
- •Оглавление
- •Предисловие
- •1.Основные понятия автоматизированного проектирования
- •1.1.Истоки автоматизированного проектирования
- •1.2.Уровни, аспекты и этапы проектирования
- •1.3.Типовые проектные процедуры
- •1.4.Математические модели
- •Основные признаки классификации и типы мм
- •2.Основы моделирования межсоединений
- •2.1.Вычисление матриц параметров
- •2.1.1.Выбор методов вычисления
- •2.1.2.Метод аппроксимации данных
- •Точность метода аппроксимации данных
- •2.1.3.Вариационный метод
- •Вариационный метод для одиночных линий
- •Вариационный метод для пары связанных линий
- •2.1.4.Метод моментов Истоки и разработка метода моментов для вычисления поля
- •Общая теория метода моментов
- •Вычисление двумерным методом моментов
- •2.2.Вычисление временного отклика
- •2.2.1.Аналитическая модель
- •2.2.2.Алгоритмическая модель
- •2.2.3.Отклик связанных межсоединений
- •2.2.4.Сравнение моделей
- •3.Основы автоматизированного структурного синтеза на базе теории решения изобретательских задач (триз)
- •3.1.Введение в триз
- •3.1.1.Методы поиска новых решений
- •3.1.2.Технические системы. Основные термины
- •3.1.3.Законы развития технических систем Этапы развития
- •Вытеснение человека
- •Неравномерное развитие. Противоречия
- •Увеличение степени идеальности
- •Развёртывание–свёртывание
- •Повышение динамичности и управляемости
- •Переход на микроуровень. Использование полей
- •Согласование–рассогласование
- •Линии развития
- •3.2.Инструменты и информационный фонд триз
- •3.2.1.Типовые приёмы
- •3.2.2.Вепольный анализ
- •3.2.3.Стандарты
- •Порядок применения стандартов
- •Перечень стандартов
- •Описание стандартов
- •3.2.4.Алгоритм решения изобретательских задач
- •Часть 1. Анализ задачи
- •Часть 2. Анализ модели задачи
- •Часть 3. Определение икр и фп
- •Часть 4. Мобилизация и применение впр
- •Часть 5. Применение информфонда
- •Часть 6. Изменение и (или) замена задачи
- •Часть 7. Анализ способа устранения фп
- •Часть 8. Применение полученного ответа
- •Часть 9. Анализ хода решения
- •Основные виды конфликтов в моделях задач
- •Применение физических эффектов и явлений [32]
- •Применение химических эффектов и явлений [33]
- •3.2.5.Решение исследовательских задач
- •1. Формулировка исходной исследовательской задачи
- •2. Формулировка обращенной задачи
- •3. Поиск известных решений
- •4. Паспортизация и использование ресурсов
- •5. Поиск нужных эффектов
- •6. Поиск новых решений
- •7. Формулировка гипотез и задач по их проверке
- •8. Развитие решения
- •Литература
2.1.2.Метод аппроксимации данных
Часто проводники межсоединений находятся в слоистой диэлектрической среде над плоскостью земли. Частный случай, когда первым (от плоскости земли) слоем является воздушный зазор, вторым – подложка с проводником, а третьим – воздушная внешняя среда, даёт два типа межсоединений: подвешенную микрополосковую линию (ПМПЛ) и обращённую микрополосковую линию (ОМПЛ) (рис. 2 .3 а,б, где h1 – толщина воздушного зазора, h2 – толщина подложки, r – относительная диэлектрическая проницаемость подложки, а w – ширина полоски).
Рис. Рисунок 2.3. Подвешенная (а) и обращённая (б) микрополосковые линии
Этот частный случай важен на практике, так как он позволяет существенно уменьшить значение постоянной распространения, а также её дисперсию. Благодаря этому достоинству, он широко применяется в СВЧ линиях передачи, а квазистатические модели для этого случая применимы вплоть до 100 ГГц. Последнее обстоятельство стимулировало ряд исследований, результаты которых позволяют с достаточной для практики точностью решать задачи анализа и синтеза параметров соответствующих линий со скоростью вычислений, приемлемой для применения в САПР.
Результаты точных вычислений характеристического импеданса Z0 и эффективной диэлектрической постоянной re, полученные с помощью численного интегрирования по алгоритму из работы [13], первоначально были аппроксимированы довольно простыми аналитическими выражениями [14], которые позволили получить аналитические формулы для вычисления чувствительности характеристик [15]. Позднее, с помощью степенных полиномов были получены более точные формулы с более широким диапазоном параметров линий, как для анализа, так и для синтеза [16]. Значения ошибок соответствия полученных формул точным теоретическим данным и соответствующие диапазоны исходных параметров конфигурации приведены в табл. 2.1.
Таблица 2.2
Точность метода аппроксимации данных
Точность аппроксимации |
Диапазоны параметров конфигурации |
||
Анализ – 1% [Error: Reference source not found] |
1 < w/h1 < 8 |
0,2 < h2/h1 < 1 |
r < 3,8 |
Анализ – 0,6%, синтез – 1% [Error: Reference source not found] |
0,5 < w/h1 < 10 |
0,05 < h2/h1 < 1,5 |
r < 20 |
Исходные
теоретические данные были получены для
t=5 мкм, где t – толщина
полоски. По утверждению авторов [Error: Reference source not found],
для диапазона 0<t/h1<0,02
значение
изменяется в пределах 1%, а Z0 –
в пределах 2,5%. Ниже приводятся формулы
для анализа и синтеза одиночных ПМПЛ и
ОМПЛ [Error: Reference source not found], но следует
помнить, что они применимы только в
ограниченном диапазоне геометрических
параметров и диэлектрических
проницаемостей. В других случаях
необходимо обращаться к методу, которым
были получены данные для аппроксимации,
или к более общим методам.
Анализ ПМПЛ
,
где
,
|
(2.0) |
|
(2.0) |
d00=(176,2576–43,1240f +13,4094f 2–1,7010f 3)10–2,
d01=(4665,2320–1790,4000f +291,5858f 2–8,0888f 3)10–4,
d02=(–3025,5070–141,9368f –3099,4700f 2+777,6151f 3)10–6,
d03=(2481,5690+1430,3860f +10095,5500f 2–2599,1320f 3)10–8,
d10=(–1410,2050+149,9293f +198,2892f 2–32,1679f 3)10–4,
d11=(2548,7910+1531,9310f –1027,5200f 2+138,4192f 3)10–4,
d12=(999,3135–4036,7910f +1762,4120f 2–298,0241f 3)10–6,
d13=(–1983,7890+8523,9290f –5235,4600f 2+1145,7880f 3)10–8,
d20=(1954,0720+333,3873f –700,7473f 2+121,3212f 3)10–5,
d21=(–3931,0900–1890,7190f +1912,2660f 2–319,6794f 3)10–5,
d22=(–532,1326+7274,7210f –4955,7380f 2+941,4134f 3)10–7,
d23=(138,2037–1412,4270f +1184,2700f 2–270,0047f 3)10–8,
d30=(–983,4028–255,1229f +455,8729f 2–83,9468f 3)10–6,
d31=(1956,3170+779,9975f –995,9494f 2+183,1957f 3)10–6,
d32=(62,8550–3462,5000f +2909,9230f 2–614,7068f 3)10–8,
d33=(–35,2531+601,0291f –643,01814f 2+161,2689f 3)10–9.
Зная
,
вычисляем импеданс Z
по известной формуле:
,
где Z0 – импеданс той же линии с воздушным заполнением равен
,
где
,
|
(2.0) |
Анализ ОМПЛ
,
где
,
а f2 вычисляется по ( 2 .0) и ( 2 .0), где
d00=(2359,4010–97,1644f –5,7706f 2+11,4112f 3)10–3,
d01=(4855,9472–3408,5207f +15296,7300f 2–2418,1785f 3)10–5,
d02=(1763,3400+961,0481f –2089,2800f 2+375,8805f 3)10–5,
d03=(–556,0909–268,6165f +623,7094f 2–119,1402f 3)10–6,
d10=(219,0660–253,0864f +208,7469f 2–27,3285f 3)10–3,
d11=(915,5589+338,4033f –253,2933f 2+40,4745f 3)10–3,
d12=(–1957,3790–1170,9360f +1480,8570f 2–347,6403f 3)10–5,
d13=(486,7425+279,8323f –431,3625f 2+108,8240f 3)10–6,
d20=(5602,7670+4403,3560f –4517,0340f 2+743,2717f 3)10–5,
d21=(–2823,4810–1562,7820f +3646,1500f 2–823,4223f 3)10–5,
d22=(253,8930+158,5529f –3235,4850f 2+919,3661f 3)10–6,
d23=(–147,0235+62,4342f +887,5211f 2–270,7555f 3)10–7,
d30=(–3170,2100–1931,8520f +2715,3270f 2–519,3420f 3)10–6,
d31=(596,3251+188,1409f –1741,4770f 2+465,6756f 3)10–6,
d32=(124,9655+577,5381f +1366,4530f 2–481,1300f 3)10–7,
d33=(–530,2099–2666,3520f –3220,0960f 2+1324,4990f 3)10–9.
Импеданс ОМПЛ вычисляется также, как и ПМПЛ, но при h2=0.
Синтез ПМПЛ
При синтезе надо найти w/h1 при заданных r, h2/h1 и Z. Аппроксимация выражения ( 2 .0) выражением f(u)=6 даёт возможность синтеза.
Делая подстановку
|
(2.0) |
получаем
|
(2.0) |
где
,
где
.
Синтез ОМПЛ
Делая подстановку
|
(2.0) |
получаем
|
(2.0) |
.
Как ( 2 .0), так и ( 2 .0) можно решить с помощью любого из известных методов для определения нулей трансцендентных функций. Например, применение процедуры Ньютона-Рафсона с точкой начального приближения
,
где
приводит к желаемому решению за несколько итераций. Зная x, можно вычислить w/h1 по ( 2 .0) или ( 2 .0), в зависимости от типа линии.