1.3 Местоположение

Компания расположена на двух территориально разнесенных промышленных площадках в центре г. Томска.

Основная промышленная площадка площадью 38624 м² расположена по адресу Кирова, 5. На этой площадке размещены основные производственные цеха (стекольный, спиральный, цокольный, сборочный, механический, энергетический) и административный корпус.

Вторая площадка расположена на земельном участке по адресу: ул. Елизаровых, 13 площадью 42100 м². На второй площадке находится транспортно-складская инфраструктура: склады, транспортный цех с подъездными путями и железнодорожным тупиком, два вспомогательных цеха (кислородный и картонажный).

Сообщение между промышленными площадками производится автомобильным транспортом, доставляющим сырье, водород и кислород со второй площадки на первую и готовую продукцию в обратном направлении.

1.4 Трудовые ресурсы

В связи с вводом нового оборудования и расширением числа задействованных линий потребуется увеличение численности персонала Компании, большей частью за счет рабочих основного производства.

На момент начала проекта штат сотрудников Компании составляет 1377 человек, в том числе:

1. 758 человек основного производственного персонала;

2. 522 человека вспомогательного производственного персонала;

3. 97 человек административно-управленческого персонала.

Ожидаемая численность сотрудников к моменту завершения проекта составит 1618 человек (Таблица2). Основной прирост численности работающих предполагается за счет промышленно-производственного персонала сборочного производства: ввода около 25 новых сборочных бригад.

Таблица 2

Динамика трудовых ресурсов

Категория персонала	2011 г.	2012 г.	2013 г.	2014 г.	2015 г.
Основной производственный персонал	758	813	891	932	950
Вспомогательный производственный персонал	522	532	542	552	560
Административно-управленческий персонал	97	101	103	105	108
Итого:	1377	1446	1536	1589	1618

1.5 Описание результата проекта

Конечным продуктом нового предприятия станут светодиодные чипы, светодиодные лампы и осветительные системы, сопоставимые по яркости с лучшими мировыми аналогами. Достигаемое при помощи данной технологии рекордно низкое количество дефектов в полупроводниковых слоях позволяет приборам работать без потери эффективности при высоких плотностях тока, обеспечивая высокое соотношение яркость/цена для светодиодных чипов.

Данные виды продукции будут обладать следующими техническими характеристиками:

1. Цоколь.

2. Рабочее напряжение.

3. Потребляемая мощность.

4. Диапазон рабочих температур: от – 40ºС до +40ºС.

5. Ресурс непрерывной работы: более 50 000 часов.

6. Габаритные размеры.

1.6 Интеллектуальная собственность

– 9 «семейств» патентов в области производства кристаллов и чипов;

– 4 международных полученных патента;

– 4 заявки находятся на рассмотрении PCT (Patent Cooperation Treaty), по3 заявкам получен положительный ответ (positive IPRP);

– 38 международных заявок в стадии рассмотрения;

– 3 российских заявки;

– Получено положительное «freedom to operate» заключение по технологии компании эпитаксиального выращивания пластин на базе анализа патентного рынка США/