Министерство науки и образования Российской Федерации

Московский государственный университет леса

Кафедра стандартизации и сертификации

Курсовая работа на тему:

«Биполярные транзисторы»

Выполнил

Студент группы СТ -31

Черных С.С.

Проверил

Беляков В.А.

Москва 2012

Содержание.

Техническое описание биполярных транзисторов…………………………………………....3

Список нормативных документов, регламентирующих порядок проведения измерений....8

Термины, обозначения и определения………………………………………………………....9

Методы проведения измерений……………………………………………………………..…11

I. Методы измерения коэффициента шума на низкой частоте. ……………………….11

Метод измерения коэффициента шума сравнением с опорным усилителем на частотах от 2 до 100000 Гц. …………………………………………………………………...11

Метод измерения коэффициента шума способом удвоения выходной мощности шума на частоте 1 кГц. ……………………………………………………………12

II. Методы измерения напряжения насыщения коллектор-эмиттер и база-эмиттер….14

Метод измерения напряжения насыщения коллектор-эмиттер и база-эмиттер на постоянном токе ………………………………………………………………………...…..14

Метод измерения напряжения насыщения коллектор-эмиттер и база-эмиттер на импульсном токе.………………………………………………………………………..….16

Протокол проведения измерений…….…………………………………….………………….20

Техническое описание биполярных транзисторов.

Транзистор — электронный прибор из полупроводникового материала, обычно с тремя выводами, позволяющий входным сигналам управлять током в электрической цепи. Обычно используется для усиления, генерирования и преобразования электрических сигналов.

Управление током в выходной цепи осуществляется за счёт изменения входного напряжения или тока. Небольшое изменение входных величин может приводить к существенно большему изменению выходного напряжения и тока. Это усилительное свойство транзисторов используется в аналоговой технике (аналоговые ТВ, радио, связь и т. п.).

Фотография некоторых типов дискретных транзисторов.

Классификация транзисторов.

По основному полупроводниковому материалу.

Помимо основного полупроводникового материала, применяемого обычно в виде монокристалла, транзистор содержит в своей конструкции легирующие добавки к основному материалу, металл выводов, изолирующие элементы, части корпуса (пластиковые или керамические). Иногда употребляются комбинированные наименования, частично описывающие материалы конкретной разновидности (например, «кремний на сапфире» или «Металл-окисел-полупроводник»). Однако основными являются транзисторы:

• Германиевые

• Кремниевые

• Арсенид-галлиевые

Другие материалы транзисторов до недавнего времени не использовались. В настоящее время имеются транзисторы на основе, например, прозрачных полупроводников для использования в матрицах дисплеев. Перспективный материал для транзисторов — полупроводниковые полимеры. Также имеются отдельные сообщения о транзисторах на основе углеродных нанотрубок.

По структуре.

• Биполярные

  • n-p-n структуры, «обратной проводимости».

  • p-n-p структуры, «прямой проводимости»

• Полевые

  • с p-n переходом

  • с изолированным затвором

• Однопереходные

• Криогенные транзисторы (на эффекте Джозефсона)