
- •Часть II
- •I. Контрольные задания по курсу «электроника» Общие методические указания к контрольным заданиям
- •1. Предварительные теоретические сведения
- •1.1. Биполярные транзисторы
- •1.1.1. Устройство и принцип действия биполярного транзистора
- •1.1.2. Режимы работы транзистора
- •1.1.3. Схемы включения.
- •1.1.4. Физическая модель биполярного транзистора (модель Эберса-Молла)
- •1.1.5. Статические характеристики
- •Характеристики схемы включения транзистора с об
- •Характеристики схемы включения с оэ
- •1.1.6. Дифференциальные параметры транзистора
- •1.1.7. Система h-параметров
- •1.1.8. Определение h-параметров транзистора по статическим характеристикам
- •1.1.9. Схема замещения транзистора для малого сигнала.
- •1.1.10. Роль коллекторной емкости транзистора
- •1.1.11. Транзистор в режиме усиления
- •1.1.12. Основные параметры режима усиления
- •1.1.13. Нагрузочные характеристики транзистора
- •1.1.14. Связь коэффициентов усиления с h-параметрами
- •1.1.15. Усилительные свойства транзистора при различных способах включения
- •1.1.16. Основные способы задания рабочей точки на входных вах биполярного транзистора
- •1.1.17. Ключевой режим работы биполярного транзистора
- •1.1.18. Переходные процессы в биполярном транзисторе
- •1.2. Полевые транзисторы
- •1.2.1. Полевой транзистор с управляющим p-n-переходом
- •1.2.2. Транзистор с p-n- затвором
- •1.2.3. Вольтамперные характеристики полевого транзистора с p-n-переходом
- •1.2.4. Транзисторы с изолированным затвором (мдп-транзисторы)
- •1.2.5. Вольтамперные характеристики мдп-транзисторов
- •1.2.6. Дифференциальные параметры полевых транзисторов
- •1.2.7. Частотные свойства полевых транзисторов
- •1.2.9. Усилительный режим полевых транзисторов
- •1.2.10. Ключевой режим работы полевых транзисторов
- •1.2.11. Переходные процессы в полевом транзисторе
- •2. Постановка и содержание заданий
- •Задание 1
- •Задание 2
- •Задание 3
- •Задание 4
- •Задание 5
- •Задание 6
- •2.1. Указания по выполнению заданий
- •2.1.1. Указания к заданию 1
- •2.1.2. Указания к заданию 2
- •2.1.3. Указания к заданию 3
- •2.1.4. Указания к заданию 4
- •2.1.5. Указания к заданию 5
- •2.1.6. Указания к заданию 6
- •3.1. Примеры решения заданий
- •3.1.1. Пример решения задания 1
- •3.1.2. Пример решения задания 2
- •3.1.3. Пример решения задания 3
- •3.1.4. Пример решения задачи 4
- •3.1.5. Пример решения задачи 5
- •3.1.1. Пример решения задачи 6
- •II. Вопросы к тестам по курсу «электроника и микроэлектроника» Общие методические указания к тестовым заданиям
- •Тест «Основы электроники», «Полупроводниковые диоды»
- •Полупроводниковый диод включен в прямом направлении, если:
- •Полупроводниковый диод включен в обратном направлении, если:
- •Сравните значения прямого и обратного напряжений полупроводникового выпрямительного диода:
- •Тест «Основы электроники» «Полупроводниковые транзисторы»
- •Тест «Основы электроники» «Интегральные микросхемы»
- •Приложение 1 Статические характеристики транзисторов
- •Приложение 2
- •Приложение 3
- •Приложение 4
2.1.2. Указания к заданию 2
Перерисовав статические характеристики биполярного транзистора, на семействе выходных характеристик строится нагрузочная прямая по точкам, в которых она пересекает оси координат согласно уравнению (31). Пересечение нагрузочной прямой со статической характеристикой при заданном значении тока базы I0Б определяет рабочую точку транзисторного каскада, нагруженного на резистор. Координаты рабочей точки дают значение рабочего режима выходной цепи U0КЭ, I0К.
В справочниках приводится только одна входная характеристика для активного режима, вследствие малого влияния выходного напряжения на входную цепь прибора, поэтому входные характеристики, снятые для различных значений UКЭ, располагаются очень близко друг к другу. Эту входную характеристику и нужно использовать при расчетах, приняв ее за характеристику нагруженного режима. Координаты I0Б и U0БЭ на входной характеристике дают значение рабочего режима входной цепи.
Построив затем заданное синусоидальное изменение тока базы с амплитудой ImБ , определяют графически временные диаграммы токов и напряжений электродов транзистора. В случае отсутствия выходных характеристик, соответствующих максимальному и минимальному значениям тока базы IБmax = I0Б+ ImБ и IБmix = I0Б - ImБ нужно построить эти характеристики дополнительно. Временные диаграммы строятся с учетом того, что напряжения на базе и коллекторе противофазные, и с соблюдением одинакового масштаба по оси времени. Пример построения временных диаграмм показан на рис. 15 и 16.
После построения временных диаграмм необходимо оценить, имеются ли заметные искажения в выходной цепи транзистора или нет. Из временных диаграмм видно, что под действием переменного входного тока рабочая точка на выходных характеристиках движется вдоль линии нагрузки. Если рабочая точка какую-либо часть периода входного тока попадает в область насыщения или отсечки происходит сильное искажение выходного сигнала, называемое иногда «ограничением». В этом случае необходимо уменьшить амплитуду входного сигнала до величины, при которой рабочая точка не будет выходить за пределы активной области работы прибора.
Дальнейшие вычисления производятся только для активного режима работы прибора, называемого также линейным или неискажающим.
При нахождении из графиков величин ImК, UmБЭ, UmКЭ следует обратить внимание, что максимальное значение положительных и отрицательных полуволн сигнала могут быть неодинаковыми, а значит, усиление большого сигнала и в активном режиме сопровождается некоторыми искажениями.
Для дальнейших расчетов значения амплитуд определяются как средние за период, т.е.
Значения соответствующих рабочих параметров каскада в рабочей точке можно найти из построенных временных диаграмм как отношение амплитуд токов и напряжений:
2.1.3. Указания к заданию 3
Перерисовав статические характеристики полевого транзистора, на семействе выходных характеристик строится нагрузочная прямая по точкам, в которых она пересекает оси координат согласно уравнению EC=UСИ+ICRC. Если эти точки выходят за пределы приведенного графика, надо строить ее лишь в пределах графика. Пересечение нагрузочной прямой со статической характеристикой при заданном значении напряжении U0ЗИ определяет рабочую точку транзисторного каскада, нагруженного на резистор. Координаты рабочей точки дают значение рабочего режима выходной цепи U0СИ, I0С.
Построив затем заданное синусоидальное изменение напряжения UЗИ с амплитудой UmЗИ, определяют графически временные диаграммы тока стока и напряжения UСИ транзистора. Временные диаграммы строятся с учетом того, что напряжения на затворе и стоке противофазные, и с соблюдением одинакового масштаба по оси времени. Пример построения временных диаграмм показан на рис. 30 и 31.
При построении временных диаграмм на выходных характеристиках возможно появление сильных искажений сигнала из-за захода рабочей точки в режим отсечки или омический режим. В этом случае необходимо уменьшить амплитуду входного сигнала до величины, при которой рабочая точка не будет выходить за пределы активной области работы прибора. Именно для этой новой амплитуды сигнала определяются параметры линейного (малоискажающего) режима усиления полевого транзистора.
При нахождении из графиков величин ImС, UmСИ, следует обратить внимание на то, что максимальное значение положительных и отрицательных полуволн сигнала неодинаковы, а значит, усиление большого сигнала и в активном режиме сопровождается некоторыми искажениями.
Для дальнейших расчетов значения амплитуд определяются как средние за период, т.е.:
Значения соответствующих рабочих параметров каскада в рабочей точке можно найти из построенных временных диаграмм: