
- •Приготовление атомарно-чистых поверхностей
- •Дифракция электронов низких энергий – метод исследования поверхностей твердых тел Возможности метода дифракции медленных электронов (дмэ)
- •Применение кинематической и динамической теории дифракции для расшифровки поверхностной структуры кристаллов
- •Методы расчета поверхностных структур с помощью кинематической теории дифракции
- •Элементы динамической теории электронного рассеяния в кристаллах
- •Влияние тепловых колебаний поверхностных атомов на интенсивность дифрагированных пучков
- •Динамические характеристики поверхностных атомов
- •Двухмерные структуры
- •Феноменологическое описание структуры поверхности кова-лентного кристалла в терминах квантовой химии
- •Атомная структура поверхности скола (111) кремния
- •Природа структуры Si(111)-(21)
- •Структурный переход (21)(11)
- •Межплоскостные расстояния и усредненный внутренний потенциал в приповерхностном слое кремния
- •Значения межплоскостных расстояний и внутреннего потенциала в поверхностном слое.
- •Среднеквадратичные смещения поверхностных атомов и температура Дебая в приповерхностном слое
Среднеквадратичные смещения поверхностных атомов и температура Дебая в приповерхностном слое
Определение динамических характеристик поверхностных атомов проводили по методике, описанной в разделе 5. Для этого экспериментально устанавливали температурную зависимость интенсивности нулевого дифрагированного рефлекса I0=f(T). При фиксированной величине ускоряющего напряжения первичных электронов (Eр) измеряли интенсивность рефлекса при изменении температуры кристалла от 300 до 550 К (для структуры (21) – от 300 до 400 К). На рис. 7.16 приведены экспериментальные зависимости I0(T) для различных кристаллов в полулогарифмическом масштабе. Значения при различных энергиях нормированы по максимуму интенсивности. По наклонам экспериментальных зависимостей вычисляли характеристическую температуру Дебая (9) при разных значениях энергии первичных электронов (рис. 7.16). Значения с ростом энергии первичных электронов (глубины проникновения) возрастают от поверхности в глубь кристалла и на глубине порядка 10 Å практически совпадают с объемными значениями (пунктирные линия на рис. 7.17), найденными по рассеянию рентгеновских лучей. Для кремния = 545 К.
Р
ассчитаны
среднеквадратичные смещения атомов в
зависимости от энергии первичного
электронного пучка (рис. 7.18). Поскольку
вектор рассеяния нулевого дифракционного
пучка перпендикулярен к исследуемой
поверхности, то рассчитанные смещения
являются нормальными к плоскости
поверхности. На рис. 7.18 пунктиром указаны
среднеквадратичные смещения для объема
соответствующего кристалла. Для
поверхностных атомов Si(111)-(11)
при Ep=
64 эВ,
= 400
± 10 К, a
(
)1/2
= 0,100 ± 0,005 Å.
С
реднеквадратичная
амплитуда колебаний поверхности атомов
Si(111)
превышает объемные значения амплитуды
в 1,5 раза. Температура Дебая на поверхности
меньше, чем в объеме. На глубине порядка
10 Å указанные отклонения динамических
характеристик в пределах ошибок
измеряемых параметров практически
выходят на объемные значения.
Т
аким
образом, на атомарно-чистой поверхности
кремния методом ДМЭ уверенно фиксируется
«поверхностная фаза» толщиной порядка
10 Å, которая обладает статистическими,
динамическими и энергетическими
параметрами, отличными от их объемных
значений.