
- •Б. Выбор и обоснование мембраны датчика
- •В. Выбор и обоснование тензорезистивного преобразователя
- •2.3. Расчеты
- •2.3.1. Расчет основных элементов и устройств датчика
- •1) Расчет параметров деформационного чувствительного элемента (мембраны)
- •2) Расчет тензорезистора
- •3) Расчет параметров источника тока
- •Расчет электроизмерительной схемы датчика давления
- •2.4. Анализ источников погрешности и определение ее результирующего значения
- •2.5. Расчет показателей надежности устройства
- •3. Конструкторская часть
- •3.1. Особенности конструкции устройства для измерения венозного давления
- •Проектирование упругого элемента
- •8.Особенности конструктивного исполнения датчика давления
8.Особенности конструктивного исполнения датчика давления
Разработка конструктивного исполнения элементов датчика давления является очень важным и трудоёмким этапом проектирования. К конструктивному исполнению датчика предъявляется ряд требований: функциональных, конструктивно – технологических, эксплуатационных. А также предъявляются требования к обеспечению заданных метрологических характеристик. Выполнение выше указанных требований достигается как посредством применения структурных методов, так и посредством выбора и реализации конструктивных решений, основных его деталей и сборочных единиц.
Некоторые варианты исполнения датчиков давления приведены в пункте Мембрана изготавливается из кремния. Все остальные детали конструкции пластмасс Для получения заданных функциональных свойств конструкция датчика должна быть обеспечена достаточно высокой герметичностью.
Рассмотрим обеспечение герметичности:
– Соединение корпуса с основанием, а также штуцера с корпусом осуществляется с помощью клея.
– Заливка выводов стеклом. Спай металл – стекло изготавливают из материалов хорошо согласующихся по значениям коэффициента температурного расширения. Надёжное соединение со стеклом выводов обеспечивается применением сплава ковар, так как коэффициент температурного расширения вывода из него согласован с коэффициентом температурного расширения стекла благодаря добавке в сплав никеля.
– Крепление мембраны производить на клей. При этом клеющий слой должен быть достаточно пластичным. Применять клей БФ – 4.
Технологическая последовательность изготовления интегральных тензопреоб-разователей. Технология изготовления интегральных механоэлектрических преобразователей хотя и базируется на общей технологии интегральных микросхем, однако предполагает разработку и использование специфических технологических операций:
Поверхность пластины, полученную после резки слитка подвергнуть полирующему травлению.
Пластину подвергнуть окислению.
Особенности:
качественный окисел должен быть получен с обеих сторон пластины;
толщина окисла определяется не только обычными требованиями, но и специфическими.
Для удаления части окисла провести двухстороннюю фотолитографию.
Сущность этого метода заключается в том, что фоторезистор наносят на обе стороны пластины, которую после этого помещают в специальное приспособление между предварительно совмещёнными фотошаблонами, и производят экспозицию фоторезистора с двух сторон.
Дальнейшая обработка резистора и травление окисла не отличается от стандартных операций.
Для создания тензорезисторов применить р-диффузию.
После р-диффузии провести металлизацию мембраны.
Для изготовления межсоединений и контактных площадок применить фотолитографию.
Для вскрытия окон с обратной стороны пластины применить локальное травление.
Формирование мембраны производить анизотропным травлением.
Процесс травления представляет собой поэтапное удаление атомных слоёв с поверхности кристалла. Особенностью анизотропного травления является то, что в разных кристаллографических направлениях скорость удаления атомных слоёв с поверхности травления, то есть скорость травления, имеет разное значение [54].