6.1.4. Особливості розрахунків низькоомних резисторів

Якщо разом із високоомними резисторами необхідно виготовити низькоомні, доцільно для останніх вибрати конфігурацію, зображену на рис. 6.2, а (між контактними площинками 2 розташована резистивна смужка 1). Такі резистори мають малий коефіцієнт форми.

За заданими значеннями R_i і R₀ за номограмою (рис. 6.2,б) визначають коефіцієнт форми резистора n_Фі. Ширину внутрішньої контактної площинки визначають за співвідношенням (6.15), використовуючи формули:

, nФі >1;	(6.28)
bТОЧН.і= b(1+1/nФі)/КФі(1/2nФі+1)ln(1-2 nФі);	(6.29)
.	(6.30)

Якщо n_Фі < 1, l_ТОЧН.і розраховують за формулами, подібними (6.20, 6.22), з урахуванням коефіцієнта 1/(1+1/2n_Фі).

Довжина резистора l_i = b_i n_Фі повинна задовольняти умові l_i  l_min в залежності від методу формування малюнка.

6.1.5. Розрахунки підстроюваних плівкових резисторів

Підстроюваний резистор (рис. 6.3) складається із декількох заздалегідь виготовлених і певним чином з’єднаних секцій резистивної смужки. Процес підстроювання полягає у виключенні із системи або вмиканні в систему окремих підстроювальних секцій резистора. Підстроювання дозволяє отримати значення опору резистора з відносною похибкою на момент виготовлення ± (1-2) %, а в технічно виправданих випадках - ± 0,5 %.

Для розрахунків підстроюваних резисторів повинні бути задані: R_i, _Ri, P_Ri та інші параметри. Матеріали і методи нанесення шарів і формотворення вибирають відповідно до методик, викладених в параграфі 6.1.1.

Якщо досяжна відносна похибка _RД > _Ri то в умовах даного виробництва можливо виготовити резистори тільки з елементами підстроювання або підгонки.

Підстроювання високоомного резистора. Високоомні резистори підстроюють послідовним приєднанням до основної частини резистора R_ОСН (рис.6.З,а) низькоомних підстроювальних резисторів (секцій). Підстроювання здійснюють перерізанням провідників, що закорочуванням секцій.

Розрахунок проводять у такій послідовності:

а) визначають значення опору основної частини резистора

RОСН.i = Ri (1+Ri) /(1+RДі);

(6.31)

б) визначають опір підстроювальної частини резистора

;

(6.32)

в) визначають значення опору першої секції

;

(6.33)

г) опір кожної наступної секції подвоюється в порівнянні з попередньою

,

(6.34)

де j-номер секції.

Якщо , вибирають таким чином, щоб виконувалося співвідношення, , де n -натуральне число.

Число секцій збільшують доти, доки сума їх опорів перевищить після чого опір останньої секції треба зменшити, щоб виконати умову

;

(6.35)

д) розраховують розміри кожної секції як окремого резистора за методиками, викладеними в параграфі 6.1.2. Для спрощення конструкції ширину підстроювальних секцій резистора вибирають рівній ширині резистора основної секції. У деяких випадках доцільно задатися довжиною першої секції для вибраного методу формотворення малюнка. Визначають . Якщо , то за ширину секції приймають значення і знаходять нове значеня ;

е) вибирають ширину з’єднувальних провідників ; визначають ширину контактної площинки , де l_к довжина контактного переходу і визначають (рис. 6.3,а).

Підстроювання низькоомного резистора. Низькоомні резистори підстроюють паралельним приєднанням до основної секції резистора R_ОСН високоомних підстроювальних резисторів (рис. 6.3,б). Розрахунок виконують у такій послідовності:

а) визначають значення опору резистора основної секції

;

(6.36)

б) визначають значення опору N-ої секції

;

(6.37)

в) опір кожної попередньої секції зменшують у 2 рази у порівнянні з наступною

,

(6.38)

де N -число секцій підстроювання.

Число секцій N підбирають таким, щоб загальний опір підстроювального резистора дорівнював

.

(6.39)

Для резисторов із трьома підстроювальними секціями можна забезпечити відносну похибку опору резистора після підстроювання (1-10) % за досяжної відносної похибки (4 -40)% . Підстроювання здійснюють перерізанням провідників.