1.2 Исследовать семейство выходных характеристик транзистора.

I_к = (U_кб), при I_э= 6; 4; 2; 0 mA.

Для этого подключить вольтметр В7-58/2 к гнездам «U_к», выставить ток I_э=6mA и, меняя напряжение регулируемого источника напряжения от U_к=10В в сторону уменьшения, записать значения коллекторного тока, для указанных в табл.2 значений напряжения U_кб.

Повторить измерения для значений тока эмиттера I_э= 4; 2; 0 mA.

Данные эксперимента занести в табл.4.2.

Таблица 4.2.

Uкб, В		10	8	……	0, 5	0	-0.5	-0.6	-0.7
Iэ1=6 mA	Iк, mA
Iэ2=4 mA	Iк, mA
Iэ3=2 mA	Iк, mA
Iэ4=0 mA	Iк, mA

Построить графики входной и семейства входных характеристик для схемы включения с ОБ.

При построении вольт–амперных характеристик принято ток откладывать по оси ординат, а напряжение – по оси абсцисс, как, например, на рис.1.10.

Задание 2. Исследовать статических характеристик транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером (схема исследования приведена на рис.3.2,б)

Переключить вилку с исследуемым транзистором эмиттером к заземленному контакту.

Переключить «ПОЛЯРНОСТЬ РЕГУЛИРУЕМОГО ИСТОЧНИКА ТОКА» - в положение (+) ток базы; установить напряжение на коллекторе U_к=5В, а затем переключить вольтметр В7-58/2 к гнездам «U_эб».

2.1. Исследовать входную характеристику. U_бэ =₁(I_б), U_кэ= 5В.

Изменяя ток базы с помощью регулируемого источника тока, регистрировать значение I_б по миллиамперметру РА1 и соответствующее ему напряжения U_бэ. Полученные результаты занести в табл.4.3.

Таблица 4.3.

Iб, mA	0	20	40	60	80	100
Uэб, В

2.2. Исследовать семейство выходных характеристик.

I_к=₂ (U_кэ), при I_б= 0,03; 0,06; 0,09 mA.

Методика исследования выходных характеристик описана в п. 1.2.

Результаты занести в табл. 4.4.

Таблица. 4.4.

Uкэ, В		0	1	2	..…..	10
Iб1= 0 mA	Iк, mA
Iб2= 0,03 mA	Iк, mA
Iб3= 0,06 mA	Iк, mA
Iб4= 0,09 mA	Iк, mA

Построить графики входной и семейство выходных характеристик для схемы включения с ОЭ.

Задание 3. Исследовать нагрузочную характеристику транзистора с ОЭ (схема исследования приведена на рис.3.3).

Установить напряжение регулируемого источника Е_к=10В (контроль напряжения на гнездах «U_к» при R_к=0).

Переключателем «НАГРУЗКА R_к» установить сопротивление R_к=1кОм.

Управляя коллекторным током с помощью регулируемого источника входного тока I_б, начиная с I_б=0, записать значения тока I_к и напряжения U_кэ в табл.4.5.

Повторить снятие нагрузочной характеристики для R_к=3кОм и Е_к=10В.

Построить график выходная ВАХ I_к=(U_кэ) в нагруженном режиме (R_к) и сопоставить с теоретически рассчитанным графиком линии нагрузки.

Таблица 4.5.

Ек =10В	Uкэ, В	9, 5	8	7	6	…
Rк =1 кОм	Iк, мА
Rк =3 кОм	Iк, мА

Задание 4. Расчет h-параметров биполярного транзистора в заданной рабочей точке.

Координаты рабочей точки транзистора: I_б.рт=0,06мА, U_кэ.рт=5В для схемы с ОЭ и I_{э рт} =4мА, U_{кб рт} =5В для схемы с ОБ .

Найти ее на построенных входных и выходных ВАХ.

По методике описанной в разделе 1.7. настоящего описания определить значения h-параметров транзистора: h₁₁  h₂₁; h₂₂  для схем с ОБ и ОЭ.