МОСКОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ ИМ. Н. .БАУМАНА

КАЛУЖСКИЙ ФИЛИАЛ

КАФЕДРА СЭ5-КФ

Э.Н. Маковская

Методические указания

к работе с учебным пособием для обучения чтению

по теме «Электронные устройства управления мощностью»

для студентов специальности РП

(4 курс, английский язык)

под редакцией ст. преподавателя В. В. Бойко

КАЛУГА 2006 г.

УДК 42

ББК 81.2

М 16

Данная работа издается в соответствии с методическим планом работы кафедры иностранных языков КФ МГТУ им. Баумана.

Данная работа рассмотрена и одобрена:

кафедрой “Иностранные языки” (CЭ5-КФ)

“ _____ “ __________2006 г.

Протокол № ______

Зав. Кафедрой сэ-5кф ________________ н. К. Власко

Методической комиссией Калужского филиала

“_____” ____________ 2006 г.

Протокол № _____

Председатель Методический комиссии ________________ а. В. Максимов

Рецензенты: Д.т.н., профессор,

Кафедры ЭИУ-1

Андреев В.В.

Ст. преподаватель

кафедры СЭ5-КФ

Лопатина А.Я.

Ст. преподаватель

кафедры СЭ5-КФ

В.В. Бойко

Автор: к.п.н., доцент

кафедры СЭ5-КФ

Э.Н. Маковская

Данная методическая разработка предназначена для обучения чтению студентов 4 курса специальности РПД. Целью данной работы является совершенствование навыков изучающего и ознакомительного чтения англоязычной технической литературы по специальности и расширение лексического запаса студентов. Данное пособие будет полезно студентам для приобретения знаний по специальности, изложенных на английском языке.

Калужский филиал МГТУ им. Баумана.

Маковская Э.Н. 2006 г.

Методические указания

Данное пособие предназначено для самостоятельной аудиторной работы студентов 4 курсов (7 семестр) специальности РПД Оно соответствует требованиям программы по английскому языку для учебных заведений инженерного профиля и рассчитано на студентов, имеющих начальную языковую подготовку.

Целью пособия является совершенствование навыков чтения оригинальной литературы по специальности, а также совершенствование умений и навыков аннотирования и реферирования на материале специальной (технической) англоязычной литературы. Работа с текстами пособия поможет студентам пополнить свой запас общетехнического и терминологического словаря.

Пособие предназначено для самостоятельной работы студентов в аудитории. Оно может также использоваться для фронтальной работы под руководством преподавателя.

Пособие состоит из ряда оригинальных статей по радиоэлектронике, из книги Ирвина Готлиба «Электронное управление мощностью» (Irving M. Gottlieb “Electronic Power Control”, 1991).

В пособии представлены тексты для чтения и задания к ним. Задания направлены на активизацию мыслительной деятельности студентов. Задания носят творческий характер и направлены на формирование профессионально значимых умений и навыков работы с литературой по специальности:

• находить и определять степень новизны и информативности материала,

• определять перспективы развития,

• проводить сопоставительный анализ прочитанных текстов,

• уметь изложить информацию в обобщенном виде (планы, тезисы, аннотации).

По уровню языковой и понятийной сложности тексты пособия можно условно разделить на две группы. Тексты, предназначенные для письменного перевода, преподаватель может использовать в качестве контрольной работы (для рубежного и итогового контроля).

PS. Все задания к текстам даны по-русски, чтобы студент чётко и однозначно понял цель и способ выполнения заданий.

TEXT 1

1. Прочитайте данный ниже текст и скажите преподавателю (по-русски или по-английски):

• что вы узнали о germanium power transistor, silicon-controlled rectifier, silicon devices, the MOSFET;

• является ли эта информация для Вас новой.

The wonderful world of solid-state power control began with the germanium power transistor and the SCR (silicon-controlled rectifier). These devices quickly made extensive inroads into power applications that had previously depended upon vacuum tubes, thyratrons, magnetic amplifiers, and electromagnetic relays. This is hardly surprising because a number of compelling advantages were realized: smaller and lighter packages, relative freedom from mechanical and other wear mechanisms, more manageable and convenient operating voltage, extended frequency response, and enhanced reliability. These features offer cost savings as well.

Because of current leakage and excessive temperature dependency, germanium devices gave way to silicon devices. Silicon devices, in turn, have undergone continuous progress in power, voltage, current, and frequency capabilities, and in other parameters. SCRs have evolved considerably from their early versions. Originally relegated to 60 Hz (Hertz) service, these devices developed to the stage where kilowatts of power could be controlled at many kilohertz. Also, the triac entered the scene, allowing full-wave control of ac power. For a decade or so before 1975, triacs remained the state of the art for power-control devices. It appeared that this technology had attained maturity, and that future progress would be limited to ever-diminishing refinements.

Beginning in the mid-1970s, and gathering steam during the 1980s, a new trend in power devices and control systems became identifiable. Even though the bipolar power transistor had been marvelously improved, other devices began to assume prominence. Notably, the MOSFET (metal-oxide-semiconductor field-effect transistor) shed its former lightweight status, becoming a heavyweight contender in power control. In somewhat similar fashion, the Darlington device invaded power levels and frequency domains previously thought unattainable.

With these developments came awareness that sophisticated ICs (integrated circuits) could greatly simplify implementation of the complex logic and driver circuitry often needed in conjunction with power devices. This advancement, a notable achievement in itself, led also to the fabrication of logic, driver, and power stage on a single chip or within a module. This integration probably suggests the nature of future progress in power-control techniques.

Recent and emerging power devices might use a number of constructions and semiconductor formats; these could range from discreet to "smart" systems. There are power ICs, MOS-bipolar integrations, power device-control logic combinations, hybrid modules uniting the best in power devices and analog or digital ICs, thyristors with self-contained trigger logic, optoelectronic devices with respectable power capability, and other implementations intended to reduce interconnections and parts counts. (2880)