Статические характеристики транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером.

В схеме включения транзистора с общим эмиттером заземленным электродом является эмиттер и напряжения базы и коллектора изме­ряются по отношению к эмиттеру. Обозначим их, соответственно, и . Условно управляющим током считается ток базы , а уп­равляемым по-прежнему ток коллектора (рис.4.9,б).

В схеме с общим эмиттером используются следующие семейства характеристик:

при -входные характеристики;

при - -характеристики передачи по току;

при - выходные характеристики;

при - характеристики обратной связи по напряжению.

На практике наиболее часто используются семейства входных и выходных характеристик транзистора.

Идеализированные статические характеристики.

Уравнения идеализированных характе­ристик транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, можно получить на основании выражений (4.18) и (4.20), если сделать за­мену переменных: и .

Тогда получаем:

(4.24)

и

. (4.25)

В уравнение (4.25) подставим . После приведенных подобных членов и деления на будем иметь:

(4.26)

Обозначим

(4.27)

и

.

С учетом этого уравнение (4.26) запишем в виде

(4.28)

Входящий в (4.28) коэффициент получил название коэффициента передачи базового тока. Как следует из (4.27), , если близко к единице (значение обычно лежит в пределах 10300). Ток является током в цепи коллектор-эмиттер при нулевом базовом токе.

Его величина в раз больше тока .

Уравнение (4.24) описывает семейство входных, а уравнение (4.28) - семейство выходных характеристик транзистора. Следует иметь в виду, что в эти уравнения напряжения и входят со своим знаком. Поэтому, например, активному режиму работы p-n-p транзистора будет соответствовать и . Семейство идеализированных характеристик транзистора показано на рис.4.13.

В ходные характеристики в схеме с ОЭ по сравнению с аналогич­ными характеристиками в схеме с ОБ имеют ряд особенностей. Во-пер­вых, кривая при представляет собой вольтам­перную характеристику двух включенных параллельно p-n перехо­дов (эмиттерного и коллекторного), находящихся под напряжением . При этом ток представляет сумму токов этих переходов (см.4.24) и может достигать достаточно больших значений, если . При обратном напряжении и условии коллекторный переход закрывается, и ток базы резко уменьшается. Во-вторых, увеличение обратного напряжения смещает харак­теристики вправо и вниз. Ток базы обращается в нуль при таком прямом напряжении (рис.4.13,а), при котором наступает компенсация

обеих составляющих базового тока, входящих в (4.24), т.е. если

.

В-третьих, при обратном напряжении и постоянном коллекторном напряжении переход база-эмиттер закрывается и в ба­зовой цепи протекает ток . Так как , то .

Основная особенность выходного семейства (уравнение 4.28) заклю­чается в том, что участки характеристик, соответствующие режиму насыщения, располагаются в первом квадранте (а не во втором, как это было в схеме с ОБ на рис.4.10,б). Это легко понять, если учесть, что напряжение на переходе коллектор-база складывается из двух напряжений: . Поэтому при прямом напряжении и изменении обратного напряжения будет из­меняться не только величина напряжения , а и его знак. Действительно, если , напряжение становится прямым и транзистор работает в режиме насыщения. Другая особенность состоит, в том, что кривая соответствующая нулевому ба­зовому тику, не является границей режима отсечки в схеме с 0Э, так как в этом случае, эмиттерный переход открыт. Границей режима от­сечки является кривая , построенная для (эмиттерный переход закрыт).