Счетчики
Это последовательностные устройства, предназначенные для подсчета и запоминания числа импульсов, поданных в определенном временном интервале на вход. Существуют суммирующие, вычитающие, реверсивные счетчики. По способу организации переноса: последовательные, асинхронные, синхронные, комбинированные.
Основные параметры:
,
быстродействие.
– максимальное число импульсов, которые счетчик может посчитать и запомнить без повторения состояния.
Быстродействие – максимальная частота следования импульсов.
Асинхронные счетчики с последовательным переносом
Асинхронный счетчик со сквозным переносом
Лекция 12.
Счетчики – делители частоты
Счетчик с управляемым
.
Реверсивный асинхронный счетчик
Это счетчик с управляемым
направлением счета. Для его построения
нужно между разрядами включить логическую
схему, обеспечивающую связь счетного
входа второго и последующего разрядов
с выходами
(для суммирования) или с
(для вычитания).
Лекция 13.
Синхронный двоичный счетчик
Синтез синхронного счетчика с произвольной таблицей переходов
Событие |
S R |
D |
J K |
|
0 - |
0 |
0 - |
|
1 0 |
1 |
1 - |
|
0 1 |
0 |
- 1 |
|
- 0 |
1 |
- 0 |
|
|
|
|
0 |
0 |
0 |
0 |
1 |
0 |
0 |
0 |
0 |
1 |
0 |
0 |
1 |
1 |
0 |
0 |
0 |
0 |
1 |
0 |
1 |
0 |
1 |
0 |
0 |
1 |
1 |
0 |
1 |
1 |
1 |
0 |
0 |
0 |
0 |
1 |
1 |
0 |
0 |
1 |
Лекция 14.
Запоминающие устройства (память)
Общая характеристика
ЗУ – совокупность различных устройств, предназначенных для приема, хранения, передачи двоичной информации.
Категории памяти: а) внутренняя; б) внешняя;
Память классифицируют:
По функциональному значению.
По виду носителей информации.
По организации доступу информации.
Внутренние ЗУ – для хранения программ и данных, обрабатываемых в текущий момент времени.
Внутренние ЗУ бывают:
- оперативные (высокое быстродействие, небольшая емкость);
- КЭШ – память (для хранения промежуточных данных, дублированной информации);
- постоянная (заносятся константы);
Внешние ЗУ – для длительного хранения больших массивов памяти (объем памяти больше, однако быстродействие небольшое). Внешние ЗУ энергонезависимы.
Полупроводниковая память. Параметры памяти:
Информационная емкость (количество N-разрядных слов);
Быстродействие – время обращения (запись, считывание, время хранения);
Удельная емкость (сколько можно сохранить на м2).
Структурная организация, входные и выходные сигналы
Э
лементы
памяти:
Триггер.
Организация
памяти:
Микросхемы
памяти:
- сигнал разрешения работы схемы
Основные структуры полупроводниковой памяти
Организация структуры памяти может быть на одной плоскости или в объеме.
Постоянная память
ПП – память, которая сохраняется и не меняется во времени (ПЗУ, ROM) – программируется одноразово, изготовителем.
ППЗУ, PROM (Program. ROM) – программируется один раз - пользователем, электрическим способом.
РПЗУ, EPROM – программируется и стирается многократно электрическим способом.
РПЗУ. УФ – стирается ультрафиолетовым излучением.
EE PROM с электрическим стиранием
Задается положительное напряжение (от 25 до 28 В)
