
- •13.Статические характеристики и параметры биполярного транзистора включённого по схеме с общим эмиттером.
- •14. Анализ параметров биполярных транзисторов для различных схем включения.
- •15. Малосигнальные т-образные эквивалентные схемы биполярного транзистора в физических параметрах.
- •16. Малосигнальные эквивалентные схемы биполярного транзистора в h-параметрах.
- •17.Связь h-параметров с физическими параметрами транзистора.
- •18.Работа транзистора с нагрузкой. Построение нагрузочной прямой. Принцип усиления.
- •19. Особенности работы биполярного транзистора на высоких частотах. Предельная и граничная частоты, эквивалентная схема транзистора на высоких частотах.
- •20.Работа транзистора в импульсном режиме. Импульсные параметры транзистора.
- •21.Полевые транзисторы с p–n-переходом: устройство; принцип действия; вах; параметры.
- •22.Полевые транзисторы с изолированным затвором: устройство; принцип действия; вах; параметры.
- •23. Малосигнальные эквивалентные схемы полевого транзистора с p–n-переходом. Математическая модель.
- •24.Малосигнальные эквивалентные схемы полевого транзистора с изолированным затвором. Математическая модель.
- •Статические характеристики и параметры биполярного транзистора включённого по схеме с общим эмиттером.
Пассивные фильтры: низкой и высокой частоты, полосовые пропускающие. Примеры построения и расчёта.
Пассивные полосовые заграждающие фильтры. Примеры построения и расчёта.
Электропроводность полупроводников. Генерация, рекомбинация носителей зарядов.
Электронно-дырочный переход при подаче внешнего напряжения. Вольт-амперная характеристика идеализированного электронно-дырочного перехода. Параметры.
Отличие реального полупроводникового диода от идеального.
Специальные типы полупроводниковых диодов.
Математическая модель (уравнение Эберса – Молла) идеального и реального диода. Эквивалентные модели диодов.
Схемы на полупроводниковых диодах. Параллельный диодный ключ и ограничитель. Передаточные характеристики. Эпюры выходного напряжения при синусоидальном входном напряжении.
Схемы на полупроводниковых диодах. Последовательный диодный ключ и ограничитель. Передаточные характеристики. Эпюры выходного напряжения при синусоидальном входном напряжении.
Физические основы функционирования биполярных транзисторов. Статический коэффициент передачи эмиттерного тока.
Типы биполярных транзисторов, режимы работы, схемы включения.
Статические характеристики и параметры биполярного транзистора включённого по схеме с общей базой.
Статические характеристики и параметры биполярного транзистора включённого по схеме с общим эмиттером.
Анализ параметров биполярных транзисторов для различных схем включения.
Малосигнальные Т-образные эквивалентные схемы биполярного транзистора в физических параметрах.
Малосигнальные эквивалентные схемы биполярного транзистора в h-параметрах.
Связь h-параметров с физическими параметрами транзистора.
Работа транзистора с нагрузкой. Построение нагрузочной прямой. Принцип усиления.
Особенности работы биполярного транзистора на высоких частотах. Предельная и граничная частоты, эквивалентная схема транзистора на высоких частотах.
Работа транзистора в импульсном режиме. Импульсные параметры транзистора.
Полевые транзисторы с p–n-переходом: устройство; принцип действия; ВАХ; параметры.
Полевые транзисторы с изолированным затвором: устройство; принцип действия; ВАХ; параметры.
Малосигнальные эквивалентные схемы полевого транзистора с p–n-переходом. Математическая модель.
Малосигнальные эквивалентные схемы полевого транзистора с изолированным затвором. Математическая модель.