Р ассмотрим область вч:
эквивалентная схема на ВЧ:
В области ВЧ крутизна становится частотно зависимой:
, где ωв=54000π, τ=3нс, S=0.017 Определим τв:
, при Ск=25пФ, rб=60Ом, S=0.017
Ф
Подставив, значения
получим:
нс
Определим коэффициент усиления на верхней частоте:
, при К0=11.19 получим:
Определив, коэффициент усиления на верхней частоте можно определить частотные искажения на ВЧ:
Частотные искажения на ВЧ вполне удовлетворяют всем условиям.
Расчет входного каскада:
Транзистор для входного каскада выбирается по мощности рассеивания и граничной частоте. Для входного каскада Ррасс=0.06мкВт и fгр>81кГц.
Анализируя параметры каскада, и построив рабочую точку на ВАХ транзистора КТ202А.(Рис.7)
Получаем координаты рабочей точки: Uкэ=4В, Iк=1.625мА, Iб=96мкА, Uбэ=0.94В
ΔIб=0.055мкА ΔIк=0.0012мА
ΔUбэ=0.00007В ΔUкэ=0.0134В
Оконечный каскад опишем Y-параметрами:
См См
См См
Определим допустимое изменение Iк: А
Определим Скэ:
,
где
Ск находим в справочных данных транзистора Ск=25пФ, тогда Скэ равно:
нФ
Определим изменение обратного тока коллектора:
С,
находим по справочным данным на транзистор =5 мкА, тогда равно:
мкА
Определим коэффициент нестабильности Ns:
Определим величину Rэ:
, где = 0.5 мкА, α=0.06 1/˚С, Δt=40˚C, тогда
мкА
Находим В (статический коэффициент усиления постоянного тока базы):
Находим ΔЕ (внутреннее изменение смещения на эмиттерном переходе):
, где Δt=40˚C, Uбэ=0.94В, Е=1.1В, Т=293К, тогда
мВ
Находим ΔI (приращение коллекторного тока, вызванное температурным изменением):
мА
Учитывая, что крутизна S=Y21 и подставив все значения в формулу нахождения Rэ, получим:
Ом
По ряду сопротивлений выберем Rэ=2200Ом.
Определим величину сопротивления делителя Rd:
, где Rэ=2200 Ом,
Ns=0.606,
Подставив значения Rэ, Ns, α0 в формулу нахождения Rd, получим:
Ом
Определение номиналов R1 и R2:
Rd есть параллельное включение сопротивлений R1 и R2, следовательно:
;
Ом
Из ряда номиналов выбираем R1=1.8 кОм.
Тогда R2 равно:
;
Ом
Произведем проверку: Необходимо что бы и
мА
и
Отсюда можно сделать вывод, что все параметры удовлетворяют условиям проверки.
Рассмотрим эквивалентную схему входного каскада:
С0=Свых+См+Свх
Yi=Y22, Yн=Yд+Yвх
Р ассмотрим область СЧ:
эквивалентная схема на СЧ:
Оконечный каскад должен обеспечить К0=10,
, где S=0.017, Yд=0.6мСм Yi=0.089 мСм, Yвх=0.74мСм,
,
где En=24B,
Imax=2мА
мСм,
Rк=1/Yк=9.8кОм
тогда:
Р ассмотрим область НЧ:
эквивалентная схема на НЧ: На НЧ проявляется действие разделительной емкости, следовательно, необходимо определить, ее наминал:
, где Yн=Yд+Yвх=1.34 мСм, Yk=0.104 мСм, Yi=0.089 мСм, ωн=200π
, где М1н это частотные искажения на НЧ вносимые Ср.
Пусть М1н=0.96, тогда Ан равно:
Подставим полученные значения в формулу нахождения Ср и получим:
мкФ
Частотные искажения на НЧ вносятся не только Ср. но и Сэ, т.е. Мн=М1н·М2н
Из предварительного расчета следует, что Мн=1-0.5=0.5, тогда М2н, которое вносится емкостью в цепи эмиттера, будет равно:
Найдем емкость в цепи эмиттера:
, где ωн=200π, Rэ=2700Ом, F=1+S·Rэ=39, тогда
мкФ