
- •Исследование фотоэлектрических характеристик солнечных элементов
- •Оглавление
- •Введение
- •1. Исследование фотоэлектрических характеристик полупроводниковых материалов и структур на их основе
- •1.1. Основные сведения о фоторезисторах и фотодиодах
- •1.2. Описание установки
- •1.3. Порядок проведения исследований
- •1.4. Содержание отчета и обработка результатов
- •1.5. Контрольные вопросы
- •2. Исследование оптических свойств слоев тонкопленочных солнечных элементов
- •2.1. Основные сведения об оптических свойствах солнечных элементах
- •2.2. Описание установки
- •2.3. Порядок проведения исследований
- •2.4. Обработка результатов и содержание отчёта
- •2.5. Контрольные вопросы
- •3. Исследование вольт-амперных характеристик солнечных элементов
- •Вольтамперная характеристика сэ, в условиях солнечного излучения
- •Описание экспериментальной установки
- •Режимы работы установки
- •Управляющая программа
- •Структура управляющей программы и ее основные элементы
- •3.3. Порядок проведения исследований
- •3.4. Обработка результатов и содержание отчёта
- •3.5. Контрольные вопросы
- •Список литературы
2.2. Описание установки
Схема экспериментальной установки измерения коэффициента отражения представлена на рисунке 2.8. Установка производит измерения спектральных коэффициентов отражения, используя немонохроматический источник падающего излучения. Передача оптического излучения производится с помощью оптоволокна.
Установка состоит из следующих частей:
1. Персональный компьютер;
2. Оптоволоконный спектрометр AvaSpec;
3. Блок источников излучения – AvaLight-DHc;
4. Столик для установки исследуемого и контрольного образца;
5. Оптоволоконный рефлектометрический пробник;
6. Держатель оптического щупа;
7. Контрольный образец.
Основной особенностью данной установки является использование рефлектометрического пробника - линии волоконно-оптической связи, состоящей из двух волноводов. Они объединены в единый кабель, который соединён перед держателем оптического щупа, и расходятся для подсоединения к блоку источника света и спектрометру. Излучение от источника света через первый волновод (волокно 1) поступает к выходу оптического щупа и падает на поверхность исследуемого образца. Отраженное от поверхности образца излучение попадает обратно в рефлектометрический пробник и по второму волноводу (волокно 2) поступает в спектрометр.
Рис. 2.8. Схема установки для измерения спектров отражения
Оптический столик снабжен микромеханическими винтами, позволяющими подводить исследуемый и контрольный образцы под оптическое излучение. Держатель оптического щупа также снабжен микромеханическим винтом, позволяющим изменять расстояние между оптическим щупом и поверхностью образца. Данная конструкция позволяет избежать необходимости использования зеркал с точной настройкой.
Схема экспериментальной установки измерения коэффициента пропускания представлена на рисунке 2.9. Установка монтируется на базе основных элементов, описанной выше установки измерения отражения:
1. Персональный компьютер;
2. Оптоволоконный спектрометр AvaSpec;
3. Блок источников излучения – AvaLight-DHc;
4. Приспособление для установки исследуемого образца с колимирующими линзами;
5. Два оптоволоконных волновода.
Рис. 2.9. Схема
установки для измерения спектров
пропускания
Немонохроматическое излучение поступает в волновод 1, далее проходит через коллимирующую линзу и падает на поверхность образца. Прошедшее через образец излучение поступает через коллимирующую линзу в волновод 2, по которому оно проходит к спектрометру. Измерение пропускания не требует наличие контрольного образца.
Программное обеспечение
Управление спектрометром осуществляется компьютером с помощью специального программного обеспечения AvaSoft, поставляемого производителем спектрометра. Программа позволяет проводить измерения спектров пропускания и отражения, с учетом измерений контрольного образца и уровня темнового сигнала.
В работе будет использоваться также программное обеспечение AvaSoft-Thinfilm, которое проводя измерения спектров коэффициента отражения позволяет определить толщину слоев оптических покрытий при помощи анализа интерференции отраженного спектра от оптически прозрачных пленок с известными оптическими параметрами. В программном обеспечении AvaSoft-Thinfilm реализованы два метода вычислений толщины тонкой пленки: быстрое преобразование Фурье (FFT) и алгоритм оптимизации наилучшего приближения. Метод FFT главным образом используется для определения толщины толстых пленок. Метод оптимизации наилучшего приближения определяет толщину с использованием различных путей вычисления толщины пленок. Соответствующие параметры толщины могут передаваться и использоваться для контроля качества тонких пленок и ускорения обработки данных о характеристиках толщины пленок. Система измерения толщины тонких плёнок AvaSpec ThinFilm может измерять толщину плёнки в диапазоне 10 нм – 50 мкм с разрешением 1 нм.