
- •Содержание.
- •Техническое описание биполярных транзисторов.
- •Комбинированные транзисторы.
- •Список нормативных документов, регламентирующих порядок проведения измерений.
- •Термины, обозначения и определения.
- •Методы проведения измерений.
- •I. Методы измерения коэффициента шума на низкой частоте. Метод измерения коэффициента шума сравнением с опорным усилителем на частотах от 2 до 100000 Гц.
- •Метод измерения коэффициента шума способом удвоения выходной мощности шума на частоте 1 кГц.
- •II. Методы измерения напряжения насыщения коллектор-эмиттер и база-эмиттер. Метод измерения напряжения насыщения коллектор-эмиттер и база-эмиттер на постоянном токе.
- •Метод измерения напряжения насыщения коллектор-эмиттер и база-эмиттер на импульсном токе.
- •Протокол проведения измерений.
Протокол проведения измерений.
Измерение коэффициента шума сравнением с опорным усилителем на частотах от 2 до 100000 Гц.
Рабочая частота fраб, МГц |
Предельные допустимые значения, Кш, дб |
Значения, полученные при испытании Кш, дб |
60 |
1,5-8,0 |
2,1 |
150 |
1,5-8,0 |
4,3 |
1760 |
1,5-8,0 |
5,9 |
3600 |
3,5-8,0 |
6,1 |
6000 |
5,5-8,0 |
7,5 |
Данные транзисторы прошли испытания на определение коэффициента шума.
Измерение коэффициента шума способом удвоения выходной мощности шума на частоте 1 кГц.
Рабочая частота fраб, МГц |
Предельные допустимые значения, Кш, дб |
Значения, полученные при испытании Кш, дб |
120 |
1,5-8,0 |
2,4 |
300 |
1,5-8,0 |
3,2 |
1000 |
1,5-8,0 |
4,1 |
2250 |
1,5-8,0 |
6,3 |
5000 |
3,5-8,0 |
7,1 |
Данные транзисторы прошли испытания на определение коэффициента шума.
Измерение напряжения насыщения коллектор-эмиттер и база-эмиттер на постоянном токе.
Тип транзистора |
Значения тока базы Iб |
Значения тока коллектора Iк |
Предельное допустимое значение Uбэ нас |
Предельное допустимое значение Uкэ нас |
Полученное значение Uбэ нас |
Полученное значение Uкэ нас |
КТ845А |
1,1 |
2 |
1,8 |
1,5 |
1,3 |
1 |
КТ859А |
0,6 |
1,9 |
1,4 |
1,5 |
1,1 |
1 |
КТ8108А, Б |
1,4 |
4 |
1,5 |
1 |
1,1 |
0,5 |
КТ8127Б1 |
2,5 |
4,4 |
1,5 |
1,5 |
1,1 |
1 |
Данные транзисторы прошли испытания на определение напряжения насыщения коллектор-эмиттер и база-эмиттер на постоянном токе.
Измерение напряжения насыщения коллектор-эмиттер и база-эмиттер на импульсном токе.
Тип транзистора |
Значения тока базы Iб |
Значения тока коллектора Iк |
Предельное допустимое значение Uбэ нас |
Предельное допустимое значение Uкэ нас |
Полученное значение Uбэ нас |
Полученное значение Uкэ нас |
КТ845А |
3,0 |
4,6 |
1,8 |
1,5 |
1,3 |
1 |
КТ859А |
0,9 |
2,7 |
1,4 |
1,5 |
1,1 |
1 |
КТ8108А, Б |
4,7 |
4,1 |
1,5 |
1 |
1,1 |
0,5 |
КТ8127Б1 |
3,6 |
3,2 |
1,5 |
1,5 |
1,1 |
1 |
Данные транзисторы прошли испытания на определение напряжения насыщения коллектор-эмиттер и база-эмиттер на импульсном токе.