- •Часть I
- •Тема 1. Физические основы электроники 4
- •Тема 2. Источники вторичного электропитания 69
- •Тема 3. Усилители электрических сигналов 95
- •Тема 4. Импульсные и автогенерирующие устройства 137
- •Тема 5. Цифровая электроника и микропроцессорная техника 163
- •Тема 1. Физические основы электроники
- •1.1. Основные понятия электроники. Электропроводность полупроводников
- •1.2. Электрические переходы
- •1.3. Электронно-дырочный переход
- •1.4. Вольт-амперная характеристика электронно-дырочного перехода
- •1.5. Типы полупроводниковых диодов
- •1.6. Система обозначений полупроводниковых диодов
- •1.7. Транзисторы. Полевые и биполярные транзисторы
- •1.7.1. Устройство полевых транзисторов
- •1.7.2. Принцип действия полевого транзистора с управляющим p-n-переходом
- •1.7.3. Выходные статические характеристики полевого транзистора. Статические характеристики передачи полевого транзистора
- •1.7.4. Полевые транзисторы со встроенным каналом
- •1.7.5. Полевые транзисторы с индуцированным каналом
- •1.7.6. Малосигнальные параметры и система обозначений полевых транзисторов
- •1.7.7. Устройство и схемы включения биполярного транзистора
- •1.7.8. Режимы работы биполярного транзистора
- •1.7.9. Принцип работы биполярного транзистора в активном режиме
- •1.7.10. Параметры биполярного транзистора
- •Система z - параметров
- •Система y - параметров
- •Система h - параметров
- •1.7.11. Статические характеристики биполярных транзисторов
- •1.7.12. Система обозначения биполярных транзисторов
- •Тема 2. Источники вторичного электропитания
- •2.1. Принципы построения и классификация средств электропитания электронных устройств
- •2.2. Основные характеристики ивэп
- •2.3. Структурные схемы ивэп
- •2.4. Электрические фильтры
- •2.4.3. Полосовой lc-фильтр
- •2.4.4. Режекторный lc-фильтр
- •2.5. Выпрямители источников электропитания. Виды выпрямителей и их характеристики
- •2.5.1. Классификация выпрямителей
- •2.5.2. Однополупериодный выпрямитель
- •2.5.3. Двухполупериодный выпрямитель с нулевой точкой
- •2.5.4. Мостовая схема выпрямителя
- •2.5.5. Схема удвоения напряжения
- •2.5.6. Трехфазный выпрямитель
- •Тема 3. Усилители электрических сигналов
- •3.1. Основные понятия об усилителях и классификация усилителей
- •3.2.Основные характеристики и параметры усилителей
- •3.3. Характеристики и параметры усилителей, связанные с искажением сигналов в усилителе
- •3.4.Обратная связь в усилителях. Влияние ос на параметры усилителей
- •Влияние ос на параметры усилителей
- •3.5.Классы усиления транзисторных усилительных каскадов
- •3.6. Методы задания начального режима работы транзистора
- •3.7. Усилитель на биполярном транзисторе с общим эмиттером
- •3.8. Дифференциальный усилитель. Дрейф нуля в ду
- •3.8.1. Операционные усилители. Инвертирующие усилители. Неивертирующие усилители. Суммирующие и вычитающие усилители. Интеграторы
- •Инвертирующий усилитель
- •Неивертирующий усилитель
- •Суммирующий и вычитающий усилители
- •Интеграторы
- •3.9. Выходные усилители мощности
- •Тема 4. Импульсные и автогенерирующие устройства
- •4.1. Генерирующие и импульсные устройства. Передачи информации в импульсном режиме
- •4.2. Электронные ключи. Простейшие формирователи импульсных сигналов
- •4.2.1. Ключевой режим работы транзистора
- •Режим насыщения
- •4.2.2. Компараторы (схемы сравнения)
- •4.2.3. Триггер Шмитта
- •4.2.4. Мультивибраторы
- •4.2.5. Дифференцирующие rc цепи
- •4.2.6. Интегрирующие rc-цепи
- •4.2.7. Симметричный мультивибратор на оу
- •4.2.8. Одновибратор на оу
- •4.3. Генераторы линейно-изменяющегося напряжения (глин) на оу
- •4.3.1. Глин на оу с внешним запуском
- •4.3.2. Глин на оу в автогенераторном режиме.
- •4.4. Генераторы гармонических колебаний. Условия возникновения колебаний
- •4.4.1. Условия возникновения колебаний
- •4.4.2. Генераторы с rc-фазосдвигающими цепочками
- •4.4.3. Генераторы с мостом Вина
- •Тема 5. Цифровая электроника и микропроцессорная техника
- •5.1. Основные логические операции и их практическая реализация
- •5.1.1. Операция "не" (логическое отрицание или "инверсия")
- •5.1.2. Операция "или" (логическое сложение или дизъюнкция)
- •5.1.3. Операция "и" (логическое умножение или конъюнкция)
- •5.2. Типы логических микросхем
- •5.3. Элементы алгебры логики и синтеза комбинационных схем. Формы записи логических уравнений
- •5.3.1. Формы записи логических уравнений
- •5.3.2. Синтез комбинационных логических устройств
- •5.3.3. Реализация логических функций на элементах "и-не" и "или-не"
- •5.4. Интегральные комбинационные схемы
- •5.5. Логические устройства последовательного типа
- •5.5.1. Триггеры
- •5.5.2. Счётчики
- •5.5.3. Регистры
- •5.6. Цифровые запоминающие устройства
- •5.6.1. Структуры запоминающих устройств
- •5.7. Аналого-цифровые и цифро-аналоговые преобразователи
- •5.7.1. Аналого-цифровые преобразователи
1.7.3. Выходные статические характеристики полевого транзистора. Статические характеристики передачи полевого транзистора
Выходные
вольт-амперные характеристики полевого
транзистора определяют зависимость
тока стока
Icот
напряжения на стоке Ucпри
фиксированном напряжении затвора:
Типичное семейство выходных статических характеристик полевого транзистора с управляющим p-n-переходом и n-каналом приведено на рисунке 1.7.3.1 слева. На рисунке 1.7.3.1 справа приведены статические характеристики передачи полевого транзистора с управляющим p-n-переходом и n-каналом.
Выходные статические характеристики полевого транзистора с управляющим электронно-дырочным переходом имеют два характерных участка:
начальный участок – крутая зависимость тока стока от напряжения сток-исток;
пологий участок – ток стока практически не зависит от напряжения сток-исток.
|
|
Рис 1.7.3.1. Семейство выходных статических характеристик полевого транзистора и статические характеристики передачи полевого транзистора с управляющим p-n-переходом и n-каналом
При фиксированном
значении напряжения
проводящий
канал имеет определенное сопротивление,
зависящее от его длины и поперечного
сечения. Поэтому при начальном увеличении
напряжения
сопротивление
остается практически постоянным и ток
на выходе возрастает пропорционально
напряжению. Однако по мере роста
напряжения
к
управляющему электронно-дырочному
переходу прикладывается все большее
обратное напряжение (в области стока),
что приводит к уменьшению площади
поперечного сечения канала, и как
следствие, его сопротивления.
При некотором
значении напряжения сток-исток, получившим
название напряжения насыщения
-происходит
полное перекрытие канала и в дальнейшем
не наблюдается роста стока при увеличении
напряжения
.
Очевидно, что наибольшее значение тока стока будет при нулевом напряжении затвор-исток. Чем больше абсолютное значение напряжения затвор-исток тем меньше начальное поперечное сечение канала, и, следовательно, выше его сопротивление.
При больших значениях напряжения сток-исток может возникнуть электрический пробой обратно смещенного перехода затвор-исток. Пробой электронно-дырочных переходов кремниевых полевых транзисторов носит лавинный характер.
Статические характеристики передачи представляют зависимость тока насыщения стока от напряжения на затворе при постоянном напряжении на стоке.
Основным рабочим режимом полевых транзисторов с управляющим p-n-переходом является режим насыщения тока стока.
Статические характеристики передачи дают возможность определить один из основных параметров транзистора, характеризующий его усилительные свойства - крутизну характеристики:
,
представляющую отношение изменения тока стока к изменению напряжения на затворе.
Для полевых транзисторов с управляющим p-n-переходом характерно то, что их максимальная проводимость наблюдается при нулевом смещении на затворе. С ростом смещения (по абсолютной величине) проводимость канала уменьшается. Смещение для полевых транзисторов управляющим p-n-переходом имеет только одну полярность, которая соответствует отсутствию инжекции основных носителей через переход.
Для полевых транзисторов с изолированным затвором характерно наличие диэлектрического слоя между металлическим электродом затвора и материалом полупроводника.
Наличие диэлектрика снимает ограничение на полярность управляющего напряжения - оно может быть как положительным, так и отрицательным.
