
- •Часть II
- •I. Контрольные задания по курсу «электроника» Общие методические указания к контрольным заданиям
- •1. Предварительные теоретические сведения
- •1.1. Биполярные транзисторы
- •1.1.1. Устройство и принцип действия биполярного транзистора
- •1.1.2. Режимы работы транзистора
- •1.1.3. Схемы включения.
- •1.1.4. Физическая модель биполярного транзистора (модель Эберса-Молла)
- •1.1.5. Статические характеристики
- •Характеристики схемы включения транзистора с об
- •Характеристики схемы включения с оэ
- •1.1.6. Дифференциальные параметры транзистора
- •1.1.7. Система h-параметров
- •1.1.8. Определение h-параметров транзистора по статическим характеристикам
- •1.1.9. Схема замещения транзистора для малого сигнала.
- •1.1.10. Роль коллекторной емкости транзистора
- •1.1.11. Транзистор в режиме усиления
- •1.1.12. Основные параметры режима усиления
- •1.1.13. Нагрузочные характеристики транзистора
- •1.1.14. Связь коэффициентов усиления с h-параметрами
- •1.1.15. Усилительные свойства транзистора при различных способах включения
- •1.1.16. Основные способы задания рабочей точки на входных вах биполярного транзистора
- •1.1.17. Ключевой режим работы биполярного транзистора
- •1.1.18. Переходные процессы в биполярном транзисторе
- •1.2. Полевые транзисторы
- •1.2.1. Полевой транзистор с управляющим p-n-переходом
- •1.2.2. Транзистор с p-n- затвором
- •1.2.3. Вольтамперные характеристики полевого транзистора с p-n-переходом
- •1.2.4. Транзисторы с изолированным затвором (мдп-транзисторы)
- •1.2.5. Вольтамперные характеристики мдп-транзисторов
- •1.2.6. Дифференциальные параметры полевых транзисторов
- •1.2.7. Частотные свойства полевых транзисторов
- •1.2.9. Усилительный режим полевых транзисторов
- •1.2.10. Ключевой режим работы полевых транзисторов
- •1.2.11. Переходные процессы в полевом транзисторе
- •2. Постановка и содержание заданий
- •Задание 1
- •Задание 2
- •Задание 3
- •Задание 4
- •Задание 5
- •Задание 6
- •2.1. Указания по выполнению заданий
- •2.1.1. Указания к заданию 1
- •2.1.2. Указания к заданию 2
- •2.1.3. Указания к заданию 3
- •2.1.4. Указания к заданию 4
- •2.1.5. Указания к заданию 5
- •2.1.6. Указания к заданию 6
- •3.1. Примеры решения заданий
- •3.1.1. Пример решения задания 1
- •3.1.2. Пример решения задания 2
- •3.1.3. Пример решения задания 3
- •3.1.4. Пример решения задачи 4
- •3.1.5. Пример решения задачи 5
- •3.1.1. Пример решения задачи 6
- •II. Вопросы к тестам по курсу «электроника и микроэлектроника» Общие методические указания к тестовым заданиям
- •Тест «Основы электроники», «Полупроводниковые диоды»
- •Полупроводниковый диод включен в прямом направлении, если:
- •Полупроводниковый диод включен в обратном направлении, если:
- •Сравните значения прямого и обратного напряжений полупроводникового выпрямительного диода:
- •Тест «Основы электроники» «Полупроводниковые транзисторы»
- •Тест «Основы электроники» «Интегральные микросхемы»
- •Приложение 1 Статические характеристики транзисторов
- •Приложение 2
- •Приложение 3
- •Приложение 4
Приложение 1 Статические характеристики транзисторов
Рис.П.4. Входная
характеристика для активного режима
(а)
и выходные характеристики (б)
мощного транзистора n-p-n.
а)
б)
Рис.П.7. Передаточные
(а)
и выходные (б)
характеристики МДП-транзистора со
встроенным n-каналом.
Приложение 2
Высокочастотные параметры полевых и биполярных транзисторов
Высокочастотные параметры биполярных транзисторов Таблица П1
Тип |
│β│ |
f, МГц |
CК, пФ |
CЭ, пФ |
ос, нс |
IК, мА |
КТ301А |
1,5 |
20 |
10 |
80 |
2 |
2 |
КТ301Ж |
3 |
20 |
10 |
80 |
2 |
2 |
КТ340 |
3 |
100 |
4 |
14 |
0,15 |
3 |
Высокочастотные параметры полевых транзисторов Таблица П2
Тип |
Свх, пФ |
СЗС, пФ |
CСП, пФ |
UCИ, В |
КП313 |
7 |
1 |
4,5 |
10 |
КП302 |
20 |
8 |
1 |
7 |
КП303 |
6 |
1 |
0,5 |
10 |
Приложение 3
Таблица вариантов заданий
Варианты заданий для нечетной последней цифры Таблица П1
№ |
Задача 1 Транзистор КТ301А |
Задача 3 Транзистор КП302А |
Задача 5 Транзистор КТ340 |
||||||
U0КЭ В |
I0К мА |
EС В |
RС кОм |
U0ЗИ В |
UmЗИ В |
ЕЛ В |
RK кОм |
||
|
20 |
2,5 |
12 |
3,0 |
-0,75 |
0,3 |
10 |
2 |
|
|
20 |
3 |
12 |
2,4 |
-0,75 |
0,5 |
10 |
1.5 |
|
|
20 |
4 |
12 |
2,0 |
-0,75 |
0,5 |
10 |
1,3 |
|
|
20 |
5 |
12 |
1,7 |
-0,5 |
0,5 |
10 |
1,2 |
|
|
20 |
6 |
12 |
1,5 |
-0,5 |
0,5 |
10 |
1,0 |
|
|
15 |
7 |
12 |
1,3 |
-0,5 |
0,5 |
10 |
0,9 |
|
|
15 |
6 |
12 |
1,2 |
-0,5 |
0,5 |
10 |
0,8 |
|
|
15 |
5 |
12 |
1,1 |
-0,5 |
0,5 |
10 |
0,7 |
|
|
15 |
4 |
12 |
1,0 |
-0,5 |
0,5 |
10 |
0,6 |
|
|
15 |
3 |
10 |
2,5 |
-0,75 |
0,25 |
10 |
0,5 |
Варианты заданий для четной последней цифры Таблица П2
№ |
Задача 2. Транзистор КТ819 |
Задача 4. Транзистор КП302А |
Задача 6. Транзистор КП313 |
||||||
EК В |
RК, Ом |
I0Б, мА |
ImБ, мА |
I0С, мА |
U0С, В |
EС, В |
RС, кОм |
В |
|
|
10 |
2 |
100 |
50 |
1,0 |
3 |
10 |
10 |
2,0 |
|
10 |
2 |
60 |
40 |
2,3 |
3 |
10 |
10 |
1,75 |
|
10 |
2 |
50 |
40 |
4,3 |
3 |
10 |
10 |
1,5 |
|
10 |
2 |
40 |
40 |
6,9 |
3 |
10 |
10 |
1,25 |
|
10 |
2 |
20 |
30 |
9,6 |
3 |
10 |
5 |
2,0 |
|
9 |
1,8 |
100 |
50 |
1,0 |
4 |
10 |
5 |
1,75 |
|
9 |
1,8 |
60 |
40 |
2,4 |
4 |
10 |
5 |
1,5 |
|
9 |
1,8 |
50 |
40 |
4,4 |
4 |
10 |
5 |
1,25 |
|
9 |
1,8 |
40 |
40 |
7,0 |
4 |
10 |
3,3 |
2,0 |
|
9 |
1,8 |
20 |
30 |
9,7 |
4 |
10 |
3,3 |
1,75 |