- •Розділ 6. Розрахунки і проектування резисторів
- •6.1. Короткі теоретичні відомості
- •6.1.1. Плівкові резистори
- •6.1.2. Розрахунки резисторів
- •6.1.3. Визначення конфігурації резисторів
- •6.1.4. Особливості розрахунків низькоомних резисторів
- •6.1.5. Розрахунки підстроюваних плівкових резисторів
- •6.1.6. Особливості розрахунків товстоплівкових резисторів
- •6.1.7. Розрахунок контактного переходу резистивная смужка - контактна площинка
- •6.1.8. Особливості конструкцій і розрахунків напівпровідникових резисторів
- •6.2. Приклад розвязування задачі
- •Рекомендована література
- •Розділ 7. Розрахунки і проектування конденсаторів
- •7.1. Короткі теоретичні відомості
- •7.1.1. Плівкові конденсатори
- •7.1.2. Розрахунки конденсаторів
- •7.1.3. Конденсатори напівпровідникових мікросхем
- •7.2. Приклад розв’язування задачі
- •Рекомендована література
- •Розділ 8. Розрахунки і проектування rc-структур
- •8.1. Короткі теоретичні відомості
- •8.1.1. Плівкові rc – структури
- •8.1.2. Розрахунки однорідних rc-структур
- •8.2. Приклад розв’язування задачі
- •Рекомендована література
- •Розділ 9. Розрахунки і проектування індуктивних елементів
- •9.1. Короткі теоретичні відомості
- •9.1.1. Плівкові індуктивні елементи
- •9.1.2. Розрахунки індуктивних елементів
- •9.2. Приклад розв'язування задачі
- •Рекомендована література
9.2. Приклад розв'язування задачі
Умова задачі.
Розрахувати розміри і розробити конструкцію плівкової плоскої спіралі квадратної форми, виконаної на ситаловій підложці (СТ50-1). Значення індуктивності 0,5 мкГн, робоча частота – 100 МГц, добротність – не менше 50.
Розв'язування задачі.
1. Вибирають матеріалом провідника спіралі мідь з питомим опором = 1,72 10-8 Омм і розраховують глибину скін - шару δ на частоті 100 МГц за формулою (9.20):
, |
|
|
|
2. Визначають товщину провідника плоскої спіралі:
|
|
|
|
Провідник плоскої спіралі створюють напиленням тонкої плівки з наступним формотворенням фотолітографією і гальванічним нарощуванням до 20 мкм.
3. Виходячи з технологічних обмежень (метод формотворення – фотолфтографія), вибирають ширину провідника b = bmin = 100 мкм і відстань між провідниками a = amin = 100 мкм і визначають крок спіралі t =( a + b) = 200 мкм.
Вибирають відношення k = D1/D2.. Для квадратної спіралі приймають k = 0,25.
Визначають зовнішній розмір D2 квадратної спіралі . Розрахунки виконують за формулою (9.21):
|
|
|
|
де T= 28,4 Гн/м.
Визначають внутрішній розмір D1 квадратної спіралі. Розрахунки виконують за формулою (9.22):
|
|
|
|
7. Розраховують число витків квадратної спіралі. Розрахунки виконують за формулою (9.23):
|
|
|
|
Розраховують погонну ємність між двома сусідніми витками CП . Розрахунки виконують за формулою (9.13):
|
|
|
|
де П = 8 -відносна діелектрична проникність ситалової підложки (табл. Д.2.2.).
Розраховують власну ємність плівкової індуктивності. Розрахунки виконують за формулою (9.12):
|
|
|
|
де l1 4D1 = 1,5 4 = 6 мм – середня довжина першого (внутрішнього) витка.
Розраховують діелектричні втрати в підложці. Розрахунки виконують за формулою (9.9):
|
|
|
|
де
= 210-4
– тангенс діелектричних утрат в підложці
(табл. Д.2.2.).
Розраховують довжину провідника lK квадратної спіралі. Розрахунки виконують за формулою (9.15):
|
|
|
|
Розраховують опір матеріалу спіралі з урахуванням поверхневого ефекту. Розрахунки виконують за формулою (9.10):
|
|
|
|
де,
=
.
Розраховують добротність квадратної спіралі. Розрахунки виконують за формулою (9.8):
|
|
|
|
Розрахована добротність квадратної спіралі Q = 124 50. Умови задачі виконані повністю. Розроблена конструкція індуктивного елемента у формі квадратної спіралі зображена на рис. 9.3.

,
м
6 мм,
Ф/м,