7

Федеральное агентство по образованию

Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники (тусур)

Кафедра телевидения и управления (ТУ)

Утверждаю

Зав. кафедрой ТУ

______________И.Н. Пустынский

“___”____________2008 г.

Руководство к лабораторной работе

"Исследование вольтамперных характеристик транзисторов"

по дисциплине "Электроника и микроэлектроника"

для студентов специальностей 200700, 201500, 230200

'Электронные, твердотельные приборы и микроэлектроника

для специальностей 201100, 071700

Разработчики:

_____________

Доцент каф. ТУ Коновалов В.Ф.

_____________

Доцент каф. ТУ Шалимов В.А.

Томск

2008 г.

1. Введение.

Цель работы: исследование статических вольтамперных характеристик биполярных и полевых транзисторов в схеме с общим эмиттером (общим стоком), оценка статических параметров транзисторов.

2.Общие положения

2.1. Разновидности транзисторов.

В настоящее время транзисторы и созданные на их основе линейные и цифровые интегральные схемы получили самое широкое распространение и стали основой современной радиоэлектроники. Отечественная промышленность выпускает биполярные транзисторы n-p-n и p-n-p типов, полевые транзисторы с управляющим p-n переходом и полевые транзисторы с встроенным или индуцированным каналом p или n типа (МДП)

2.2. Статические вольтамперные характеристики биполярных транзисторов в схеме с об.

Статические вольтамперные характеристики идеализированных биполярных транзисторов в схеме с общей базой описываются формулами Эберса – Молла [1].

(1)

(2)

,

где , - токи коллектора и эмиттера;

, - тепловые токи коллекторного и эмиттерного переходов, измеренные при и соответственно;

и - коэффициенты передачи коллекторного и эмиттерного токов.

Так как задать прямое напряжение на эмиттерном р-п переходе трудно, целесообразно считать заданной величиной эмиттерный ток, а не эмиттерное напряжение.

Решив уравнение (2) относительно , получим

, (3)

пологая, что и .

Это уравнение описывает выходные характеристики транзистора с параметром (рис. 2а).

Уравнение (1), решенное относительно , дает выражение, характеризующее идеализированные входные характеристики транзистора :

(4)

Входные характеристики транзистора показаны на рис.2,б.

На (рис. 2,а) ясно видны две области: активного режима и режима насыщения .

Для активного режима, когда , и , выражения (3) и (4) можно упростить и записать в виде:

, (5)

. (6)