8. Сравните значения прямого и обратного напряжений полупроводникового выпрямительного диода:

Прямое напряжение полупроводникового выпрямительного диода больше обратного напряжения

Прямое напряжение полупроводникового выпрямительного диода меньше обратного напряжения

Прямое напряжение полупроводникового выпрямительного диода сравним по-своему абсолютному значения с обратным напряжением

Данный вопрос имеет смысл лишь при указании материала, из которого изготовлен полупроводниковый диод, т.к. в зависимости от этого прямое напряжение может быть как больше, так и меньше обратного напряжения

9. Преимуществом германиевых выпрямительных диодов перед кремниевыми является:

более высокое обратное напряжение

минимальный обратный ток

более высокая допустимая температура

небольшое падение напряжения на переходе при прямом включении

10. Какой из элементов является базовым при производстве полупроводниковых приборов?

Германий

Кремний

Мышьяк

11. Электрическая цепь состоит из источника постоянного тока, выпрямительного диода и вольтметра. Вольтметр зафиксировал прямое напряжение 1В. После этого диод удалили из цепи и, развернув на 180 градусов, включили обратно в цепь. Как изменилось показание вольтметра?

Стало больше, чем 1В

Стало меньше, чем 1В

Не изменилось

12. Величина допустимого обратного напряжения на переходе кремниевых диодов составляет:

100-400 В

400-1000 В

1000-1500 В

1500-2000 В

13. Падение напряжения на переходе у кремниевых выпрямительных диодов при прямом включении составляет:

0,4 В

1 В

1,5 В

2 В

14. Допустимая температура на переходе кремниевых диодов составляет:

50 С

100 С

150 С

200 С

15. Электрическая цепь состоит из источника постоянного тока, выпрямительного диода и вольтметра. Вольтметр зафиксировал обратное напряжение 10 В. После этого поменяли полярность внешнего источника постоянного напряжения. Как изменилось показание вольтметра?

Стало больше, чем 10 В

Стало меньше, чем 10 В

Не изменилось

16. Прямое дифференциальное сопротивление полупроводникового диода равно:

Rпр= Uпр/ Iпр

Rпр= Iпр/ Uпр

Rпр=Uпр/Iпр

Rпр=Uпр.ср./Iпр.ср.

Rпр=Iпр.ср./Uпр.ср.

17. Что показывает ВАХ полупроводникового диода?

Зависимость величины электрического тока через диод от величины и полярности приложенного к диоду напряжения

Зависимость величины напряжения на диоде от величины электрического тока через диод

Зависимость величины электрического тока через диод от времени

Зависимость величины электрического тока через диод от частоты

Зависимость величины электрического тока через диод от температуры

18. Как на электрической схеме определить способ включения полупроводникового диода?

Если направление электрического тока от внешнего источника, совпадает с направлением стрелки условного обозначения диода на схеме, то диод включен в прямом направлении

Если направление электрического тока от внешнего источника, совпадает с направлением стрелки условного обозначения диода на схеме, то диод включен в обратном направлении

Если направление электрического тока от внешнего источника, не совпадает с направлением стрелки условного обозначения диода на схеме, то диод включен в прямом направлении

Если направление электрического тока от внешнего источника, не совпадает с направлением стрелки условного обозначения диода на схеме, то диод включен в обратном направлении.

19. Электрическая цепь состоит из источника постоянного напряжения, выпрямительного диода и амперметра. Амперметр зафиксировал прямой ток 10 ma. После этого на источнике питания поменяли полярность приложенного напряжения. Как изменилось показание амперметра?

Не изменилось

Стало больше, чем 10mA

Стало меньше, чем 10mA

Данный вопрос имеет смысл лишь при указании материала, из которого изготовлен полупроводниковый диод, т.к. в зависимости от этого показания амперметра могут увеличиться или уменьшиться

20. Допустимая температура на переходе германиевых диодов составляет:

50 С

100 С

150 С

200 С

21. Какой из символов в обозначении на электрических схемах полупроводниковых диодов является обязательным?

Окружность

Наклонная черта

Треугольник

Квадрат

22. Электрический ток в полупроводниковом диоде образован движением:

Электронов

Дырок

Электронов и дырок

Электронов и ионов

23. Чем отличается форма прямой ветви ВАХ реального полупроводникового выпрямительного диода от соответствующей ветви идеального диода?

Отличия нет

Отличие в форме прямой ветви ВАХ: у реального полупроводникового диода она имеет вид экспоненты, а у идеального - вид прямой, расположенной под углом в оси напряжения

Отличие в форме прямой ветви ВАХ: у реального полупроводникового диода она имеет вид прямой, расположенной под углом в оси напряжения, а у идеального- вид экспоненты

24. Основной характеристикой диода является:

Частотная характеристика

Динамическая характеристика

Вольтамперная характеристика

Амплитудная характеристика

25. Возможности полупроводниковых выпрямительных диодов характеризуют параметры:

средний выпрямленный ток I_{пр ср}

материал, из которого изготовлен диод

плоскостная конструкция

способ охлаждения перехода

26. Возможности полупроводниковых выпрямительных диодов характеризуют параметрами:

среднее прямое напряжение

плоскостная конструкция

способ охлаждения перехода

материал, из которого изготовлен диод

27. Возможности полупроводниковых выпрямительных диодов характеризуют параметрами:

материал, из которого изготовлен диод

способ охлаждения перехода

средний обратный ток

плоскостная конструкция

28. Возможности полупроводниковых выпрямительных диодов характеризуют параметрами:

способ охлаждения перехода

максимально допустимое обратное напряжение

материал, из которого изготовлен диод

плоскостная конструкция

29. При маркировке полупроводниковых диодов малой мощности в цифровой системе обозначения второй элемент обозначает:

Исходный материал

Подкласс (группу) прибора

Назначение и свойства прибора

Разновидность типа из данной группы

30. Возможности полупроводниковых выпрямительных диодов характеризую параметрами:

максимально допустимая рассеиваемая мощность диода

материал, из которого изготовлен диод

плоскостная конструкция

способ охлаждения перехода

31. Высокочастотные диоды – это:

полупроводниковые диоды, работающие на частотах несколько десятков мегагерц и выше

диоды, имеющие точечную конструкцию

диоды, обладающие небольшой барьерной емкостью

диоды, имеющие малое время жизни неосновных носителей

32. Емкость высокочастотных диодов составляет величину:

десятые доли пикофарад

единицы пикофарад

десятки пикофарад

сотни пикофарад

33. Назовите прибор, принадлежащий к подклассу полупроводниковых диодов, в работе которого используется барьерная емкость запертого p-n-перехода?

Стабилитрон

Варикап

Туннельный диод

Импульсный диод

34. Основным элементом в электрической цепи параметрического стабилизатора является:

Стабилитрон

Варикап

Туннельный диод

Импульсный диод

35. Импульсные диоды – это:

диоды, отличающиеся высоким быстродействием

диоды, имеющие точечную конструкцию

диоды, изготовленные из германия

диоды, имеющие малую барьерную емкость

36. Для оценки инерционных свойств импульсных диодов используются специфические параметры:

дифференциальные сопротивления

время восстановления обратного сопротивления

максимальная рабочая температура

максимальное значение обратного напряжения

37. В чем отличие обратной ветви ВАХ реального полупроводникового выпрямительного диода от соответствующей ветви идеального диода?

Различия нет

Обратная ветвь ВАХ реального полупроводникового выпрямительного диода расположена ниже оси обратных напряжений, а обратная ветвь ВАХ идеального полупроводникового диода совпадает с осью обратных напряжений

Обратная ветвь ВАХ идеального полупроводникового выпрямительного диода расположена ниже оси обратных напряжений, а обратная ветвь ВАХ реального полупроводникового диода совпадает с осью обратных напряжений

38. Сравните значения прямого и обратного сопротивлений полупроводникового выпрямительного диода:

Rпр>Rобр

Rпр<Rобр

Rпр=Rобр

39. Сравните значения прямого и обратного тока полупроводникового выпрямительного диода:

Iпр>Iобр

Iпр<Iобр

Iпр=Iобо

40. Сравните значения прямого и обратного напряжения полупроводникового выпрямительного диода:

Uпр>Uобр

Uпр<Uобр

Uпр=Uобо

41. Какая из функций наиболее полно отражает зависимость прямого тока через полупроводниковый диод от величины прямого напряжения на нем?

Парабола

Гипербола

Экспонента

Прямая линия

42. Диоды с накоплением заряда (ДНЗ) обладают особенностью:

у них в базе создано тормозящее поле и происходит накопление у границы перехода неосновных носителей

у них малая площадь перехода

имеют малую барьерную емкость

имеют высокое допустимое обратное напряжение

43. Диод Шоттки, применяемый в импульсных схемах, это:

диод, основой которого является выпрямляющий контакт металла с полупроводником

диод с малой площадью перехода

диод с малой барьерной емкостью

диод с низким обратным напряжением

44. Импульсные диоды обладают специфическими параметрами:

время восстановления обратного сопротивления

время жизни неосновных носителей

время пролета носителей через область базы

45. Туннельный диод – это диод:

обладающий высокой концентрацией примесей (10¹⁸÷10¹⁹ )

обладающий малой толщиной запирающего слоя

имеющий малую площадь перехода

имеющий малую барьерную емкость

46. Что определяет отношение ?

усилительные свойства туннельного диода

переключательные свойства туннельного диода

генераторные свойства туннельного диода

47. Использование туннельного диода в качестве генератора объясняется:

наличием емкости p-n перехода

наличием отрицательного дифференциального сопротивления на участке характеристики

наличием малого постоянного сопротивления перехода

48. Туннельные диоды обладают чрезвычайно малой инерционностью, так как:

имеют малую диффузионную емкость

перенос тока осуществляется основными носителями

имеют малую толщину p-n перехода

имеют малую площадь перехода

49. Есть ли различие во внешнем виде ВАХ полупроводникового выпрямительного диода и ВАХ полупроводникового стабилитрона?

Различия нет, так как оба прибора принадлежат к классу диодов

Различие только в прямой ветви ВАХ, обратные ветви приборов совпадают

Различие только в обратной ветви ВАХ, прямые ветви приборов совпадают

Различие в углах наклона прямой и обратной ветвей ВАХ к оси напряжения

50. Стабилитрон – это:

полупроводниковый диод, работающий в режиме электрического пробоя

полупроводниковый диод, обладающий высокой концентрацией примесей

полупроводниковый диод, имеющий малое значение барьерной емкости

полупроводниковый диод, обладающий малым дифференциальным сопротивлением

51. Стабилитроны изготавливаются из:

германия

арсенида галлия

кремния

кремния и германия

52. Для стабилизации напряжения в электрической цепи использовался полупроводниковый диод, у которого изменения тока на каждые 10 mA, вызывалось изменением напряжения на 1 В. Возможна ли стабилизация напряжения в такой цепи?

Возможна

Не возможна

Возможна, если использовать два последовательно соединенных диода

53. Напряжение стабилизации стабилитрона зависит от:

концентрации примесей в областях диода

дифференциального сопротивления диода

емкости перехода

54. Наименьшее напряжение стабилизации стабилитронов составляет:

десятые доли вольт

единицы вольт

десятки вольт

сотни вольт

55. Максимальное напряжение стабилизации у кремниевого стабилитрона составляет:

единицы вольт

десятки вольт

сотни вольт

тысячи вольт

56. Варикап – это:

полупроводниковый диод, напряжение стабилизации которого меняется в широких пределах

полупроводниковый диод, который используется для генерации и усиления электрических колебаний

полупроводниковый диод, барьерная емкость которого меняется в широких пределах при изменении приложенного напряжения

57. В режиме обратного включения работают полупроводниковые диоды:

выпрямительные и варикапы

стабилитроны и варикапы

стабилитроны и детекторы

варикапы и туннельные

58. Минимальная температура, при которой могут работать полупроводниковые приборы, составляет:

0 С

–60 С

–100 С

–150 С

59. Максимальная рабочая температура для германиевых полупроводниковых приборов составляет:

+50 С

+110 С

+150 С

+200 С

60. Максимальная рабочая температура для кремниевых полупроводниковых приборов составляет:

+50 С

+100 С

+200 С

+300 С

61. Величина напряжения стабилизации кремниевых стабилитронов определяется:

концентрацией примесей доноров и акцепторов

площадью перехода

шириной базовой области

шириной области эмиттера

62. После прекращения воздействия p-n переход восстанавливает свои свойства:

при тепловом пробое

при электрическом туннельном и лавинном пробое

при электрическом и тепловом пробое

в любом случае

63. При одинаково высокой концентрации акцепторной и донорной примесей в полупроводнике он превращается в:

диэлектрик

проводник

линейный полупроводниковый резистор

64. Какая емкость перехода (барьерная или диффузионная) имеет большую величину:

барьерная емкость

диффузионная емкость

емкости имеют одинаковую величину

65. Какова должна быть толщина базы полупроводникового прибора по сравнению с диффузионной длиной неосновных носителей?

толщина базы меньше диффузионной длины

толщина базы больше диффузионной длины

толщина базы равна диффузионной длине

66. Диод Шоттки – это:

полупроводниковый диод с выпрямляющим контактом металл-полупроводник

диод с накоплением заряда

обычный полупроводниковый диод с малой барьерной емкостью

туннельный диод

67. Тиристор – это полупроводниковый прибор

с тремя или более р-п переходами, на вольт-амперной характеристики которого есть участок с отрицательным дифференциальным сопротивлением

с двумя переходами, работающий в импульсном режиме

работающий в режиме лавинного умножения

68. Сопротивление тиристора в закрытом состоянии

велико

мало

равно 0

69. Сопротивление тиристора в открытом состоянии

велико

мало

равно 0

70. Тринистор – это тиристор

работающий при двух полярностях напряжения на приборе

имеющий управляющий электрод

имеющий четыре перехода

71. Симистор – это тиристор

который может проводить ток в двух направлениях

работающий в импульсном режиме

имеющий два управляющих электрода