
- •Самостійна робота 1
- •Самостійна робота 2
- •Самостійна робота 3
- •Самостійна робота 4
- •Самостійна робота 5
- •Домішкова провідність напівпровідників
- •Самостійна робота 6
- •1. Класифікація провідникових матеріалів (пм)
- •Самостійна робота 7
- •Самостійна робота 8
- •Самостійна робота 9
- •Електричні напівпровідникові переходи.
- •Електронно-дірковий перехід.
- •2. Утворення електронно-діркового переходу
- •Самостійна робота 10
- •Самостійна робота 11
- •Електронний - дірковий перехід без зовнішньої дії
- •Самостійна робота 12
- •Самостійна робота 13
- •Поняття інформаційної технології
- •Самостійна робота 14
- •Термокомпресорне зварювання
- •Самостійна робота 15
- •Самостійна робота 16
- •Самостійна робота 17
- •Самостійна робота 18
- •1.1 Підкладки інтегральних схем
- •1.2 Елементи іс
- •Самостійна робота 19
- •Самостійна робота 20
- •Самостійна робота 21
- •Самостійна робота 22
- •Статичні вольтамперні характеристики біполярного транзистора.
- •Самостійна робота 23
- •Самостійна робота 24
- •Самостійна робота 25
- •Параметры
- •Самостійна робота 26 Напівпровідникові діоди
- •Самостійна робота 27 Види генераторів
- •Самостійні 2частина
- •Самостійна робота №1 Сиcтема числення
- •Самостійна робота №2,3 Закони булевої алгебри
- •Самостійна робота №4 Феромагнітні матеріали
- •Самостійна робота №5 Магнітні підсилювачі
- •Самостійна робота №6 Магнітні трансформатори
- •Самостоятельная робота №7 Послідовні логічні схеми
- •Самостійна робота №8 Дешифратори й індикатори
- •Самостійна робота №9 Системи керування імпульсних перетворювачів
- •Самостиійна робота №10 Поверхневі явища напівпровідника Дослідження схем за допомогою пакету Micro-Cap поверхневі явища в напівпровідниках
- •Дослідження схем за допомогою пакету Micro-Cap
- •Самостійна робота №11 Запам'ятовувальні пристрої
- •Самостійна робота № 12 Пристрої збереження та передачі
- •Самостійна робота №13 Архітектура пеом. Принцип мікропроцесорного керування
- •Самостійна робота №14 Мультивібратори
- •Самостійна робота № 15
- •Самостійна робота № 16
- •Самостійна робота № 17
- •Програма на мові Ассемблера
- •Самостійна робота № 18
- •Самостійна робота № 19
- •Самостійна робота № 20
- •Самостійна робота № 21
- •Самостійна робота № 22
- •Структурна схема кр580вт57 Самостійна робота № 23
- •Самостійна робота № 24
- •Самостійна робота № 25 Мікропроцесор к1810вм86
- •Програмно-доступні регістри мікропроцесора Самостійна робота № 26 Організаційна робота мікропроцесора к1810вм86
- •Самостійна робота № 27 Функціонування цп
- •Самостійна робота № 30 Архітектура Мікроконтролера pic
- •Управління переривання в мікроконтроллерах pic
Самостійна робота 4
Залежність домішки на дрейф току напівпровідника
Прикладемо
до провідника, довжина якого l і
площа поперечного перерізу S,
напругу U (рис.
4.2.2). При цьому в провіднику виникне
електричне поле, напруженість якого
.
Це поле діє на вільні заряди в провіднику
із силою Кулона:
.
Під дією цієї сили в провіднику виникне напрямлений рух електричних зарядів, який і називають електричним струмом. За напрям електричного струму вважають напрям руху позитивних зарядів.
Рухів частинок в провіднику безпосередньо не видно, але доказами цих рухів є такі явища:
1) під час проходження електричного струму провідник нагрівається (теплова дія струму);
2) електричний струм змінює хімічний склад провідника (хімічна дія);
3) струм спричиняє силову дію на сусідні струми і намагнічені тіла (магнітна дія).
Величина, що дорівнює заряду, перенесеному за одиницю часу, є основною кількісною характеристикою струму і називається силою струму.
Сила струму - це скалярна фізична величина, що дорівнює відношенню заряду Dq, який переноситься через поперечний переріз провідника за інтервал часу Dt, до цього інтервалу часу:
.
Якщо сила струму з часом не змінюється, то струм називають постійним. Сила струму залежить від заряду, який переносить кожна частинка, концентрації частинок, швидкості їх напрямленого руху і площі поперечного перерізу провідника. Відповідно:
,
(4.2.1)
де q0 - елементарний заряд, який створює струм в провіднику; n - концентрація вільних носіїв зарядів ( кількість зарядів на 1 м3); S - площа поперечного перерізу провідника; - швидкість напрямленого руху вільних носіїв зарядів (швидкість дрейфу), вона дуже мала ( 0,1 мм/с).
У СІ [I] = A (Ампер), 1 А = Кл/с. Вимірюють силу струму амперметром.
Ще однією характеристикою струму є густина струму:
,
(4.2.2)
Одиницю густини струму встановлюють із формули (4.2.2). У СІ одиниця густини струму - ампер на метр в квадраті (А/м2). Інколи використовують також позасистемну одиницю густини струму:
1 А/мм2 = 1·106 А/м2.
Для того, щоб виник та існував постійний електричний струм у речовині, потрібні: а) наявність вільних заряджених частинок; б) напруженість електричного поля в провіднику має не дорівнювати нулеві і бути сталою в часі; в) коло постійного струму має бути замкненим; г) на вільні електричні заряди, крім кулонівських сил, мають діяти неелектричні сили, які називають сторонніми силами. Сторонні сили можуть бути створені джерелами струму (гальванічними елементами, акумуляторами, електричними генераторами тощо).
Під
час замикання кола електричний струм
виникає миттєво, а швидкість напрямленого
руху вільних заряджених частинок має
певне значення. Ця суперечність
пояснюється тим, що швидкість встановлення
електричного поля по периметру кола
значно більша від швидкості впорядкованого
руху вільних носіїв заряду. Електричне
поле під час замикання кола установлюється
протягом часу
,
де l -
периметр електричного кола; c -
швидкість світла. Унаслідок такого
миттєвого поширення електричного поля
майже одночасно по всьому об'єму
провідників зовнішньої ділянки замкненого
кола на вільні заряджені частинки в
певному напрямі діятимуть кулонівські
сили, а на внутрішній ділянці діятимуть
сторонні сили.
Питання:
1. Що називають електричним струмом?
2. Який напрям струму беруть за додатний?
3. Які умови потрібні для існування електричного струму?
4. Що називають силою струму? Яка формула виражає зміст цього поняття?
5. Яка одиниця сили струму в СІ? Сформулюйте визначення цієї одиниці. Як слід розуміти, що сила струму дорівнює 5 А?