Рекомендована література
Прищепа М. М. Мікроелектроніка. В 3 ч. Ч. 1. Елементи мікроелектроніки [Текст]: навч. посіб. / М. М. Прищепа, В. П. Погребняк. / За ред. М. М. Прищепи. – К.: Вища шк., 2004. – 431 с.: іл.
Прищепа М. М. Мікроелектроніка. Елементи мікросхем. Збірник задач. [Текст]: навч. посіб. / М. М. Прищепа, В. П. Погребняк. / За ред. М. М. Прищепи. – К.: Вища шк., 2005. – 167 с.: іл.
Конструирование и технология микросхем. Курсовое проектирование: Учеб. пособие для вузов по спец. “Конструирование и производство радиоапаратуры” / Коледов Л.А. и др.; Под ред. Л.А. Коледова. – М.: Высш. шк. 1984. – 271 с.: ил.
Матсон Э.А., Крыжановский Д.В. Справочное пособие по конструированию микросхем. – Минск: Вышейшая школа. 1982. – 224 с.: ил.
Справочник по расчету и конструированию СВЧ полосковых устройств / С. И. Бахарев, В. И. Вольман, Ю. Н. Либ и др.; Под ред. В. И. Вольмана. – М.: Радио и связь, 1982. – 328 с., ил.
Розділ 8. Розрахунки і проектування rc-структур
8.1. Короткі теоретичні відомості
8.1.1. Плівкові rc – структури
Плівкові RC-структури з розподіленими параметрами використовують у мікросхемах як фільтри, фазозсуваючі елементи, а також елементи селективного зворотного зв'язку при побудові активних фільтрів. Найбільше застосування знайшли два типи RC-структур: R-C-NR і С-R-NС (рис. 8.1, а, б). RC- структури, у яких параметри по довжині не змінюються, називаються однорідними.
Однорідні RC-структури, як правило, виконують на окремій платі у вигляді прямокутної п'ятишарової структури, що складається з провідникових, діелектричних і резистивних плівок (рис. 8.1, в). Основною характеристикою однорідної RC–структури з розподіленими параметрами є стала часу
|
(8.1) |
де
-
довжина резистора.
Амплітудно-частотна і фазо-частотна характеристики трьохполюсної однорідної RC-структури зображені на рис. 8.1, д. RC-структури з розподіленими параметрами мають фазове зміщення набагато більше ніж можна це забезпечити за допомогою одного RC- ланцюжка на дискретних елементах.
Для побудови мікроелектронних пристроїв частотної селекції використовують RС- нульові фільтри (рис. 8.2, а). У цих фільтрів на частоті 0 коефіцієнт передавання дорівнює нулю (рис. 8.2, б):
|
(8.2) |
|
(8.3) |
,
де М і N - величини, що визначають вид необхідної амплітудно-частотної характеристики. Для нульових фільтрів M = 0RC = 11,12, N = 0,0563.
Для
розрахунків RC
- структури повинні бути задані зі
схемотехнічного розрахунку: опір
резистивної плівки R; розсіювана
резистором потужність Р; ємність
структури С; робоча напруга UР,
відносна похибка сталої часу структури
,
або відносна дисперсія сталої часу
;
частоти зрізу для фільтрів високої або
низької частоти; частота резонансу для
смугових фільтрів; частота режекції
для нульових фільтрів; параметр М; умови
експлуатації; технологічні обмеження
й інші вимоги й обмеження, сформульовані
в ТЗ.
Розрахунки і конструювання RC-структур виконують у такій самій послідовності, як розрахунок резисторів і конденсаторів. Спочатку вибирають матеріали (за критеріями, використовуваними при конструюванні резисторів і конденсаторів) і, орієнтовно, визначають R0 резистивної плівки і питому ємність С0. Вибирають методи нанесення резистивної і діелектричної плівок і методи формотворення малюнка шарів.