3. Описание лабораторного макета.

Для исследования статических вольтамперных характеристик биполярных и полевых транзисторов в схеме с общим эмиттером (общим стоком) схема, изображенная в правой части лабораторного макета (рис. 7.). С помощью переключателя П5 выбирается тип исследуемого транзистора. С помощью переключателя П3, меняя сопротивление резистора (грубо), и переменного резистора (плавно) можно установить ток базы при работе с биполярными транзисторами. Измерение тока базы производится стрелочным миллиамперметром, включаемым в базовую цепь переключателем П7. Чувствительность прибора устанавливается переключателем П6.

При работе с полевым транзистором с помощью переключателей П3 и П8 (грубо) и переменного резистора (плавно) можно установить управляющее напряжение на затворе транзистора.

Изменять величину коллекторного (стокового) напряжения можно переключателем П4, меняя величину резистора ( ) в цепи коллектора (стока). Напряжение на коллекторе (стоке) транзистора измеряется осциллографом, а ток, протекающий через транзистор, производится стрелочным миллиамперметром, включаемым в коллекторную цепь переключателем П7.

Перечень транзисторов, исследуемых при проведении лабораторной работы, приведен в таблице.

Таблица
Наименование	Т1	Т2	Т3
Тип	МП16	МП104	КП103

4. Порядок выполнения работы.

Для исследования выходных вольтамперных характеристик транзисторов в схеме с общим эмиттером необходимо:

1) Включить источник питания макета;

2) Переключатель П5 установить в положение 1, подключив транзистор Т1;

3) Переключатель П7 установить в положение ток базы ;

4) Переключатель П6 установить в положение 0,5 мА;

5) С помощью переключателя П3 (грубо) и переменного резистора (плавно) установить ток базы равным 50 мкА;

6) Переключатель П6 установить в положение 10 мА, переключатель П7 в положение ток коллектора ;

7) Вход осциллографа присоединить к коллектору исследуемого транзистора для измерения постоянного напряжения на коллекторе ;

											Табл. 1
Положение переключателя	1	2	3	4	5	6	7	8	9	10	Примеч
, мА											=50мкА
, В
, мА											=100мкА
, В
, мА											=150мкА
, В

8) Изменяя переключателем П4 резисторы и тем самым величину коллекторного напряжения, снять зависимость при токе базы равном 50 мкА. Результаты измерений занесите в таблицу 1 вида.

9) Снять зависимости при токе базы равном 100 и 150 мкА. Результаты измерений занесите в таблицу 1.

10) Переключатель П5 установить в положение 2, подключив транзистор Т2 и повторить пункты 3 – 9 для транзистора Т2. Результаты измерений занесите в таблицу 2, аналогичную таблице 1.

11) Переключатель П5 установить в положение 3, подключив тем самым полевой транзистор Т3 с управляющим р-n-переходом и каналом p – типа. Переключатель П7 установить в положение для измерения тока стока ;

12) Вход осциллографа присоединить к затвору исследуемого транзистора Т3 для измерения постоянного напряжения на затворе , а второй вход осциллографа присоединить к стоку транзистора Т3 для измерения постоянного напряжения ;

13) С помощью переключателей П3 и П8 (грубо) и переменного резистора (плавно) установить напряжение на затворе равное 0. Переключатель П4 установить в положение 10 (установив тем самым высокое напряжение ) измерить напряжение .

14) Снять стокзатворную характеристику транзистора , изменяя напряжение на затворе с интервалом 0,5 В и измеряя ток стока , до тех пор пока транзистор не закроется. Результаты измерений занесите в таблицу 3 вида:

Таблица 3
, В	0	0,5	1	1,5	2	2,5	3	3,5	4
, мА

15) Изменяя переключателем П4 резисторы и тем самым величину напряжения , снять зависимость при напряжениях на затворе равных , и ,. Результаты измерений занесите в таблицу 4.

16) Выключить источник питания макета.

17) Построить выходные вольтамперные характеристики транзисторов Т1 и Т2

18) По построенным графикам для одного из транзисторов определить дифференциальную и интегральную величины коэффициента усиления тока базы при напряжении .

19) Построить зависимость дифференциального сопротивления коллекторного p-n-перехода при токе базы транзистора Т1 100 мкА. Здесь дифференциальное сопротивление при .

											Табл. 4
Положение переклю - чателя П4	1	2	3	4	5	6	7	8	9	10	Приме - чание
, мА											=0 В
, В
, мА											=+1 В
, В
, мА											=+2 В
, В

20) Построить выходные и стокзатворную вольтамперные характеристики полевого транзистора Т3. По построенным графикам определить крутизну характеристики при =5 В

и дифференциальное сопротивление транзистора при =+1 В

.

21) Оформить отчет и сделать выводы по работе.

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

1. Ицкович В.М. Электроника. Учебное пособие. – Томск: Томский государственный университет, 2006. – 360 с.

2. Степаненко И.П. Основы микроэлектроники: Учебное пособие для вузов. – 2-е изд., перераб. и доп. - М.: Лаборатория Базовых Знаний, 2001.- 488 с.