
- •Теоретические основы конструирования и надежности рэа Раздел: Конструктивные особенности рэа. Внешняя среда и методы защиты от ее воздействий. Факторы, определяющие конструкцию рэа
- •Области использования рэа
- •Назначение рэа
- •Элементная база рэа
- •Особенности конструкции рэа от применяемой элементной базы
- •Конструктивная база
- •Типовые несущие конструкции
- •Конструкторские параметры (компоновочные)
- •Единичные и комплексные показатели качества рэа
- •Системный подход к проектированию конструкций рэа
- •Климатические зоны и характерные группы эксплуатации рэа.
- •Воздействие влаги, пыли, солнечной радиации и биологических факторов на рэа.
- •Воздействие полей свч и ионизирующих излучений.
- •Защита рэа от атмосферных дестабилизирующих факторов
- •Разъемная герметизация
- •Неразъемная герметизация
- •Защита рэа от тепловых воздействий
- •Теплопроводность
- •Конвекция.
- •Тепловое излучение
- •Тепловая модель рэа и принцип теплового расчета
- •Тепловые режимы элементов рэа
- •Расчет радиаторов для ппп и ис
- •Изменение теплопроводности Способы изменения теплопроводности
- •Термостатирование
Особенности конструкции рэа от применяемой элементной базы
Конструкции РЭА характеризует степень интеграции сложных элементов, при этом полагают для общности нулевой степени интеграции РЭА на дискретных элементах. Степень интеграции схемных элементов в конструкции РЭА принято оценивать номером поколения от 0 до 5 (начиная с использования дискретных ЭРЭ и кончая устройствами молекулярной электроники). Рисунок «Относительная доля участия инженера-схемотехника и инженера-разработчика ИС в проектировании элементов, узлов, блоков, аппаратов и систем РЭА»
0 1 2 3 4 5 Поколение РЭА
инженер схемотехник ![]() |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
инженер разработчик ИС |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Система
Аппарат
Блок
Узел
Элемент
Рис. Относительная доля участия радиоинженера-схемотехника и инженера-разработчика ИС в проектировании элементов, узлов, блоков, аппаратов систем РЭА.
Равенство
Дис. ЭРЭ 1 2 3 4 5
Степень интеграции элементов в ИС
Для 0 поколения это набор дискретных ЭРЭ. Схема соединений выполняется радиоинженером который определяет и функциональную и принципиальную схему РЭА. Конструктивно РЭА 0-го поколения выполняется на общих или модулированных платах с разнообразным расположением в объеме РЭА.
РЭА 1,2 поколения это набор микросхем с дополнительными дискретными элементами. Микросхемы имеют степень интеграции от 1 до 2 (10-100 элементов в корпусе). Схемотехнические решения на уровне функционального узла определяются в основном разработчиком микросхем, который оказывает влияние и на схемотехническое решение блока. Радиоинженер определяет в основном схемотехнику РЭА от уровня блока и выше. Конструктивно РЭА выполняются в виде плоских плат с ИС, в виде этажерочных, книжных, веерных и других конструкций.
(рис)
РЭА 3,4 поколений это набор микросхем практически без дополнительных дискретных элементов, микросхемы имеющие степень интеграции от 3 до 4 (1000-10000 элементов в корпусе). Схемотехника узла и блока полностью определяется разработчика ИС, радиоинженер определяет схемотехнику РЭА на уровне аппарата и системы в целом. Конструктивно РЭА выполняется аналогично РЭА 2 и 3 поколений с жесткой унификацией размерно-параметрических рядов по классам изделий.
РЭА 5-го поколения это функциональная или системная микроэлектроника, имеет степень интеграции (100000 элементов в корпусе и выше). Схемотехника блоков и аппаратов определяется разработчиком ИС, радиоинженер определяет только схемотехнику сложных систем. Конструктивно РЭА выполняется в индивидуальном корпусе или с унификацией размерно-параметрических рядов несущих конструкций (типовые несущие конструкции)