Календарний план

Найменування етапів проектування	Термін виконання	Примітка

Студент _________________

Керівник проекту ________________

Додаток В

Приклад складання реферату курсового проекту

РЕФЕРАТ

Пояснювальна записка: 105 с., 15 рис., 2 табл., 2 додатка, 18 джерел.

Об'єкт дослідження – пластини кремнію, на яких виготовлені фотоперетворювачі.

Мета роботи – визначення впливу структурних дефектів у кремнію на електричні характеристики фотоперетворювачів і пошук оптимальної методики дослідження p-n переходів.

Метод досліджень – статистичний аналіз електричних характеристик.

Дефекти, що найбільш сильно погіршують ККД фотоперетворювачів, такі: включення другої фази, дефекти пакування, дислокації із щільністю, що перевищує 1,5 10^-4 г/см³. Установлено, що пластини фотоперетворювачів з високим значенням ККД мають складну структуру: показано, що домішкові речовини не завдають дуже великого шкідливого впливу на електричні властивості фотоперетворювачів; установлено, що виділення другої фази, дефекти упаковки, сильне забруднення кремнієвих пластин неконтрольованими домішками погіршують електричні характеристики фотоперетворювачів; показано, що візуалізація p-n переходів може бути здійснена в режимі вторинної електронної емісії; запропонована оптимальна методика використання растрового електронного мікроскопа для візуалізації p-n переходу, його профілю, структурних дефектів.

Результати досліджень можуть бути впроваджені в технології виробництва кремнієвих пластин, що використовуються у сонячних батареях.

Прогнозові припущення про розвиток об'єкта дослідження - пошук оптимальної технології виробництва пластин без дефектів.

КРЕМНІЙ, ПЛАСТИНА, ВЛАСТИВОСТІ, ФОТОПЕРЕТВОРЮВАЧ, ЕМІСІЯ, ДЕФЕКТ, ДОМІШКА, МІКРОСКОП, ВІЗУАЛІЗАЦІЯ, p-n ПЕРЕХІД, ККД.