Самостійна робота 23

Транзистори великої потужності

Потужні польові транзистори Особливість структури потужного MOSFET полягає в тім, що вона охороняє оксид затвора від впливу великої напруги, прикладеного до стоку. Напруга безпосередньо під оксидом затвора звичайно досягає значень усього 5...10 У стосовно електрода затвора, хоча напруга на стоці може становити при цьому сотні вольтів.  У міру проходження струму через протяжну область стоку лінії токи стягаються в область між областями, що прийнято називати шийною областю (neck region). Далі струм повинен втягуватися в канали, утворені в областях на кожній стороні шийної області. Таке втягування струму в результаті повинне було б привести до великого опору, оскільки струм повинен іти через поступово зменшуваний перетин області, щоб досягти входу в канал.  Але саме область, що безпосередньо перебуває під окислом затвора й між областями, має дуже високу концентрацію рухливих електронів, що приводить до набагато більшої провідності цієї ділянки в порівнянні з інший ""-областю. Струм стоку між областями прагне, отже, спочатку йти нагору в шар високої провідності й тільки потім проходить горизонтально в канал.  Загальний опір стік-джерело MOSFET містить у собі чотири тридцятилітні: 1) опір шару стоку, що включає опору й основної частини області; 2) опір шийної області; 3) опір області, що перебуває безпосередньо під оксидним шаром затвора; 4) опір каналу Вся область стоку і його шийна область леговані слабко, тому в транзисторах з напругою стік-джерело 400 В і вище перші два тридцятимільйонні опори звичайно набагато більше, ніж третя й четверта. Якщо ж транзистор низьковольтний, основна частка загального опору - опір каналу.  Внаслідок того, що MOSFET - це транзистор, що працює на основних носіях, у ньому не накопичуються надлишкові носії, які визначають динаміку біполярного транзистора. Динаміка MOSFET визначається тільки окісним шаром затвора і ємностями ООЗ, а також опорами, які обмежують можливості заряду й розряду цих ємностей.  Між стоком і затвором існує ємність, що, у свою чергу, утвориться послідовною сполукою двох ємностей. Одна з них - це оксидна ємність, що не залежить від напруги. Інша - це ємність ООЗ між стоком і шийною областю. З ростом напруги на стоці ця ємність падає.література

• Напівпровідникові прилади : Підручник / Л. Д. Васильєва, Б. І. Медведенко, Ю. І. Якименко . — К.: Кондор, 2008. — ISBN 978—966-622-103-9.

• Терещук Р. М., Терещук К. М., Седов С. А. Полупроводниковые приемно-усилительные устройства. — К.: Наукова думка, 1988. — С. 183 — 191.(рос.)

Самостійна робота 24

Логічні функції цифрових інтегральних мікросхем

  Рис.1.  Умовні позначення логічних елементів одноступінчатої логіки: а)-"І"   б)-"АБО"   в)-"НЕ"   г)-"І-НЕ"   д)-"АБО-НЕ"    Рис.2.  Умовне позначення логічного елемента "Виключаюче АБО"  Таблиця 1:    Таблиця 2:      Рис.3.  Схема логічного елемента “АБО” на діодах    Рис.4.  Схема логічного елемента “І” на діодах.    Рис.5.  Принципова схема логічного елемента “НЕ    Рис.6. Принципова схема побудови базових елементів 155 серії    Рис.7.  Схема логічного елемента “АБО-НЕ” на уніполярних транзисторах