
- •Самостійна робота 1
- •Самостійна робота 2
- •Самостійна робота 3
- •Самостійна робота 4
- •Самостійна робота 5
- •Домішкова провідність напівпровідників
- •Самостійна робота 6
- •1. Класифікація провідникових матеріалів (пм)
- •Самостійна робота 7
- •Самостійна робота 8
- •Самостійна робота 9
- •Електричні напівпровідникові переходи.
- •Електронно-дірковий перехід.
- •2. Утворення електронно-діркового переходу
- •Самостійна робота 10
- •Самостійна робота 11
- •Електронний - дірковий перехід без зовнішньої дії
- •Самостійна робота 12
- •Самостійна робота 13
- •Поняття інформаційної технології
- •Самостійна робота 14
- •Термокомпресорне зварювання
- •Самостійна робота 15
- •Самостійна робота 16
- •Самостійна робота 17
- •Самостійна робота 18
- •1.1 Підкладки інтегральних схем
- •1.2 Елементи іс
- •Самостійна робота 19
- •Самостійна робота 20
- •Самостійна робота 21
- •Самостійна робота 22
- •Статичні вольтамперні характеристики біполярного транзистора.
- •Самостійна робота 23
- •Самостійна робота 24
- •Самостійна робота 25
- •Параметры
- •Самостійна робота 26 Напівпровідникові діоди
- •Самостійна робота 27 Види генераторів
- •Самостійні 2частина
- •Самостійна робота №1 Сиcтема числення
- •Самостійна робота №2,3 Закони булевої алгебри
- •Самостійна робота №4 Феромагнітні матеріали
- •Самостійна робота №5 Магнітні підсилювачі
- •Самостійна робота №6 Магнітні трансформатори
- •Самостоятельная робота №7 Послідовні логічні схеми
- •Самостійна робота №8 Дешифратори й індикатори
- •Самостійна робота №9 Системи керування імпульсних перетворювачів
- •Самостиійна робота №10 Поверхневі явища напівпровідника Дослідження схем за допомогою пакету Micro-Cap поверхневі явища в напівпровідниках
- •Дослідження схем за допомогою пакету Micro-Cap
- •Самостійна робота №11 Запам'ятовувальні пристрої
- •Самостійна робота № 12 Пристрої збереження та передачі
- •Самостійна робота №13 Архітектура пеом. Принцип мікропроцесорного керування
- •Самостійна робота №14 Мультивібратори
- •Самостійна робота № 15
- •Самостійна робота № 16
- •Самостійна робота № 17
- •Програма на мові Ассемблера
- •Самостійна робота № 18
- •Самостійна робота № 19
- •Самостійна робота № 20
- •Самостійна робота № 21
- •Самостійна робота № 22
- •Структурна схема кр580вт57 Самостійна робота № 23
- •Самостійна робота № 24
- •Самостійна робота № 25 Мікропроцесор к1810вм86
- •Програмно-доступні регістри мікропроцесора Самостійна робота № 26 Організаційна робота мікропроцесора к1810вм86
- •Самостійна робота № 27 Функціонування цп
- •Самостійна робота № 30 Архітектура Мікроконтролера pic
- •Управління переривання в мікроконтроллерах pic
Самостійна робота 25
Кременеві стабілітрони
Стабилитрон (диод Зенера) — полупроводниковый диод, предназначенный для поддержания напряжения источника питания на заданном уровне. По сравнению с обычными диодами имеет достаточно низкое регламентированное напряжение пробоя (при обратном включении) и может поддерживать это напряжение на постоянном уровне при значительном изменении силы обратного тока. Материалы, используемые для создания p-n перехода стабилитронов, имеют высокую концентрацию легирующих элементов (примесей). Поэтому, при относительно небольших обратных напряжениях в переходе возникает сильное электрическое поле, вызывающее его электрический пробой, в данном случае являющийся обратимым (если не наступает тепловой пробойвследствие слишком большой силы тока).
В основе работы стабилитрона лежат два механизма:
Лавинный пробой p-n перехода
Туннельный пробой p-n перехода (Эффект Зенера в англоязычной литературе)
Несмотря на схожие результаты действия, эти механизмы различны, хотя и присутствуют в любом стабилитроне совместно, но преобладает только один из них. У стабилитронов до напряжения 5,6 вольт преобладает туннельный пробой с отрицательным температурным коэффициентом[источник не указан 246 дней], выше 5,6 вольт доминирующим становится лавинный пробой с положительным температурным коэффициентом[источник не указан 246 дней]. При напряжении, равном 5,6 вольт, оба эффекта уравновешиваются, поэтому выбор такого напряжения является оптимальным решением для устройств с широким температурным диапазоном применения[источник не указан 263 дня].
Пробойный режим не связан с инжекцией неосновных носителей заряда. Поэтому в стабилитроне инжекционные явления, связанные с накоплением и рассасыванием носителей заряда при переходе из области пробоя в область запирания и обратно, практически отсутствуют. Это позволяет использовать их в импульсных схемах в качестве фиксаторов уровней и ограничителей.
Виды стабилитронов:
прецизионные — обладают повышенной стабильностью напряжения стабилизации, для них вводятся дополнительные нормы на временную нестабильность напряжения и температурный коэффициент напряжения (например: 2С191, КС211, КС520);
двусторонние — обеспечивают стабилизацию и ограничение двухполярных напряжений, для них дополнительно нормируется абсолютное значение несимметричности напряжения стабилизации (например: 2С170А, 2С182А);
быстродействующие — имеют сниженное значение барьерной ёмкости (десятки пФ) и малую длительность переходного процесса (единицы нс), что позволяет стабилизировать и ограничивать кратковременные импульсы напряжения (например: 2С175Е, КС182Е, 2С211Е).
Изображают буквами CR.
Существуют микросхемы линейных регуляторов напряжения с двумя выводами, которые имеют такую же схему включения, что и стабилитрон, и зачастую, такое же обозначение на электрических принципиальных схемах.
Параметры
Напряжение стабилизации — значение напряжения на стабилитроне при прохождении заданного тока стабилизации. Пробивное напряжение диода, а значит, напряжение стабилизации стабилитрона зависит от толщины p-n-перехода или от удельного сопротивления базы диода. Поэтому разные стабилитроны имеют различные напряжения стабилизации (от 3 до 400 В).
Температурный коэффициент напряжения стабилизации — величина, определяемая отношением относительного изменения температуры окружающей среды при постоянном токе стабилизации. Значения этого параметра у различных стабилитронов различны. Коэффициент может иметь как положительные так и отрицательные значения для высоковольтных и низковольтных стабилитронов соответственно. Изменение знака соответствует напряжению стабилизации порядка 6В.
Дифференциальное сопротивление — величина, определяемая отношением приращения напряжения стабилизации к вызвавшему его малому приращению тока в заданном диапазоне частот.
Максимально допустимая рассеиваемая мощность — максимальная постоянная или средняя мощность, рассеиваемая на стабилитроне, при которой обеспечивается заданная надёжность.
література
Чернышёв А. А., Иванов В. И., Галахов В. Д. и др. Диоды и тиристоры / Под. общ. ред. А. А. Чернышёва. — 2-е изд., перераб. и доп. — М.: Энергия, 1980. — 176 с. — (Массовая радиобиблиотека; Вып. 1005). — 190 000 экз.