18.Работа транзистора с нагрузкой. Построение нагрузочной прямой. Принцип усиления.

Рассмотрим каскад усиления на транзисторе, включенном по схеме с общим эмиттером (рис. 3.22). При изменении величины входного сигнала будет изменяться ток базы . Ток коллектора изменяется пропорционально току базы:

Изменение тока коллектора можно проследить по выходным характеристикам транзистора (рис. 3.23). На оси абсцисс отложим отрезок, равный – напряжению источника питания коллекторной цепи, а на оси ординат отложим отрезок, соответствующий максимально возможному току в цепи этого источника:

Между этими точками проведем прямую линию, которая называется линией нагрузки и описывается уравнением:

19. Особенности работы биполярного транзистора на высоких частотах. Предельная и граничная частоты, эквивалентная схема транзистора на высоких частотах.

С повышением частоты усиление, даваемое транзисторами, снижается. Имеются две главные причины этого явления. Во-первых, на более высоких частотах вредно влияет емкость коллекторного перехода Ск Проще всего рассмотреть это влияние на эквивалентной схеме с генератором тока, показанной для схемы ОБ на рис.

На низких частотах сопротивление емкости Ск очень большое, rк также очень велико и можно считать, что весь ток cd_э идет в нагрузочный резистор, Но на некоторой высокой частоте сопротивление емкости становится сравнительно малым и в нее ответвляется заметная часть тока, создаваемого генератором, а ток через Rн соответственно уменьшается. Следовательно, уменьшаются ki k_u k_p выходное напряжение и выходная мощность. Второй причиной снижения усиления на более высоких частотах является отставание по фазе переменного тока коллектора от переменного тока эмиттера. Оно вызвано инерционностью процесса перемещения носителей через базу от эмиттерного перехода к коллекторном, а также инерционностью процессов накопления и рассасывания заряда в базе. Иногда в расчетных формулах встречается также граничная частота усиления тока . которая соответствует KI=1 , т. е. при этой частоте транзистор в схеме с ОЭ перестает усиливать ток. Пусть A(альфа) и В(бета) – коэфициенты усиления по току. Тогда Принято считать предельным допустимым уменьшение значений А и В на 30% по сравнению с их значениями А0 и В0 на низких частотах. Те частоты, на которых происходит такое снижение усиления, т. е. на которых А=0,7А0 и В=0.7В0 называют граничными или предельными частотами усиления для схем ОБ и ОЭ. Улучшение частотных свойств транзисторов, т. е. повышение их предельных частот усиления достигается уменьшением емкости коллекторного перехода Ск и времени пробега носителей через базу tпр.

20.Работа транзистора в импульсном режиме. Импульсные параметры транзистора.

Транзисторы, как и полупроводниковые диоды, применяются в различных импульсных устройствах. Работа транзисторов в импульсном режиме, иначе называемом ключевым или режимом переключения, имеет ряд особенностей.

Рассмотрим импульсный режим транзистора с помощью его выходных характеристик для схемы с общим эмиттером. Пусть в цепь коллектора включен резистор нагрузки. Обычно до поступления на вход транзистора импульса входного тока или входного напряжения транзистор находится в запертом состоянии. В цепи коллектора проходит малый ток, и, следовательно, эту цепь приближенно можно считать разомкнутой. Напряжение источника почти все полностью приложено к транзистору.

Если на вход подан импульс тока с максимальным значением, то транзистор переходит в область насыщения. Получается импульс тока коллектора с максимальным значением. Иногда его называют током насыщения. В этом режиме транзистор выполняет роль замкнутого ключа и почти все напряжение источника падает на резистор, а на транзисторе имеется лишь очень небольшое остаточное напряжение порядка десятка долей вольта, обычно называемое напряжением насыщения.

Если импульс входного тока будет меньше максимального значения, то импульс тока коллектора тоже уменьшится. Но зато увеличение импульса тока базы сверх максимального значения уже не дает возрастания импульса выходного тока.

Импульсный режим характеризуется также коэффициентом усиления по току, который в отличие от в определяется не через приращение токов, а как отношение токов, соответствующих режиму насыщения.

Иначе говоря, в является параметром, характеризующим усиление малых сигналов, а коэффициент усиления по току относится к усилению больших сигналов, в частности импульсов, и по величине несколько отличается от в.

Параметром импульсного режима транзистора служит также его сопротивление насыщения. Величина сопротивления насыщения у транзисторов, предназначенных для импульсной работы, обычно бывает порядка единиц, иногда десятков Ом.

Аналогично рассмотренной схеме с общим эмиттером работает в импульсном режиме и схема с общей базой.

Если длительность входного импульса во много раз больше времени переходных процессов накопления и рассасывания зарядов в базе транзистора, то импульс выходного тока будет иметь почти такую же длительность и форму, как входной импульс. Но при коротких импульсах может наблюдаться значительное искажение формы импульса выходного тока и увеличение его длительности.

Постепенное увеличение тока связано с процессом накопления носителей в базе. Кроме того, носители, инжектированные в базу в начале импульса входного тока, имеют разные скорости своего диффузионного движения и не все сразу достигают коллектора. После окончания входного импульса за счет процесса рассасывания заряда, накопившегося в базе, ток продолжается некоторое время, а затем постепенно спадает в течение времени спада. Следовательно, замедляется процесс включения и выключения коллекторной цепи, затягивается время, в течение которого находится в замкнутом состоянии. Иначе говоря, за счет инерционности процессов накопления и рассасывания заряда в базе транзистор не может осуществлять достаточно быстрое включение и выключение, т. е. не обеспечивает достаточное быстродействие ключевого режима.