1.7.6. Малосигнальные параметры и система обозначений полевых транзисторов

Общим для полевых транзисторов является их высокое входное сопротивление постоянному и переменному току, малый уровень шумов, нелинейность характеристики передачи, практически полное разделение входной и выходной цепей, отсутствие эффекта накопления неосновных носителей.

Среди полевых транзисторов наиболее стабильны, имеют более низкий уровень шумов транзисторный с управляющим электронно-дырочным переходом.

При работе полевых транзисторов в режиме усиления используются участки выходных вольт-амперных характеристик в области насыщения. Полевые транзисторы характеризуются следующими малосигнальными параметрами:

• крутизна:

• внутреннее сопротивление:

• коэффициент усиления:

Малосигнальные параметры полевых транзисторов связаны следующим соотношением:

Типичные значения коэффициента усиления полевых транзисторов составляют 50-200.

Система обозначений для полевых транзисторов установлена ОСТ 11336-919-81 (см таб. 1.7.6.1.). В основу системы обозначений положен буквенно-цифровой код. Для полевых транзисторов - второй элемент кода– буква П.

Таблица. 1.7.6.1.

Например: КП310А транзистор полевой, кремниевый малой мощности с граничной частотой не более 30МГц номер разработки 10 группа А

1.7.7. Устройство и схемы включения биполярного транзистора

Биполярный транзистор - это полупроводниковый прибор с двумя взаимодействующими выпрямляющими электронно-дырочными переходами, тремя или более выводами. Усилительные свойства биполярных транзисторов обусловлены явлениями инжекции и экстракции неосновных носителей заряда. Структура биполярных и транзисторов приведена на рисунке 1.7.7.1.

Рис. 1.7.7.1. Структура биполярных и транзисторов

Взаимодействие между p-n-переходами осуществляется при малой толщине области между переходами. В этом случае носители заряда, инжектированные через переход, смещенный в прямом направлении, могут преодолеть малую базовую область и дойти до второго перехода.

Второй переход смещен в обратном направлении. При отсутствии инжекции носителей в область базы ток второго, обратно смещенного перехода мал. При наличии инжекции носителей в базовую область, достигшие второго перехода носители изменяют ток, протекающий через обратно смещенный переход. То есть, ток первого перехода управляет током второго перехода.

Область транзистора, используемая в режиме инжекции, называется эмиттером.

Область транзистора, осуществляющая экстракцию (удаление) носителей заряда называется коллектором.

Средняя область транзистора называется базой.

Электронно-дырочный переход, расположенный между эмиттером и базой, называется эмиттерным переходом. Электронно-дырочный переход, расположенный между коллектором и базой, называется коллекторным переходом.

Для величин, относящихся к эмиттеру, коллектору и базе применяются индексы "э" или латинская буква "e", "к" или "c", "б" или "b" соответственно. Например, токи в соответствующих проводниках, обозначаются . Напряжения между соответствующими электродами обозначаются двойными индексами: -напряжение между базой и эмиттером.

Различают три схемы включения транзистора (см. рис. 1.7.7.2.):

• С общим эмиттером (ОЭ) (см. рис. 1.7.7.2. а))

• С общей базой (ОБ) (см. рис. 1.7.7.2. б))

• С общим коллектором (ОК) (см. рис. 1.7.7.2. в))

Общим является электрод, потенциал которого принимается за нулевой.

Рис. 1.7.7.2. Схемы включения транзистора: