Список нормативных документов, регламентирующих порядок проведения измерений.

1. ГОСТ 20003-74 Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров.

2. ГОСТ 15172-70 Транзисторы. Перечень основных и справочных электрических параметров.

3. ГОСТ 18604.22-78 Транзисторы биполярные. Методы измерения напряжения насыщения коллектор-эмиттер и база-эмиттер.

4. ГОСТ 18604.20-78 Транзисторы биполярные. Методы измерения коэффициента шума на низкой частоте.

Термины, обозначения и определения.

Стандартная температура источника сигнала на входе измеряемого транзистора Т₀ – стандартная температура, по отношению к которой нормируют все шумовые параметры.

Кроме стандартного коэффициента шума по отношению к температуре Т₀ нормируют выходную мощность генератора шума, эквивалентную температуру других источников и т. д. Т₀=293К.

Коэффициент шума биполярного транзистора К_ш – отношение мощности шумов на выходе транзистора к той ее части, которая вызвана тепловыми шумами сопротивления источника сигнала при температуре Т₀=293К.

Нормируют стандарт­ный К_ш шума при усло­вии, что сопротивление источника сигнала нахо­дится при стандартной температуре Т₀=293 К и генерирует соответствен­но мощность тепловых шумов Р_{ш о}, равную КТ₀f. К_ш=Т₀+Т_{е тр}/Т₀

Минимальный коэффициент шума К_{ш min} - значение коэффициента шума транзистора в усло­виях настройки входной и выходной цепей, соответст­вующее наименьшему зна­чению коэффициента шума.

Понятие минимального К_ш в одинаковой степени применимо к стандарт­ному К_{ш min} и к рабо­чему К_{ш раб min} и к холодному К_{ш хол min.}

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер U_КЭнас - напряжение между выводами коллектора и эмиттера транзистора в режиме насыщения прн заданных токах базы и коллектора.

Напряжение насыщения база-эмиттер U_БЭнас - напряжение между выводами базы и эмиттера транзистора в режиме насыщения при заданных токах базы и коллектора.

Входное сопротивление биполярного транзистора в режиме малого сигнала h^*₁₁ – отношение изменения напряжения на входе к вызвавшему его изменению входного тока в режиме короткого замыкания по переменному току на выходе транзистора.

Коэффициент обратной связи по напряжению биполярного транзистора в режиме малого сигнала h^*₁₂ - отношение изменения напряжения на входе к вызвавшему его изменению напряжения на выходе в режиме холостого хода во входной цепи по переменному току.

Коэффициент передачи тока биполярного транзистора в режиме малого сигнала h^*₂₁ - отношение изменения выходного тока к вызвавшему его изменению входного тока в режиме короткого замыкания выходной цепи по переменному току.

Модуль коэффициента передачи тока биполярного транзистора на высокой частоте |h_21э| - модуль коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером в режиме малого сигнала на высокой частоте.

Выходная полная проводимость биполярного транзистора в режиме малого сигнала h^*₂₂ – отношение изменения выходного тока к вызвавшему его изменению выходного напряжения в режиме холостого хода входной цепи по переменному току.

Входное сопротивление биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером в режиме большого сигнала h_11Э – отношение напряжения на входе транзистора к входному току при заданном постоянном обратном напряжении коллектор-эмиттер и токе эмиттера в схеме с общим эмиттером.

Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора h_21Э – отношение постоянного тока коллектора к постоянному току базы при заданных постоянном обратном напряжении коллектор-эмиттер и токе эмиттера в схеме с общим эмиттером.

Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте биполярного транзистора _s – произведение сопротивления базы на активную емкость коллекторного перехода.

Постоянный ток коллектора I_К – постоянный ток, протекающий через коллекторный переход.

Постоянный ток эмиттера I_Э – постоянный ток, протекающий через эмиттерный переход.

Постоянный ток базы I_Б - постоянный ток, протекающий через базовый вывод.

Импульсный ток коллектора I_К,и – импульсное значение тока коллектора при заданной скважности и длительности импульса.

Импульсный ток эмиттера I_Э,и - импульсное значение тока эмиттера при заданной скважности и длительности импульса.

Постоянное напряжение эмиттер-база U_ЭБ – постоянное напряжение между выводами эмиттера и базы.

Постоянное напряжение коллектор-база U_КБ - постоянное напряжение между выводами коллектора и базы.

Постоянное напряжение коллектор-эмиттер U_КЭ - постоянное напряжение между выводами коллектора и эмиттера.

* В схеме с общей базой или общим эмиттером добавляется индекс соответственно «б» или «э» для отечественных буквенных обозначений и «b» и «е» для международных обозначений.

Максимально допустимыми параметрами называются значения конкретных режимов биполярных транзисторов, которые не должны превышать при любых условиях эксплуатации и при которых обеспечивается заданная надежность.

Максимально допустимые импульсные параметры приводятся для заданной скважности и длительности импульсов.

Когда не возникает сомнений в том, что используемое буквенное обозначение относится к максимально допустимому параметру, можно опускать индекс «max».