
- •Міністерство освіти і науки, молоді та спорту україни
- •Методичний посібник
- •1 Пояснювальна записка
- •2 Вимоги до оформлення звіту
- •3 Інструкція з техніки безпеки
- •Дослідження диференційного підсилювача
- •4 Основні теоретичні положення
- •5 Послідовність виконання роботи
- •7 Контрольні питання
- •8 Література
- •Дослідження роботи диференціатора та інтегратора на операційному підсилювачі
- •4 Основні теоретичні положення
- •5 Послідовність виконання роботи
- •7 Контрольні питання
- •8 Література
- •Дослідження роботи мультивібратора на операційному підсилювачі
- •4 Основні теоретичні положення
- •5 Послідовність виконання роботи
- •7 Контрольні питання
- •Дослідження роботи транзисторно-транзисторної логіки (ттл)
- •3 Схема дослідження
- •4 Основні теоретичні положення
- •5 Послідовність виконання роботи
- •7 Контрольні питання
- •8 Література
- •Дослідження схем тригерів
- •4 Основні теоретичні положення
- •5 Послідовність виконання роботи
- •7 Контрольні питання
- •8 Література
- •Дослідження роботи лічильника
- •4 Основні теоретичні положення
- •5 Послідовність виконання роботи
- •7 Контрольні питання
- •8 Література
- •Список літератури
Дослідження диференційного підсилювача
1 Мета роботи: вивчення принципу роботи диференційного підсилювача та дослідження його характеристик на базі мікросхеми К118УД1Б.
2 Апаратура та прилади: ПЕОМ, програма Electronics Workbench
3 Схема дослідження:
Рисунок 1 - Схема диференційного підсилювача
4 Основні теоретичні положення
Диференційним підсилювачем (ДП) називається підсилювач, який працює по принципу збалансованої мостової схеми і підсилює різницю двох напруг.
Рисунок 2 - Схема з Рисунок 3 - Схема з симетричним Рисунок 4 - Схема з
симетричними входом і виходом входом і несиметричним виходом несиметричним входом
і симетричним виходом
Вхідні напруги подаються в базові кола транзисторів, а вихідна напруга знімається між колекторами транзисторів.
UВИХ = КU (UВХ1 - UВХ2).
Якщо параметри транзисторів диференційного
підсилювача рівні, і Rк=Rк1=Rк2
, то
.
Вхідний опір диференційного підсилювача з симетричним входом дорівнює:
RВХ Д = 2 RВХОС = 2 h11Е.
Його вихідний опір RВИХ Д ≈ 2 Rк.
Найважливішою властивістю ДП є здатність підсилення протифазних вхідних сигналів і значне послаблення синфазних вхідних сигналів.
На практиці повного усунення постійного рівня синфазного сигналу не відбувається тому, що параметри навіть інтегральних транзисторів і резисторів не можуть бути ідеально узгоджені між собою. Тому деяка частина вхідного синфазного сигналу також підсилюється, вносячи у вихідну диференційну напругу синфазну складову:
UВИХ = КU (UВХ1 - UВХ2) + КUСФ UВХСФ ,
де
– коефіцієнт підсилення синфазної
вхідної напруги;
UВХСФ =0,5(UВХ1 + UВХ2).
Коефіцієнт ослаблення синфазного сигналу:
.
Чим більше значення коефіцієнта ослаблення синфазного сигналу КОС СФ, тим кращий диференційний підсилювач.
Коефіцієнт підсилення ДП залежить від способу підключення вхідного сигналу та навантаження:
вхідна напруга подається одночасно на обидва входи (симетричний вхід) і навантаження підключається між виходами VT1 і VT2 (симетричний вихід) (див.рис.1);
вхідна напруга подається на обидва входи, а навантаження підключається до одного з виходів схеми і до корпусу (несиметричний вихід) (рис.2);
вхідна напруга подається тільки на один із входів (несиметричний вхід), і навантаження підключене до виходу одного з транзисторів (рис.3).
Для кращого подавлення синфазної напруги (завади) необхідно включати великий опір в коло емітера. Резистор Rе » h21Е - призначений для стабілізації емітерного струму. Струм через нього дорівнює:
І0 = ІЕ1 + ІЕ2 ≈ ІК1 + ІК2
Опір резистора в колі емітера RЕ не можна брати дуже великим, тому що через емітерний опір протікає струм спокою обох транзисторів, і тоді він викликає велике падіння постійної складової напруги. Тому для подавлення синфазної складової напруги в якості емітерного резистора Rе використовують схеми генераторів стабільного струму (ГСС), які мають малий опір для постійної складової і великий опір для змінної складової струму (динамічний опір) (рис.1).
Опис досліджуваної мікросхеми К118УД1Б
Схема ДП з ГСС на базі мікросхеми К118УД1Б (рис.1) складається з диференційного каскаду на транзисторах VT1 і VT4 з колекторними навантаженнями R1, R5; генератора стабільного струму ГСС на транзисторі VT2; кола зміщення з резисторами R3, R4, R6 і транзистора VT3 у діодному включенні. Коло зміщення призначене для завдання режиму роботи ГСС і температурної стабілізації цього режиму.
Номінальна напруга живлення ІМС К118УД1Б UДЖ – мінус 6,3В та +6,3В.
Вхідний струм Івх = 10...20 мкА; RВХ = 3..6кОм; RВИХ =3...7кОм; RЕ = 50кОм; коефіцієнт передачі за струмом h21Е = 600; h21Е = 300; rЕ = 5кОм.
Коефіцієнт підсилення ДП прямо пропорційний струму ГСС, який у свою чергу залежить від струму у колі зміщення. Струм зміщення залежить від способу підключення виводів 8 і 11 кола зміщення.
Оптимальним режимом роботи ІМС є режим при заземленому виводі 11, тоді через коло зміщення протікає струм:
;
де UБЕ VT3 =0,7В.
Враховуючи приблизну рівність R2 і R4, можна вважати, що Ізм ≈ І0 .
Для збільшення коефіцієнту підсилення схеми можна збільшити струм ГСС І0 шляхом паралельного з'єднання опорів ІМС R3 і R6 (замкнути між собою виводи 8 і 12, вивід 11 заземлити).
Тоді струм зміщення становить:
.