23. Малосигнальные эквивалентные схемы полевого транзистора с p–n-переходом. Математическая модель.

Характеристики транзистора нелинейны. Однако если он находится в некотором режиме (режим определяется током через транзистор и напря­жений на его электродах), то при малом изменении токов и напряжений участки характеристик можно считать отрезками прямых. В таком случае для малых сигналов транзистор можно представить линейным четырёхпо­люсником. Он описывается системой двух линейных алгебраических урав­нений:

Зададим приращения токов и напряжений в виде малых гармонических колебаний.

U_1m = h₁₁I_1m + h₁₂U_2m

I_2m = h₂₁I_1m + h₂₂U_2m.

Уравнениям (4.9) соответствует эквивалентная схема

h₁₁= – входное сопротивле- ние транзистора при коротком замыка­нии на выходе для переменной составляющей тока;

h₁₂= – коэффициент обратной связи по напряжению при ра­зомкнутом входе для переменной составляющей тока;

h₂₁= – дифференциальный коэффициент передачи тока при коротком замыкании на выходе для переменной составляющей;

h ₂₂= – выходная проводимость транзистора при разомкну­том входе для переменной составляющей тока.

24.Малосигнальные эквивалентные схемы полевого транзистора с изолированным затвором. Математическая модель.

Все ПТ по своим конструктивным особенностям можно разделить на

две группы:

1) полевые транзисторы с управляющим р-п переходом (канальные, или

униполярные транзисторы);

2) полевые транзисторы с изолированным затвором (МДП- или

МОП-транзисторы).

Малосигнальная модель МДП-транзистора. Малосигнальная эквивалентная схема показана на рис. 5. Одновременно штриховыми линиями изображены элементы МДП-структуры, что наглядно поясняет связь параметров эквивалентной схемы с этими элементами.

Из четырех конденсаторов, показанных на рис. 5, только Сиз и Ссз непосредственно связаны с МДП-структурой. Быстродействие, определяемое перезарядом этих конденсаторов, принципиально связано со временем пролета через канал. Емкости Сиз и Ссз зависят от напряжений. Если Uси мало, то обе емкости равны друг другу Когда МДП-транзистор входит в режим насыщения, принимают а Соз=0 Еще два конденсатора включены между подложкой и истоком (Сип) и подложкой и стоком (Ссп) и отображают барьерные емкости обедненных областей соответствующих обратновключенных р-n переходов.