
- •Исследование биполярных транзисторов
- •Цель работы – получение навыков практического исследования вольт-амперных характеристик транзистора и определения его параметров для различных схем включения.
- •1. Основные понятия и расчетные соотношения
- •1.1. Общие сведения о биполярных транзисторах
- •1.2. Принцип работы биполярного транзистора в активном режиме и уравнения его токов
- •1.3. Основные схемы включения транзисторов
- •1.4. Режимы работы биполярного транзистора
- •1.5. Вольтамперные характеристики биполярного транзистора
- •1.5.1. Вольтамперные характеристики транзистора в схеме с об
- •1.4.2. Вольтамперные характеристики транзистора в схеме с оэ
- •1.6. Схемы замещения и параметры транзистора
- •1.7. Методика графического определения параметров транзистора
- •2. Задание на теоретическую подготовку и расчеты.
- •3. Описание лабораторного макета
- •4. Задание на экспериментальное исследование и порядок их выполнения
- •1.2 Исследовать семейство выходных характеристик транзистора.
- •3. Требования к оформлению отчету
- •4. Вопросы для самоконтроля
- •5. Литература
3. Описание лабораторного макета
В комплект лабораторной установки входят:
- лабораторный макет (рис.3.1);
- универсальный вольтметр В7-58/2.
Лабораторный макет питается от стабилизированного источника +15В.
Лабораторный макет предназначен для снятия входных и выходных ВАХ биполярных транзисторов включенных с ОБ и с ОЭ.
Для измерения напряжений на транзисторе на передней панели размещены гнезда «Uбэ» и «Uк», для подключения вольтметра В7-58/2. Для изменения схемы включения транзистора его необходимо вставить в гнездо, направив соответствующий вывод (буква Б или Э) в сторону заземляющего контакта.
Для снятия статических характеристик транзистора с ОБ используется схема на рис.3.2а. Эмиттер питается от регулируемого источника тока Iэ отрицательной полярности, а на коллектор подается напряжение от регулируемого источника ЭДС Ек от –1В до +10В .
На рис.3.2б приведена принципиальная схема для снятия ВАХ транзистора, с ОЭ. Входная цепь (цепь базы) питается от регулируемого источника тока Iб положительной полярности. Величина тока базы Iб измеряется миллиамперметром РА1. Напряжение между эмиттером и базой Uбэ измеряется внешним вольтметром РV1. Напряжение на коллекторе устанавливается регулируемым источником напряжения Ек. Напряжение коллектора Uкэ измеряется с помощью внешнего вольтметра РV2. Для измерения коллекторного тока Iк служит миллиамперметр РА2.
Рис. 3.1. Передняя панель лабораторного макета.
Рис. 3.2а. |
Рис.3.2б. |
|||
|
|
|
||
|
|
|
Рис.3..3. Схема измерения выходной ВАХ в нагруженном режиме |
Выходная ВАХ Iк=(Uкэ) транзистора в нагруженном режиме (Rк>0) измеряется по схеме на рис.3.3. и выражается уравнением нагрузочной прямой:
|
(3.1)
|
4. Задание на экспериментальное исследование и порядок их выполнения
Подключить стенд с помощью кабеля к лабораторной сети питания 15В и включить макет (рис.3.1).
Задание 1. Исследовать статических характеристик транзистора, включенного по схеме с ОБ (схема исследования приведена на рис3.2а).
Вставить исследуемый транзистор в разъем на передней панели базой к заземленному контакту.
1.1 Исследовать входную характеристику Uбэ =(Iб) при, Uкб= +5В
Подключить вольтметр В7-58/2 к гнездам «Uк». Переключатель «НАГРУЗКА Rк» установить в положение «0», а переключатель «ПОЛЯРНОСТЬ РЕГУЛИРУЕМОГО ИСТОЧНИКА ТОКА» - в положение (-).
Выставить с помощью регулируемого источника напряжения Uк=5В.
Переключить вольтметр В7-58/2 на гнезда «Uэб» и, изменяя входной ток Iэ с помощью регулируемого источника тока, снимать показания амперметра РА1 и соответствующие им значения напряжения Uэб и заносить их в табл.4.1.
Таблица 4.1.
Iэ, mA |
0 |
2 |
4 |
6 |
8 |
10 |
Uэб, В |
|
|
|
|
|
|