
- •Собственная электропроводность п/п
- •Основы квантовой статистики
- •Примесные п/п
- •Электронно-дырочный переход
- •Физические процессы в симметричном р-n – переходе
- •Условия равновесия
- •Изменение концентрации зарядов в р-n – переходе
- •Плотность диффузионного тока
- •Плотность дрейфового тока. Дырочный ток.
- •Ширина запирающего слоя (зс)
- •Различные виды переходов Несимметричный переход
- •Контакт металл - п/п Контакт Ме – n-п/п
- •Контакт Ме – п/п p-типа
- •Пробой p-n-перехода
- •Ёмкости p-n-перехода
- •Полупроводниковые диоды Устройство и классификация п/п диодов
- •Вах диода
- •Статические параметры диодов
- •Зависимость характеристики и параметров от температуры
- •Выпрямительные диоды
- •Параметры вд
- •Параллельное соединение диодов
- •Последовательное включение диодов
- •Особенности германиевых и кремниевых вд
- •Импульсные диоды
- •Стабилитроны и стабисторы
- •Варикапы
- •Транзисторы
- •Приборы с отрицательным сопротивлением
- •Туннельный диод
- •Токи в тд
- •Iвыкл III
- •Тринисторы
- •Симисторы
- •Фотоэлектронные приборы
- •Светодиоды
- •Диод Устройство и принцип действия
- •Предельные параметры диода
- •Устройство и принцип действия триодов
- •Статические параметры триода
- •Тетроды
- •Электронно-лучевые приборы
- •Осциллографические трубки с электростатической фокусировкой и отклонением
Диод Устройство и принцип действия
Простейшая электронная лампа – диод – состоит из катода, благодаря которому осуществляется электронная эмиссия, и анода, назначение которого – управление током в лампе. Анод является коллектором, он собирает электроны, движущиеся от катода. Оба электрода помещены в баллон, выполненный чаще всего из стекла, но в некоторых случаях из керамики и металла. Внутри баллона поддерживается вакуум, т.е. очень разреженное состояние газа до 10-6…10-7 мм. рт. ст. Аноды электронных ламп изготовляют из тугоплавких металлов, имеющих большую работу выхода, – никеля, молибдена и т.д.
Условное изображение диодов в схемах приведено на рисунке.
А
К н н
При подаче напряжения накала катод разогревается до требуемой температуры и происходит эмиссия электронов. Вылетевшие из катода электроны обладают некоторыми начальными скоростями, различными как по величине, так и по направлению. В отсутствие напряжения между анодом и катодом эти электроны заполняют пространство между ними, образуя отрицательный пространственный заряд. Этот пространственный заряд создаёт вблизи катода область отрицательного потенциала. Подадим между анодом и катодом напряжение плюсом на анод +Uа. Электроны пространственного заряда под действием ускоряющего электрического поля, созданного положительным потенциалом на аноде, притягиваются к нему. В цепи лампы возникает анодный ток Iа. При подаче на анод напряжения, отрицательного по отношению к катоду, для электронов эмиссии создаётся тормозящее поле, и анодный ток отсутствует.
Таким образом, ламповый диод обладает односторонней проводимостью, как и полупроводниковый диод.
Анодная (вольт - амперная) характеристика диода
Эта характеристика представляет собой зависимость
Iа=f (Uа) при Uн= const,
где Uн – напряжение накала, которое обеспечивает постоянство температуры катода и, следовательно, постоянство тока эмиссии. При UА=0 анодный ток практически отсутствует и только некоторые электроны, имеющие достаточно большую энергию, могут развить скорость, необходимую для преодоления тормозящего поля пространственного заряда, и достичь анода. При подаче положительного анодного напряжения для электронов создаётся ускоряющее поле, которое позволяет им преодолеть тормозящее поле пространственного заряда и достигнуть анода. По мере возрастания анодного напряжения UА происходит постепенное рассасывание пространственного заряда, и анодный ток IА увеличивается. При каком-то значении +Uа пространственный заряд полностью рассасывается. Режим, при котором полностью рассасывается пространственный заряд электронов в диоде, называется режимом насыщения. В этом режиме все электроны, вылетевшие с катода, достигают анода. В режиме насыщения ток эмиссии
IА = IА нас. Таким образом, при работе диода наблюдается два режима: режим пространственного заряда и режим насыщения.
IА
режим
простр. режим UА
заряда насыщения
Основным режимом является режим пространственного заряда, т.к. в этом режиме проявляется управляющее действие поля анода, и анодный ток IА меняется пропорционально напряжению UА. Эта пропорциональность нарушается в режиме насыщения, где изменение UА не вызывает соответствующего изменения IА.
В действительности, и в режиме насыщения также происходит некоторое увеличение тока IА при увеличении UА. Оно особенно резко выражено у ламп с оксидными катодами, что связано с увеличением тока эмиссии под действием поля анода.
Статические параметры диода
Крутизна характеристики отражает управляющее воздействие изменения UА на изменение IА в режиме пространственного заряда:
S=ΔIА/ ΔUА , мА/В при Uн = const.
Крутизна характеристики в различных её точках разная, т.к. сама характеристика нелинейная. Очевидно, чем ближе к катоду расположен анод, тем управляющее воздействие поля анода на пространственный заряд больше и S соответственно больше. Ламповые диоды имеют S=2…6 мА/В.
Внутреннее сопротивление характеризует сопротивление диода изменяющемуся току, т.е. переменному току:
Ri = ΔUА / ΔIА при Uн = const.
Внутреннее сопротивление диода Ri составляет 50…1000 Ом.