МІНІСТЕРСТВО ОСВІТИ І НАУКИ, МОЛОДІ ТА СПОРТУ УКРАЇНИ
Національний технічний університет України
“Київський політехнічний інститут”
Факультет електроніки
Кафедра промислової електроніки
ЗАВДАННЯ НА МОДУЛЬНУ КОНТРОЛЬНУ РОБОТУ
КРЕДИТНОГО МОДУЛЯ
«Електроніка і мікросхемотехніка»
для напряму підготовки
6.050202 Автоматизація та комп'ютерно-інтегровані технології
Інженерно-хімічного факультету
Ухвалено
кафедрою промислової електроніки
протокол № 1 від 28.08.2012 р.
Завідувач кафедри ПЕ
____________ проф. Жуйков В.Я.
Київ 2012
Модульна контрольна робота – складається з двох частин, кожна з яких містить задачу (4 бали) та 5 теоретичних питань (кожне питання – 1 бал). Загальна кількість балів за МКР – 18 балів.
Кількість отриманих балів за теоретичні питання визначається як:
– повна відповідь (не менше 90% потрібної інформації) – 1 бал;
– достатньо повна відповідь (не менше 75% потрібної інформації), або повна відповідь з незначними неточностями – 0,75 бали;
– неповна відповідь (не менше 50% потрібної інформації) та незначні помилки – 0,5 бали;
– часткова відповідь (не менше 30% потрібної інформації) – 0,3 бали;
– незадовільна відповідь (не відповідає вимогам на 0,3 бали) – 0 балів.
Кількість отриманих балів за задачу:
– задача розв’язана повністю і правильно – 4 бали;
– задача розв’язана не до кінця або з помилками – 2-3 бали;
– задача не розв’язана і хід розв’язання невірний – 0 балів.
Кількість балів, якими оцінюється питання, визначається його складністю.
Нижче наводяться питання модульної контрольної роботи у формі білетів з розрахунку, що навчальна група складається з 25 студентів.
Частина 1 мкр. Фізичні основи електроніки. Діоди
|
|
В чому особливість стабілітронів? |
|
|
В чому особливість функціонування напівпровідникового діода? |
|
|
В чому суть внутрішнього фотоефекту? |
|
|
В якій зоні енергій лежить енергія валентних (зв’язаних) електронів? |
|
|
Від чого залежать властивості напівпровідникових елементів? |
|
|
Для який напівпровідникових елементів характерна чітко виражена область IV на ВАХ діода?
|
|
|
До яких областей під’єднуються анод та катод напівпровідникового діода? |
|
|
З якою метою вводиться акцепторний домішок? |
|
|
З якою метою вводиться донорний домішок? |
|
|
За яких умов діод відкривається? |
|
|
За яких умов діод закривається? |
|
|
Коли доцільно застосовувати діоди Шоттки? |
|
|
Коли електрон буде вважатися основним носієм заряду, а коли неосновним? |
|
|
Навести схематичне позначення діода із вказанням полярності зворотної напруги. |
|
|
Навести схематичне позначення діода із вказанням полярності прямої напруги. |
|
|
Пояснити поняття «дірка» в контексті напівпровідникових елементів. |
|
|
Пояснити процес генерації в контексті напівпровідникових елементів. |
|
|
Пояснити процес рекомбінації в контексті напівпровідникових елементів. |
|
|
У якому випадку напівпровідник буде ідеальним ізолятором, тобто не проводитиме струм? |
|
|
Чим діоди Шотки відрізняються від силових діодів? |
|
|
Чому власні напівпровідники мають малу провідність? |
|
|
Чому при введенні донорного домішку утворюється напівпровідник n-типу? |
|
|
Що є спільним в процесах генерації та рекомбінації носіїв? |
|
|
Що є характерним для тунельних діодів? |
|
|
Що таке домішкові напівпровідники? |
|
|
Що таке заборонена зона енергій? |
|
|
Що таке ковалентні зв’язки? |
|
|
Що таке фотонна рекомбінація? |
|
|
Що таке фотострум? |
|
|
Як впливає зміна величини потоку випромінювання на значення струму фотодіода? |
|
|
Як має бути спрямовано зовнішнє електричне поле, щоб створити умови для закривання діода? |
|
|
Як має бути спрямовано зовнішнє електричне поле, щоб створити умови для відкривання діода? |
|
|
Як має бути увімкнений фотодіод в електричне коло аби він був генератором струму? |
|
|
Як має бути увімкнений фотодіод в електричне коло аби його можна було використовувати як регулюємий опір? |
|
|
Як утворюється дрейфовий струм в об’ємі напівпровідника? |
|
|
Яка провідність називається власною? |
|
|
Який з діодів має властивості, подібні до конденсаторів? |
|
|
Який механізм – генерація чи рекомбінація – є основним у світло-діодах? |
|
|
Який механізм – генерація чи рекомбінація – є основним у фотодіодах? |
|
|
Який струм найбільше змінюється у фотодіоді – прямий чи зворотний? Чому? |
|
|
Який струм у діоді буде мати більше значення – прямий чи зворотний? Чому? |
|
|
Якими параметрами характеризується pn-перехід? |
|
|
Які елементи можуть використовуватися як домішки при виготовлені напівпровідникових елементів? |
|
|
Які напівпровідники називаються власними? |
|
|
Які області застосування світло-діодів? |
|
|
Які області застосування силових діодів? |
|
|
Які області застосування стабілітронів? |
|
|
Які області застосування фотодіодів? |
|
|
Які процеси відбуваються в напівпровіднику під час формування pn-переходу? |
|
|
Які умови виникнення електричного струму в об’ємі напівпровідника? |
|
|
Яку енергію треба надати електрону з заданим рівнем енергії (див. рис), щоб він став вільним?
|
