
- •Лекция 2 Биполярный транзистор
- •2.1 Структура, принцип действия, статические характеристики
- •2.2 Статические вольт-амперные характеристики транзистора
- •2.3 Графический анализ процесса усиления электрического сигнала на биполярном транзисторе
- •2.4 Эквивалентные схемы транзистора
- •2.5 Частотные свойства транзистора
- •2.6 Аналитический расчет усилителя при схеме включения с оэ
- •2.7 Усилитель на биполярном транзисторе с емкостной связью
2.5 Частотные свойства транзистора
Все параметры транзистора, в точном представлении, зависят от частоты. Однако для упрощения расчетов принимают, что частотно зависимыми являются только некоторые из них.
В физической эквивалентной схеме частотные свойства отображаются емкостями - переходов: эмиттерной и коллекторной .
В формальной
эквивалентной схеме частотные свойства
отображаются только зависимостями
коэффициентов передачи по току
и
от частоты, остальные параметры считаются
частотнонезависимыми.
На частотах от 0 до 1 кГц коэффициенты передачи остаются постоянными, но с ростом частоты их модули уменьшаются и определяются выражениями
,
,
(2.17)
где
и
- коэффициенты передачи по току, при
схеме с общей базой и общим эмиттером
на нулевой частоте;
и
- предельные частоты для схем с общей
базой и с общим эмиттером.
Предельные частоты,
по определению, это такие частоты, на
которых модули коэффициентов передачи
по току с ОБ и с ОЭ уменьшаются в
раз от своих максимальных значений
и
.
Кроме предельных,
в справочниках приводят значение
граничных частот при схеме включения
с ОЭ. Граничная частота
-
это такая частота, при которой модуль
коэффициента передачи по току с ОЭ
уменьшается до единицы
.
(2.18)
Можно найти
взаимосвязь предельной
и граничной
частотами
,
(2.19)
если учесть, что
,
то получим
.
(2.20)
Уменьшение коэффициентов передачи по току с ростом частоты объясняется конечной скоростью диффузии неосновных носителей заряда в базовой области. Носители заряда не успевают достичь области коллектора, происходит смена направления электрического поля, которое перемещает их обратно к эмиттеру. Таким образом, они колеблются в области базы, и большее их число успевает рекомбинировать; поэтому ток базы увеличивается, а ток коллектора уменьшается, что и приводит к уменьшению коэффициентов передачи по току в схемах с ОБ и с ОЭ.
2.6 Аналитический расчет усилителя при схеме включения с оэ
Задачей аналитического расчета является определение амплитуд переменных входных и выходных сигналов, определение коэффициентов усиления, входного и выходного сопротивлений усилителя. Постоянные напряжения и токи в данном случае не рассчитываются.
Используя эквивалентную схему транзистора (рис.20), построим эквивалентную схему усилителя, приведенного на рисунке 2.7. При построении амплитудные значения сигналов синусоидальной формы заменены действующими значениями, а также учтено весьма малое значение коэффициента внутренней обратной связи, влиянием которого можно пренебречь. В результате эквивалентная схема усилителя с ОЭ будет иметь вид (рисунок 2.15).
Рисунок 2.15 -. Эквивалентная схема усилителя с ОЭ
Из схемы следует:
,
(2.21)
,
(2.22)
из последнего
выражения найдем
.
(2.23)
Определим коэффициент
усиления по напряжению
,
(2.24)
с учетом того, что
,
получим
.
(2.25)
Знак минус показывает, что выходное и входное напряжения находятся в противофазе.
Коэффициент
усиления по току
найдем как
.
(2.26)
Коэффициент
усиления по мощности
.
(2.27)
Входное
сопротивление
.
(2.28)
Выходное
сопротивление
.
(2.29)
Аналогично рассчитываются параметры усилителей по схеме с ОБ и ОК, для этого достаточно в полученные выражения подставить значения - параметров, соответствующие выбранной схеме включения транзистора.