Добавил:
Upload
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз:
Предмет:
Файл:УчП2_УФИ_ДПП_ДС_Ф9 _Электроника_2.doc
X
- •Часть II
- •I. Контрольные задания по курсу «электроника» Общие методические указания к контрольным заданиям
- •1. Предварительные теоретические сведения
- •1.1. Биполярные транзисторы
- •1.1.1. Устройство и принцип действия биполярного транзистора
- •1.1.2. Режимы работы транзистора
- •1.1.3. Схемы включения.
- •1.1.4. Физическая модель биполярного транзистора (модель Эберса-Молла)
- •1.1.5. Статические характеристики
- •Характеристики схемы включения транзистора с об
- •Характеристики схемы включения с оэ
- •1.1.6. Дифференциальные параметры транзистора
- •1.1.7. Система h-параметров
- •1.1.8. Определение h-параметров транзистора по статическим характеристикам
- •1.1.9. Схема замещения транзистора для малого сигнала.
- •1.1.10. Роль коллекторной емкости транзистора
- •1.1.11. Транзистор в режиме усиления
- •1.1.12. Основные параметры режима усиления
- •1.1.13. Нагрузочные характеристики транзистора
- •1.1.14. Связь коэффициентов усиления с h-параметрами
- •1.1.15. Усилительные свойства транзистора при различных способах включения
- •1.1.16. Основные способы задания рабочей точки на входных вах биполярного транзистора
- •1.1.17. Ключевой режим работы биполярного транзистора
- •1.1.18. Переходные процессы в биполярном транзисторе
- •1.2. Полевые транзисторы
- •1.2.1. Полевой транзистор с управляющим p-n-переходом
- •1.2.2. Транзистор с p-n- затвором
- •1.2.3. Вольтамперные характеристики полевого транзистора с p-n-переходом
- •1.2.4. Транзисторы с изолированным затвором (мдп-транзисторы)
- •1.2.5. Вольтамперные характеристики мдп-транзисторов
- •1.2.6. Дифференциальные параметры полевых транзисторов
- •1.2.7. Частотные свойства полевых транзисторов
- •1.2.9. Усилительный режим полевых транзисторов
- •1.2.10. Ключевой режим работы полевых транзисторов
- •1.2.11. Переходные процессы в полевом транзисторе
- •2. Постановка и содержание заданий
- •Задание 1
- •Задание 2
- •Задание 3
- •Задание 4
- •Задание 5
- •Задание 6
- •2.1. Указания по выполнению заданий
- •2.1.1. Указания к заданию 1
- •2.1.2. Указания к заданию 2
- •2.1.3. Указания к заданию 3
- •2.1.4. Указания к заданию 4
- •2.1.5. Указания к заданию 5
- •2.1.6. Указания к заданию 6
- •3.1. Примеры решения заданий
- •3.1.1. Пример решения задания 1
- •3.1.2. Пример решения задания 2
- •3.1.3. Пример решения задания 3
- •3.1.4. Пример решения задачи 4
- •3.1.5. Пример решения задачи 5
- •3.1.1. Пример решения задачи 6
- •II. Вопросы к тестам по курсу «электроника и микроэлектроника» Общие методические указания к тестовым заданиям
- •Тест «Основы электроники», «Полупроводниковые диоды»
- •Полупроводниковый диод включен в прямом направлении, если:
- •Полупроводниковый диод включен в обратном направлении, если:
- •Сравните значения прямого и обратного напряжений полупроводникового выпрямительного диода:
- •Тест «Основы электроники» «Полупроводниковые транзисторы»
- •Тест «Основы электроники» «Интегральные микросхемы»
- •Приложение 1 Статические характеристики транзисторов
- •Приложение 2
- •Приложение 3
- •Приложение 4
Приложение 4
Министерство образования и науки Российской Федерации
Федеральное агентство по образованию
Государственное образовательное учреждение
Высшего профессионального образования
«Магнитогорский Государственный Университет»
КОНТРОЛЬНАЯ РАБОТА №1
по курсу «Электроника»
Расчёт разветвлённой электрической цепи синусоидального тока
Выполнил:(Ф.И.О., курс, группа, специальность)
Проверил:
Магнитогорск 2010
Соседние файлы в предмете [НЕСОРТИРОВАННОЕ]