Импульсные диоды.

Оговариваются те же основные параметры, что и для рассмотренных выше диодов, и приводится еще важный второстепенный параметр - импульсный ток за оговоренное время.

Импульсные диоды предназначены для работы в режиме переключения и находят наиболее широкое применение в различных электронных устройствах вычислительной техники. Диоды, работающие в импульсных схемах, должны обладать хорошими высокочастотными свойствами; длительность переходных процессов в диодах должна быть сведена к минимуму.

График, иллюстрирующий установление обратного тока диода при изменении напряжения на нем приведен на рис. 3.

При быстром изменении прямого напряжения на обратное (запирающее) в первый момент времени наблюдается резкое увеличение обратного тока (иногда на 1 – 2 порядка выше установившегося значения), а следовательно, и снижение обратного сопротивления перехода. Возникновение броска обратного тока обусловлено тем, что избыточные дырки, находящиеся в базе на расстоянии диффузионной длины от перехода, втягиваются полем перехода обратно в р - область. Лишь после того как концентрация дырок в базе достигает своего равновесного значения за счет рекомбинации с электронами и утечки дырок через p-n- переход, ток спадает до своего установившегося значения, а обратное сопротивление диода восстанавливается до высокого статического значения.

Интервал времени между моментом переключения напряжения на диоде с прямого на обратное и моментом, когда обратный ток достигает заданного значения, называется временем восстановления обратного сопротивления (тока) и обычно обозначается _обр . Наибольшее значение обратного тока через диод после переключения напряжения называется максимальным током восстановления (I_в.макс).

Стабилитроны и стабисторы

Рабочей частью ВАХ у стабилитронов является обратная ветвь. Прямая ветвь такая же как у диодов, она также может использоваться.

ВАХ стабилитрона представлена на рис. 4.

рис.4а

Для стабилитронов указывается два основных параметра:

Uст - напряжение стабилизации стабилитрона;

Iст.н – номинальный ток стабилитрона.

Uст=3,3...170В. Для Uст указывается разброс в процентах или в вольтах, а также изменение Uст при изменении температуры. У маломощных стабилитронов Iст.min=1...3mА, Iст. max=30mA. Iст.н у мощных стабилитронов составляет несколько сот mA.

Стабилитронами и стабисторами называют полупроводниковые диоды, ВАХ которых имеют участки малой зависимости напряжения от протекающего тока (участки аб и вг на рис. 5а). Поэтому стабилитроны и стабисторы используют в стабилизаторах напряжения и тока. Участки характеристик, соответствующие режимам работы этих приборов в схемах, называют рабочими. Рабочие участки аб стабилитронов и вг стабисторов находятся соответственно на обратной и прямой ветвях характеристик.

Стабилитроны работают в режиме неразрушающего электрического пробоя – туннельного или лавинного, а стабисторы – прямого напряжения на p-n- переходе. Поэтому в качестве стабисторов используют кремниевые диоды, включенные в прямом направлении.

Стабисторы - это стабилитроны, у которых используется прямая ветвь ВАХ.

ВАХ стабистора показана на рис.5.

.

Основными параметрами стабилитронов являются:

• номинальное напряжение стабилизации U_{ст. ном} – среднее напряжение стабилизации, измеренное при определенном токе стабилизации I_ст;

• разброс напряжения стабилизации U_ст – интервал напряжений, в пределах которого находится напряжение стабилизации;

• средний температурный коэффициент напряжения стабилизации a_Ucт , показывающий, на сколько процентов изменится U_ст при изменении температуры окружающей среды на 1К .

- дифференциальное сопротивление r_ст, определяющее стабилизирующие свойства прибора и показывающее, в какой степени U_ст зависит от тока;

• минимально допустимый ток стабилизации I_{ст min} (при меньших токах резко возрастет r_ст и уменьшится U_ст );

• максимально допустимый ток стабилизации I_{ст мах} ( при больших токах происходит разрушающий тепловой пробой).

• наибольшая рассеиваемая мощность Р_макс .