению с про­филированием в поле точечных источников — большая дифференцированность графиков р_к, т. е. большая амплитуда аномалий р_кнад локальными объектами. Существенный недостаток — большой уровень помех, обусловленный влиянием поверхностных неоднородностей, а также непостоянством сопротивления вмещающих пород.