Контакт двух полупроводников

Контакт двух полупроводников с различными типами проводимости

называется электронно-дырочный переход (n-p-переход).

В результате перехода электронов из n-полупроводника в p-полупроводник

и переходом дырок в обратном направлении образуется двойной

электрический слой в p-n-переходе (так как Ap > An, где Ap и An работы

выхода электрона из полупроводников p и n типа). В этом случае

наблюдается избыток положительных донорных ионов в контактной области

n-типа и избыток отрицательных акцепторных ионов в контактной области р-

типа. Следовательно, контактная область двух полупроводников обеднена в

основных носителях и обладает ослабленной проводимостью, то есть

представляет запирающий слой. Толщина p-n-перехода d в практически

важных случаях составляет 10^-4 – l0^-5 см.

Действие p-n-перехода, обладающего односторонней проводимостью, подобно выпрямляющему эффекту двухэлектродной лампы, диода. Полупроводник с p-n-переходом называется полупроводниковым диодом.

Вольт-амперная характеристика полупроводниковых диодов.