- •Часть II
- •I. Контрольные задания по курсу «электроника» Общие методические указания к контрольным заданиям
- •1. Предварительные теоретические сведения
- •1.1. Биполярные транзисторы
- •1.1.1. Устройство и принцип действия биполярного транзистора
- •1.1.2. Режимы работы транзистора
- •1.1.3. Схемы включения.
- •1.1.4. Физическая модель биполярного транзистора (модель Эберса-Молла)
- •1.1.5. Статические характеристики
- •Характеристики схемы включения транзистора с об
- •Характеристики схемы включения с оэ
- •1.1.6. Дифференциальные параметры транзистора
- •1.1.7. Система h-параметров
- •1.1.8. Определение h-параметров транзистора по статическим характеристикам
- •1.1.9. Схема замещения транзистора для малого сигнала.
- •1.1.10. Роль коллекторной емкости транзистора
- •1.1.11. Транзистор в режиме усиления
- •1.1.12. Основные параметры режима усиления
- •1.1.13. Нагрузочные характеристики транзистора
- •1.1.14. Связь коэффициентов усиления с h-параметрами
- •1.1.15. Усилительные свойства транзистора при различных способах включения
- •1.1.16. Основные способы задания рабочей точки на входных вах биполярного транзистора
- •1.1.17. Ключевой режим работы биполярного транзистора
- •1.1.18. Переходные процессы в биполярном транзисторе
- •1.2. Полевые транзисторы
- •1.2.1. Полевой транзистор с управляющим p-n-переходом
- •1.2.2. Транзистор с p-n- затвором
- •1.2.3. Вольтамперные характеристики полевого транзистора с p-n-переходом
- •1.2.4. Транзисторы с изолированным затвором (мдп-транзисторы)
- •1.2.5. Вольтамперные характеристики мдп-транзисторов
- •1.2.6. Дифференциальные параметры полевых транзисторов
- •1.2.7. Частотные свойства полевых транзисторов
- •1.2.9. Усилительный режим полевых транзисторов
- •1.2.10. Ключевой режим работы полевых транзисторов
- •1.2.11. Переходные процессы в полевом транзисторе
- •2. Постановка и содержание заданий
- •Задание 1
- •Задание 2
- •Задание 3
- •Задание 4
- •Задание 5
- •Задание 6
- •2.1. Указания по выполнению заданий
- •2.1.1. Указания к заданию 1
- •2.1.2. Указания к заданию 2
- •2.1.3. Указания к заданию 3
- •2.1.4. Указания к заданию 4
- •2.1.5. Указания к заданию 5
- •2.1.6. Указания к заданию 6
- •3.1. Примеры решения заданий
- •3.1.1. Пример решения задания 1
- •3.1.2. Пример решения задания 2
- •3.1.3. Пример решения задания 3
- •3.1.4. Пример решения задачи 4
- •3.1.5. Пример решения задачи 5
- •3.1.1. Пример решения задачи 6
- •II. Вопросы к тестам по курсу «электроника и микроэлектроника» Общие методические указания к тестовым заданиям
- •Тест «Основы электроники», «Полупроводниковые диоды»
- •Полупроводниковый диод включен в прямом направлении, если:
- •Полупроводниковый диод включен в обратном направлении, если:
- •Сравните значения прямого и обратного напряжений полупроводникового выпрямительного диода:
- •Тест «Основы электроники» «Полупроводниковые транзисторы»
- •Тест «Основы электроники» «Интегральные микросхемы»
- •Приложение 1 Статические характеристики транзисторов
- •Приложение 2
- •Приложение 3
- •Приложение 4
II. Вопросы к тестам по курсу «электроника и микроэлектроника» Общие методические указания к тестовым заданиям
Для проверки усвоения теоретического материала и навыков решения задач по расчету и анализу устройств и электрических цепей студент самостоятельно проходят тестирование.
Результаты тестирования оцениваются следующим образом:
Количество правильных ответов (на пять вопросов) |
Оценка |
5 |
5 |
4 |
4 |
3 |
дополнительно задается два вопроса |
2 |
2 |
1 |
1 |
Задается 5 вопросов теста. Решение принимается в соответствии со следующими данными:
Если на 5 вопросов студент дал только 3 верных ответа - дополнительно задается 2 вопроса. В результате оценка может остаться без изменения, быть повышена или понижена на один бал.
Тест «Основы электроники», «Полупроводниковые диоды»
Полупроводниковый диод включен в прямом направлении, если:
Область, имеющая р-проводимость, подключена к положительному полюсу внешнего источника напряжения, а область, имеющая n-проводимость, подключена к отрицательному полюсу внешнего источника напряжения
Область, имеющая р-проводимость, подключена к отрицательному полюсу внешнего источника напряжения, а область, имеющая n-проводимость, подключена к положительному полюсу внешнего источника напряжения
Область, имеющая р-проводимость, подключена к положительному полюсу внешнего источника напряжения, и область, имеющая n-проводимость, подключена к положительному полюсу внешнего источника напряжения
Область, имеющая р-проводимость, подключена к отрицательному полюсу внешнего источника напряжения, а область, имеющая n-проводимость, подключена к отрицательному полюсу внешнего источника напряжения
Полупроводниковый диод включен в обратном направлении, если:
Область, имеющая р-проводимость, подключена к положительному полюсу внешнего источника напряжения, а область, имеющая n-проводимость, подключена к отрицательному полюсу внешнего источника напряжения
Область, имеющая р-проводимость, подключена к отрицательному полюсу внешнего источника напряжения, а область, имеющая n-проводимость, подключена к положительному полюсу внешнего источника напряжения
Область, имеющая р-проводимость, подключена к положительному полюсу внешнего источника напряжения, и область, имеющая n-проводимость, подключена к положительному полюсу внешнего источника напряжения
Область, имеющая р-проводимость, подключена к отрицательному полюсу внешнего источника напряжения, а область, имеющая n-проводимость, подключена к отрицательному полюсу внешнего источника напряжения
Выпрямительные диоды это:
полупроводниковые диоды, основным свойством которых является односторонняя проводимость и эффект выпрямления тока
диоды плоскостной конструкции
диоды, изготовленные из кремния
диоды, изготовленные из германия
Электрическая цепь состоит из источника постоянного тока, выпрямительного диода и амперметра. Амперметр зафиксировал прямой ток 10 mА. После этого диод удалили из цепи и, развернув на 180 градусов, включили обратно в цепь. Как изменилось показание амперметра?
Стало больше, чем 10mA
Стало меньше, чем 10mA
Не изменилось
Данный вопрос имеет смысл лишь при указании материала, из которого изготовлен полупроводниковый диод, т.к. в зависимости от этого показания амперметра могут увеличиться или уменьшиться
Основным достоинством полупроводниковых приборов по сравнению с электронно-вакуумными является:
Более высокий КПД
Возможность использования при низких питающих напряжениях
Полупроводниковые приборы имеют меньшие собственные шумы
Полупроводниковые приборы имеют лучшие параметры при работе на сверхвысоких частотах
Основным достоинством электронно-вакуумных приборов по сравнению с полупроводниковыми является:
Более высокий КПД
Возможность использования при низких питающих напряжениях
Электронновакуумные приборы имеют меньшие собственные шумы
Электронновакуумные приборы имеют лучшие параметры при работе на сверхвысоких частотах
Сравните значения прямого и обратного токов полупроводникового выпрямительного диода:
Прямой ток полупроводникового выпрямительного диода больше обратного тока
Прямой ток полупроводникового выпрямительного диода меньше обратного тока
Прямой ток полупроводникового выпрямительного диода сравним по-своему абсолютному значения с обратным током
Данный вопрос имеет смысл лишь при указании материала, из которого изготовлен полупроводниковый диод, т.к. в зависимости от этого прямой ток может быть как больше, так и меньше обратного тока