
- •Исследование фотоэлектрических характеристик солнечных элементов
- •Оглавление
- •Введение
- •1. Исследование фотоэлектрических характеристик полупроводниковых материалов и структур на их основе
- •1.1. Основные сведения о фоторезисторах и фотодиодах
- •1.2. Описание установки
- •1.3. Порядок проведения исследований
- •1.4. Содержание отчета и обработка результатов
- •1.5. Контрольные вопросы
- •2. Исследование оптических свойств слоев тонкопленочных солнечных элементов
- •2.1. Основные сведения об оптических свойствах солнечных элементах
- •2.2. Описание установки
- •2.3. Порядок проведения исследований
- •2.4. Обработка результатов и содержание отчёта
- •2.5. Контрольные вопросы
- •3. Исследование вольт-амперных характеристик солнечных элементов
- •Вольтамперная характеристика сэ, в условиях солнечного излучения
- •Описание экспериментальной установки
- •Режимы работы установки
- •Управляющая программа
- •Структура управляющей программы и ее основные элементы
- •3.3. Порядок проведения исследований
- •3.4. Обработка результатов и содержание отчёта
- •3.5. Контрольные вопросы
- •Список литературы
3.4. Обработка результатов и содержание отчёта
В отчёте должны быть представлены:
Краткое содержание и цель работы.
Схема измерительной установки.
Результаты расчета коэффициентов спектрального несоответствия.
Результаты измерений неоднородности освещенности.
Результаты измерений ВАХ СЭ.
Проведено сравнение ВАХ полученных для СЭ на основе поликристаллического кремния в «режиме А» и «режиме Б».
Проведена оценка погрешности измерений вызванной неоднородностью освещенности.
Проведена оценка погрешности измерений вызванной спектральным несоответствием для используемых контрольных СЭ.
Определен ограничивающий переход двухпереходного СЭ, выбрана ВАХ, максимально соответствующая ВАХ двухпереходного СЭ при стандартном солнечном излучении АМ1,5G.
Выводы по работе.
3.5. Контрольные вопросы
ВАХ многопереходного СЭ и ее реакция на спектральный состав излучения имитатора.
Экспериментальная установка на основе импульсного имитатора для измерения ВАХ СЭ, назначение её отдельных элементов и принцип функционирования.
Методика настройки имитатора при исследовании ВАХ многопереходных СЭ с помощью калиброванных СЭ.
В чём заключается особенность измерения абсолютного значения фототока и ВАХ многопереходного СЭ в условиях освещенности в одну солнечную постоянную (по сравнению с однопереходным?
Список литературы
Колтун М.М. Оптика и метрология солнечных элементов// М.: Наука, 1985., 280 с.
Чопра К., Дас С. «Тонкопленочные солнечные элементы», М.: Мир, 1986. – 440
Е.А.Макарова, А.В.Харитонов, Т.В.Казачевская, «Поток солнечного излучения», М.: НАУКА, 1991. - 396 С
С.Раушенбах Г. "Справочник по проектированию солнечных батарей", М, "Наука", 1989 г
A.Shah “Thin-film silicon solar cells”, EPFL Press, 2010, p. 430
«Solar Cells & Their Applications», Lewis Fraas & Larry Partain, Wiley 2nd Edition (2010)
«Основы оптико-электронных измерений в фотонике»: Учебное пособие / В. С. Иванов, и др. – М. : Логос, 2004 . – 496 с. – (Новая унив. б-ка)
Handbook of Photovoltaic Science and Engineering. Edited by A. Luque and S. Hegedus, 2003 John Wiley & Sons, Ltd , Chapter 16, pp. 701-752
Яворский Б.М., Детлаф А.А. Курс физики. – М.: Высшая школа, 2003 . – 720 с.
Трофимова Т.И. Курс физики. – М.: Высшая школа, 2004 – 544 с.
Сивухин Д.В. Оптика. Т.4. – М.: Физматлит, 2006. – 731 с.
Степанов Б.И. Введение в современную оптику. – Минск: Наука и техника, 1989. – 254 с.